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公开(公告)号：KR101122232B1
公开(公告)日：2012-03-19
申请号：KR1020040108172
申请日：2004-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/133502 , G02F1/136227 , H01L27/1248
Abstract: 본 발명에서는 게이트 절연막의 두께와 굴절율을 곱한 값과 보호막의 두께와 굴절율을 곱한 값을 더하고 그 더한 값의 4배가 파장의 짝수배가 되고, 화소 전극의 두께와 굴절율을 곱한 값의 4배가 파장의 짝수배가 되도록 한다.
이와 같이 질화 규소막과 화소 전극은 각각 보강 간섭 조건을 만족시키는 두께로 형성함으로써 표시 장치의 투과율이 향상되며, 이로 인한 표시 품질도 좋아진다.
막 두께, 굴절율, 투과율, 최적 조건-
公开(公告)号：KR101054345B1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020050031057
申请日：2005-04-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명에 따른 트랜지스터는 기판 위에 형성되어 있는 제1, 제2 및 제3 전극, 제1 전극 위에 형성되어 있는 반도체심, 반도체심의 일부를 둘러싸는 제1 피복, 제2 피복을 둘러싸는 제2 피복을 포함하는 미세선, 그리고 제1 전극 및 미세선 위에 형성되어 있는 고정 부재를 포함하며, 반도체심의 일부는 제1 및 제2 피복과 고정 부재로 덮이지 않고 제2 및 제3 전극과 연결되어 있다.
트랜지스터, 나노신호선, 단결정-
公开(公告)号：KR101032949B1
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020040037107
申请日：2004-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133371 , G02F1/133514 , G02F2203/09 , G09G3/3648 , G09G2300/0456 , G09G2320/0673
Abstract: 본 발명은 액정패널과, 상기 액정패널에 빛을 조사하는 백라이트 유닛과, 상기 액정패널의 데이터선에 데이터 전압을 인가하기 위한 데이터 드라이버를 포함하는 반투과 액정표시장치에 관한 것이다. 상기 액정패널은, 상기 백라이트 유닛으로부터의 빛을 투과시키는 투과영역과 외부로부터의 빛을 반사시키는 반사영역이 형성되어 있는 박막트랜지스터 기판과, 상기 반사영역에 대응되는 영역에 단차가 형성되어 있는 컬러필터층을 포함하는 컬러필터 기판과, 상기 박막트랜지스터 기판과 상기 컬러필터 기판의 사이에 위치하며 상기 컬러필터층의 단차에 의해 두께가 변화되는 액정층을 포함한다. 또한 상기 데이터 드라이버는 상기 백라이트 유닛이 온되었을 때의 투과전압모드와 상기 백라이트유닛이 오프되었을 때의 반사전압모드로 나누어서 데이터 전압을 인가하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 컬러필터층을 평탄화시키는 오버코트막을 사용하지 않으면서도 표시품질이 우수한 반투과 액정표시장치가 제공된다.
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公开(公告)号：KR100900542B1
公开(公告)日：2009-06-02
申请号：KR1020020070707
申请日：2002-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133305
Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되어 있으며 복수개로 분리된 게이트 부분과 이들 게이트 부분 사이를 연결하는 게이트 연결부로 이루어지는 게이트 배선, 게이트 배선과 절연되어 교차하는 데이터 배선, 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함한다.
박막트랜지스터기판, 게이트배선, 데이터배선, 절개부Abstract translation: 根据本发明的薄膜晶体管基板包括：绝缘基板;形成在绝缘基板上并由多个栅极部分和连接栅极部分的栅极连接部分组成的栅极布线;与绝缘栅极布线交叉的数据布线; 并且连接到数据线的薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的像素电极。
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公开(公告)号：KR100878264B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020010078396
申请日：2001-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 먼저, 절연 기판 위에 알루미늄 계열의 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극 및 외부로부터 주사 신호를 전달받아 게이트선으로 전달하는 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성한 다음 게이트 전극의 게이트 절연막 상부에 반도체층을 형성한다. 이어, 반도체층 위에 저항성 접촉층을 형성한다. 이어, 저항성 접촉층 또는 게이트 절연막 상부에 몰리브덴-텅스텐 합금을 포함하는 도전체층을 적층하고 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 데이터선과 연결되어 있으며 게이트 전극에 인접하는 소스 전극과 게이트 전극에 대하여 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극 및 외부로부터 영상 신호를 전달받을 데이터선으로 전달하는 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 데이터 배선 및 반도체층 상부에 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극 상부에 제1 접촉 구멍을 형성한다. 이어, 보호막 상부에 제1 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다. 이때, 데이터 배선과 저항성 접촉층 및 반도체층을 연속적으로 건식 식각 방법으로 패터닝한다.
몰리브덴-텅스텐 합금, 플라스마, 접촉특성, 건식식각, 애싱-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100878242B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020020062409
申请日：2002-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F1/1368 , H01L27/0248 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458
Abstract: A gate wire including a gate line and a gate electrode is formed on a substrate and a gate insulating layer is formed on the substrate. A semiconductor pattern and an etching assistant pattern are formed on the gate insulating layer and a source/drain conductor pattern and an etching assistant layer are formed on the semiconductor pattern and the etching assistant pattern. A data wire including a data line and source and drain electrodes separated from each other is formed by removing the etching assistant layer and partly removing the source/drain conductor pattern. A pixel electrode connected to the drain electrodes is formed.
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公开(公告)号：KR100806890B1
公开(公告)日：2008-02-22
申请号：KR1020010036542
申请日：2001-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 제조 공정을 단순화하기 위하여, 화소 전극을 이용한 전착 기술을 사용하여 색 필터를 형성한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판에서는, 기판 위에 게이트선이 형성되어 있고, 게이트선에 절연되게 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선이 형성되어 있다. 화소 영역에는 게이트선 및 데이터선에 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터에 연결되는 화소 전극이 형성되어 있으며, 화소 전극 위에는 색 필터가 전착되어 있다. 이러한 박막 트랜지스터 기판을 제조하기 위하여, 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되는 화소 전극을 형성한 후, 화소 전극 위에 전착 기술을 사용하여 색 필터를 형성한다.
제조 공정 단순화, 전착 기술, 색 필터-
公开(公告)号：KR100774566B1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：KR1020010015668
申请日：2001-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1333
Abstract: 저온에서 박막트랜지스터를 형성하기에 적합하고, 저렴한 액정 표시 장치용 유리 기판과 그 제조 방법이 개시되어 있다. 소다 라임 유리 기판상에 화학 기상 증착 방법을 사용하여 디실록산 모노머를 표면처리하거나, 실세스튀옥산 올리고머를 스핀코팅한 후, 경화하여 표면처리하여 장벽층을 형성한다. 장벽층은 나트륨과 같은 알칼리 성분이 유기 기판 내부로 확산되거나, 산소 또는 물 분자등이 표시 장치 외부로부터의 투과를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100746557B1
公开(公告)日：2007-08-06
申请号：KR1020030063946
申请日：2003-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 내식성이 우수한 알루미늄 배선을 포함하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법이 개시되어 있다. 이는 기판상에 알루미늄막을 형성하고, 이의 상부에 알루미늄 복합 산화물층을 형성하여 얻어진다. 상기한 알루미늄 복합 산화물층은 Zr, W, Cr 및 Mo 중 적어도 하나의 금속 원소를 포함하는 코팅 용액에 알루미늄막이 형성된 기판을 침지시키는 것에 의해 형성가능하다. 단순한 침지 방식에 의해 알루미늄막 상에 방식 특성이 우수한 보호막을 형성할 수 있기 때문에 알루미늄 배선에서 발생하기 쉬운 각종 결함 문제를 예방할 수 있게 된다. 따라서 이러한 알루미늄 배선을 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판에 적용시 우수한 특성을 갖는 제품의 제조가 가능하다.
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公开(公告)号：KR100719104B1
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：KR1020050069542
申请日：2005-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L51/10 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 액정표시장치용 유기 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 액정표시장치용 유기 박막 트랜지스터의 제조방법은 액정표시장치용 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 기판 위에 게이트 도전막 패턴이 형성되는 단계, 기판 및 게이트 도전막 패턴 위에 게이트 절연막이 형성되는 단계, 게이트 절연막 위에 소오스/드레인 전극이 형성되는 단계, 게이트 절연막의 노출 표면 및 소오스/드레인 전극 위에 유기 반도체 박막이 형성되는 단계 및 다이아몬드 라이크 카본 박막(Diamond-Like-Carbon film)이 배향막으로 형성되는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 다이아몬드 라이크 카본 박막을 이용하여 유기 박막 트랜지스터의 보호막과 액정 배향막의 기능을 동시에 구현하므로, 제조공정이 간소화되고, 이로 인해 유기 박막 트랜지스터의 제조시 제조단가가 절감되는 장점이 있다.
보호막, 배향막, 유기 박막 트랜지스터, 다이아몬드 라이크 카본 박막, 액정표시장치
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