公开(公告)号：KR101512844B1

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：KR1020080010651

申请日：2008-02-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정석 ,  선종백 ,  황억채 ,  이종호 ,  오민호

IPC: C08L85/00 ,  C08J5/22 ,  C08G79/00

Abstract: 본 발명은 불소계 고분자를 포함하거나 퍼플루오로폴리이써(Perfluoropolyether:PFPE) 유도체와 PFPE-혼화성 고분자를 포함하는 항산화막용 조성물, 이를 이용한 항산화막 형성방법 및 이로부터 제조된 전자부품용 기재에 관한 것이다. 본 발명의 조성물을 이용하면 용액 공정에 의해 항산화막을 형성할 수 있고, 전도성이 우수하고 제조 단가가 낮은 금속을 사용한 전자부품용 기재를 제공할 수 있다.
불소계 고분자, 항산화막, 퍼플루오로폴리이써, 광경화제, 전자부품용 기재

Abstract translation: 涉及：（PFPE全氟聚醚）衍生物和抗氧化剂的PFPE-膜组合物，包含可混溶的聚合物，抗氧化膜的形成方法及用于从中与此制备电子部件的基体材料，本发明包括一种氟化聚合物，或写聚酰亚胺的全氟烷 。 与本发明的组合物可以形成通过溶液方法的抗氧化剂的膜，导电性可以是优秀的，制造成本是对于具有低金属电子元件提供衬底。

公开(公告)号：KR101249219B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020060095626

申请日：2006-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정석 ,  인규열 ,  구본원 ,  한국민 ,  이상윤

IPC: C08K5/02 ,  C08K5/06

CPC classification number: G03F7/0046 ,  C08G65/007 ,  C08L29/04 ,  C08L71/02 ,  C08L2205/05 ,  G03F7/032 ,  G03F7/033 ,  G03F7/04 ,  G03F7/0757 ,  C08L2666/04

Abstract: 본 발명은 퍼플루오로폴리이써(Perfluoropolyether) 유도체와 감광성 고분자의 공중합체, 이를 포함하는 뱅크 형성용 조성물 및 이를 이용한 뱅크 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 공중합체를 이용하면 용액 공정에 의해 뱅크를 형성할 수 있고, 이러한 뱅크를 포함하는 유기 박막 트랜지스터는 제조 공정 중에 특성이 열화되지 아니하여 우수한 전자적 특성을 제공할 수 있다.
뱅크, 퍼플루오로폴리이써, 감광성 고분자, 광경화제, 유기박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR101206661B1

公开(公告)日：2012-11-30

申请号：KR1020060049947

申请日：2006-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상윤 ,  한정석 ,  한국민 ,  구본원 ,  문현식

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/28 ,  H01L51/10 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105 ,  Y02E10/549

Abstract: 본 발명은 반도체층과 소스/드레인 전극을 상온 습식 공정이 가능한 동일 계열의 소재로 형성하여 상호 간에 비슷한 표면 특성을 갖게 함으로써 상기 반도체층과 소스/드레인 전극 사이의 컨택(contact) 저항을 감소시킨 유기 전자 소자에 관한 것이다. 상기 반도체층 및 소스/드레인 전극을 형성하는 소재는 유기 반도체 물질에 탄소계 나노입자를 일정량 첨가하여 얻은 유기 반도체 계열의 소재로, 상기 탄소계 나노입자의 첨가량에 따라 반도체성 또는 도체성의 상이한 전도도를 나타낸다.
반도체층, 소스/드레인 전극, 유기 반도체 물질, 탄소계 나노입자, 유기 전자 소자, 접촉, 컨택 저항, 상온 습식 공정

公开(公告)号：KR101206659B1

公开(公告)日：2012-11-30

申请号：KR1020060091653

申请日：2006-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정석 ,  김태상 ,  이방린 ,  이상윤 ,  이은경

IPC: C08L25/00 ,  C08L25/06 ,  C08L101/00

CPC classification number: C08L65/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 고분자 화합물의 사이사이에 저분자의 올리고머 화합물이 분포되어 있어, 유기반도체 박막 형성시에 상기 저분자의 올리고머 화합물이 유기반도체 고분자 화합물의 빈 공간을 채워줌으로써 π-π 적층(stacking)을 증대시킬 수 있는 유기반도체 조성물 및 이를 이용한 유기반도체 박막 및 유기 전자소자에 관한 것으로, 본 발명에 의한 유기반도체 조성물을 이용하여 전기적 특성이 우수한 반도체 박막 및 유기 전자소자를 제조할 수 있다.
유기반도체 조성물, 고분자 화합물, 올리고머 화합물, π-π적층, 유기 전자소자, 유기박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020090017792A

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：KR1020070082227

申请日：2007-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구본원 ,  이상윤 ,  한정석 ,  문현식 ,  김도환

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0274 ,  H01L29/786

Abstract: A method for patterning the organic semiconductor layer is provided to simplify the process and cut down the cost by forming the organic semiconductor layer by printing and by removing he bank formed in the organic semiconductor layer by the lift off method. The bank divides the fixed region in order to form the region except the pattern of the semiconductor layer(1). The organic semiconductor layer is formed on the bank and the region surrounded by the bank. The organic semiconductor layer having the desired pattern is formed by lifting-off the bank formed on the organic semiconductor layer. In the lift-off process, the material comprising the organic semiconductor layer is not dissolved but the material comprising the bank is dissolved to remove the bank.

Abstract translation: 提供用于图案化有机半导体层的方法，以通过印刷形成有机半导体层并且通过剥离法除去形成在有机半导体层中的层来简化工艺并降低成本。 为了形成半导体层（1）的图案以外的区域，划分固定区域。 有机半导体层形成在银行和由银行包围的区域上。 具有期望图案的有机半导体层通过提升形成在有机半导体层上的堤而形成。 在剥离过程中，包含有机半导体层的材料不溶解，但是包含银行的材料被溶解以除去银行。

公开(公告)号：KR1020080109196A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：KR1020070057235

申请日：2007-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정은정 ,  문현식 ,  한정석 ,  손경석 ,  이은경

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/30

CPC classification number: C09D4/06 ,  C08G77/58 ,  C08K5/5425 ,  C08L21/00 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y10T428/31663 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/52

Abstract: A composition for preparing an organic insulator and the organic insulator prepared using the same are provided to reduce the fabrication cost and simplify the fabrication process by forming the organic insulator using the wet etching process. A composition for preparing an organic insulator comprises the organic polymer, the organometallic compound, and the multiple integration containing silane system organic and inorganic hybrid material. The multiple integration containing silane system organic and inorganic hybrid material is the multiple integration containing organo silane system compound or the polymer. The polymer is obtained by hydrolyzing and performing the condensation reaction of the multiple integration organic silane system compound with acid or the base catalyst and water in the organic solvent.

Abstract translation: 提供了一种用于制备有机绝缘体的组合物和使用其制备的有机绝缘体，以通过使用湿蚀刻工艺形成有机绝缘体来降低制造成本并简化制造工艺。 用于制备有机绝缘体的组合物包括有机聚合物，有机金属化合物和含有硅烷系有机和无机混合材料的多重结合。 含有硅烷系统有机和无机混合材料的多重积分是含有机硅烷体系化合物或聚合物的多重整合。 聚合物通过水解和进行多组分有机硅烷体系化合物与酸或碱催化剂和水在有机溶剂中的缩合反应而获得。

公开(公告)号：KR1020080040119A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：KR1020060107677

申请日：2006-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정은정 ,  한정석 ,  박정일 ,  이상윤

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/105 ,  C07F9/14 ,  C07F9/1406 ,  C07F9/5722 ,  C07F9/65515 ,  C07F9/655345 ,  H01L51/0541

Abstract: A method for fabricating an organic thin film transistor by using a self-assembled monolayer forming compound containing a dichlorophosphoryl group is provided to improve charge carrier mobility by increasing a work function of a metal oxide for composing source/drain electrodes. An organic thin film transistor includes a substrate(1), a gate electrode(2) formed on the substrate, a gate insulating layer(3) formed on the gate electrode and the substrate, metal oxide source/drain electrodes(4,5) formed at both sides of the gate insulating layer, and an organic semiconductor layer(7) formed on the metal oxide source/drain electrodes and the gate insulating layer between the metal oxide source/drain electrodes. A self-assembled monolayer(6) is formed on the metal oxide source/drain electrodes, or the metal oxide source/drain electrodes and the gate insulating layer.

Abstract translation: 提供一种通过使用含有二氯磷酰基的自组装单层形成化合物制造有机薄膜晶体管的方法，通过增加构成源极/漏极的金属氧化物的功函数来改善载流子迁移率。 有机薄膜晶体管包括基板（1），形成在基板上的栅电极（2），形成在栅电极和基板上的栅极绝缘层（3），金属氧化物源极/漏极（4,5） 形成在栅极绝缘层的两侧，形成在金属氧化物源极/漏极上的有机半导体层（7）和金属氧化物源极/漏极之间的栅极绝缘层。 在金属氧化物源极/漏极或金属氧化物源极/漏极和栅极绝缘层上形成自组装单层（6）。

公开(公告)号：KR1020080025875A

公开(公告)日：2008-03-24

申请号：KR1020060090596

申请日：2006-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정일 ,  한정석 ,  이상윤 ,  정은정 ,  한국민

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G02F1/361

CPC classification number: H01L51/105 ,  C07F9/091 ,  C07F9/094 ,  C07F9/2408 ,  C07F9/2429 ,  H01L51/0075 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: An organic thin film transistor including a phosphate-based self-assembled monolayer and a method for fabricating the same are provided to reduce contact resistance between source/drain electrodes and an organic semiconductor layer by preventing cross-linking between molecules. Source and drain electrodes(4,5) are formed on a substrate(1). A phosphate-based self-assembled monolayer(6) not forming cross-linking between molecules is formed on the source/drain electrodes. An organic semiconductor layer(7) is formed on the self-assembled monolayer and the substrate. A gate insulating layer(3) is formed on the organic semiconductor layer. A gate electrode(2) is formed on the gate insulating layer.

Abstract translation: 提供了包括磷酸酯基自组装单层的有机薄膜晶体管及其制造方法，以通过防止分子之间的交联来降低源/漏电极与有机半导体层之间的接触电阻。 源极和漏极（4,5）形成在衬底（1）上。 在源极/漏极上形成不形成分子之间的交联的基于磷酸盐的自组装单层（6）。 在自组装单层和基板上形成有机半导体层（7）。 在有机半导体层上形成栅极绝缘层（3）。 栅电极（2）形成在栅极绝缘层上。

公开(公告)号：KR1020070000668A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：KR1020050056196

申请日：2005-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상윤 ,  정은정 ,  한정석 ,  한국민 ,  이태우 ,  박현정

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/052

Abstract: A method for fabricating an organic thin film transistor and an organic thin film transistor using the same are provided to obtain a hydrophobic property by changing source/drain electrodes and to enhance charge carrier mobility of the organic thin film transistor by increasing a work function of a metal oxide in comparison with a work function of an organic semiconductor material. An organic thin film transistor includes a substrate(1), a gate electrode(2), a gate insulating layer(3), metal oxide source/drain electrodes(4,5), and an organic semiconductor layer(7). A surface of the metal oxide source/drain electrodes is processed by using a compound for forming a self assembled monolayer(6) including a sulphonic acid group.

Abstract translation: 提供一种制造有机薄膜晶体管的方法和使用其的有机薄膜晶体管，以通过改变源极/漏极获得疏水性，并通过增加有机薄膜晶体管的功函数来提高有机薄膜晶体管的载流子迁移率 金属氧化物与有机半导体材料的功函数相比较。 有机薄膜晶体管包括基板（1），栅电极（2），栅极绝缘层（3），金属氧化物源极/漏极（4,5）和有机半导体层（7）。 通过使用形成包含磺酸基的自组装单层（6）的化合物来处理金属氧化物源极/漏极的表面。

公开(公告)号：KR1019990027839A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970050369

申请日：1997-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정석

IPC: H01L29/78

Abstract: 고속 반도체 장치용 게이트(gate) 형성 방법을 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 게이트 절연막(gate insulating layer)을 형성한다. 이후에, 게이트 절연막 상에 다결정질 실리콘막(polysilicon layer)을 형성한다. 이때, 다결정질 실리콘막은 대략 50% 내지 90%의 결정질상(crystalline phase)을 포함한다. 더하여, 다결정질 실리콘막은, 대략 580℃ 내지 620℃의 온도 조건, 대략 10
0 Torr 내지 10
-2 Torr의 압력 조건 및 1℃/min 내지 5℃/min 정도의 냉각 속도 조건에서 형성된다. 이어서, 다결정질 실리콘막 상에 비정질 실리콘막(amorphous silicon layer)을 형성한다. 이때, 비정질 실리콘막을 형성하는 단계는, 다결정질 실리콘막을 형성하는 단계와 인 시튜(in-situ)로 수행된다. 또한, 비정질 실리콘막은 대략 530℃ 내지 560℃의 온도 조건, 대략 10
0 Torr 내지 10
-2 Torr의 압력 조건으로 형성된다. 다음에, 비정질 실리콘막 상에 포토레지스트 패턴(photoresist pattern)을 형성한다. 이후에, 포토레지스트 패턴을 마스크(mask)로 비정질 실리콘막, 다결정질 실리콘막 및 게이트 절연막을 패터닝한다.