公开(公告)号：KR101100875B1

公开(公告)日：2012-01-02

申请号：KR1020030090146

申请日：2003-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최희환 ,  김상갑

IPC: H01L29/786

Abstract: 더욱 상세하게, 본 발명의 실시예에 따른 결정화용 레이저 조사 장치는, 적어도 둘 이상이 나란하게 배열되어 있으며, 레이저빔을 국부적으로 반사시키거나 투과시키는 영역을 정의하는 박막 패턴 가지는 다수의 마스크, 순차적 측면 고상 결정 공정에서 임의의 각으로 레이저빔을 마스크를 향하여 조사하는 광학부, 박막 패턴을 통하여 반사되는 레이저빔이 조사되어 결정화가 이루어지는 비정질 규소 박막이 형성되어 있는 기판을 지지하는 플레이트를 포함한다.
다결정, 마스크, 반사도, 투과율, 레이저빔

公开(公告)号：KR101090257B1

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：KR1020050005306

申请日：2005-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김장수 ,  김수진 ,  한경태 ,  최희환 ,  김주한

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/14692

Abstract: A method of manufacturing a thin film transistor array panel is provided, The method includes: forming a gate line on a substrate; forming a gate insulating layer on the gate line; forming a semiconductor layer on the gate insulating layer; forming a data line and a drain electrode on the semiconductor layer; depositing a passivation layer on the data line and the drain electrode; forming a photoresist including a first portion and a second portion thinner than the first portion on the passivation layer; etching the passivation layer using the photoresist as a mask to expose a portion of the drain electrode at least in part; removing the second portion of the photoresist; depositing a conductive film; and removing the photoresist to form a pixel electrode on the exposed portion of the drain electrode.

公开(公告)号：KR100968571B1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020030038023

申请日：2003-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최희환 ,  김상갑 ,  강성철 ,  송인호

IPC: G02F1/13

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: 본 발명은 플라즈마 챔버에 관한 것으로서 보다 상세하게는 드라이 식각을 위한 CCP 챔버에 관한 것이다. 본 발명은 하판전극과 상판전극을 갖고 드라이식각 모드로 액정표시장치를 식각하는 플라즈마 챔버에 있어서, 소정의 메인주파수를 갖는 메인전원과 제1 임피던스 정합회로를 갖는 메인전원부와, 소정의 바이어스주파수를 갖는 바이어스 전원과 제2 임피던스 정합회로를 갖는 바이어스 전원부와, 상기 제1 임피던스 정합회로와 상기 제2 임피던스 정합회로와 연결되고, 상기 메인전원부와 상기 바이어스 전원부로부터 각각 상기 메인전원과 상기 바이어스 전원을 입력받고, 상기 메인전원과 상기 바이어스 전원을 더한 전원을 상기 하판전극에 공급하는 믹서부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 드라이 식각을 용이하게 제어할 수 있어 식각율, 프로파일 및 선택비 등을 개선시킬 수 있다.
플라즈마 챔버, RIE

公开(公告)号：KR100947525B1

公开(公告)日：2010-03-12

申请号：KR1020030015522

申请日：2003-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  조범석 ,  최희환

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78669 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4908

Abstract: 오믹 콘택 특성이 양호한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법이 개시되어 있다. 상기 박막 트랜지스터 기판은 실리콘을 함유하는 절연막 패턴상에 형성된 Ni-실리사이드층 및 Ni-실리사이드층상에 형성된 금속층을 포함하여 이루어진다. 상기 Ni-실리사이드층 및 금속층의 이중층은 Ni을 약 10∼500Å 두께 범위로 도포하고 그 상부에 Cr, Mo, MoW, Ta, Ti 등과 같은 금속 물질을 도포한 후 약 200∼350℃ 온도에서 열처리 공정을 수행하는 것에 의해 형성된다. 형성된 Ni-실리사이드층은 면저항이 낮아서 소자의 오믹 콘택 특성을 크게 향상시켜 준다. 이러한 Ni-실리사이드층은 박막 트랜지스터 기판의 다양한 배선으로서 적용될 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种具有良好的欧姆接触特性的液晶显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法。 薄膜晶体管基板包括在包含硅的绝缘膜图案上形成的Ni硅化物层和在Ni硅化物层上形成的金属层。 通过施加厚度约为10-500埃的Ni，将金属材料例如Cr，Mo，MoW，Ta，Ti等施加到Ni-硅化物层和金属层的双层上， 。“ 所形成的Ni-硅化物层具有低的薄层电阻，这极大地改善了器件的欧姆接触特性。 该Ni硅化物层可以用作薄膜晶体管基板的各种布线。

公开(公告)号：KR1020060114995A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：KR1020050037250

申请日：2005-05-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  김시열 ,  최희환 ,  오민석 ,  진홍기

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13625 ,  H01L27/1288

Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor substrate is provided to reduce the leakage of current, thereby suppressing afterimage on a display screen, by removing the lower metal layer of a data wiring through dry etching. A gate insulating layer(30), a semiconductor layer, a first data metal layer, a second data metal layer, and a third data metal layer are sequentially deposited on a substrate(10), where a gate line(22) is formed. The third and second data metal layers are selectively etched using a photoresist pattern formed on the third data metal layer. The first data metal layer and the semiconductor layer are selectively etched using the photoresist pattern. Herein, a portion of the photoresist pattern, which corresponds to a channel region of the semiconductor layer, is removed. The third and second data metal layers are etched selectively using the remaining photoresist pattern. The first data metal layer is selectively removed using the remaining photoresist pattern, thereby exposing the channel region of the semiconductor layer.

Abstract translation: 提供一种制造薄膜晶体管基板的方法，通过通过干蚀刻去除数据布线的下金属层，减少电流泄漏，从而抑制显示屏幕上的残影。 栅极绝缘层（30），半导体层，第一数据金属层，第二数据金属层和第三数据金属层被顺序地沉积在形成栅极线（22）的基板（10）上。 使用形成在第三数据金属层上的光致抗蚀剂图案来选择性地蚀刻第三和第二数据金属层。 使用光致抗蚀剂图案选择性地蚀刻第一数据金属层和半导体层。 这里，除去对应于半导体层的沟道区的光致抗蚀剂图案的一部分。 使用剩余的光致抗蚀剂图案选择性地蚀刻第三和第二数据金属层。 使用剩余的光致抗蚀剂图案选择性地去除第一数据金属层，从而暴露半导体层的沟道区。

公开(公告)号：KR1020060098869A

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：KR1020050019198

申请日：2005-03-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최희환 ,  김상갑 ,  오민석 ,  진홍기

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1303 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/67253

Abstract: 식각 종말점을 검출할 수 있는 방법을 제공한다. 식각 종말점 검출 방법은 식각 공정 시 챔버 내에서 발생되는 플라즈마 광세기 데이터와 레퍼런스 데이터를 제공하는 단계, 플라즈마 광세기 데이터와 레퍼런스 데이터를 실시간으로 비교하는 단계, 비교 결과에 따라 다수 개의 식각 공정의 공정 변수 중 적어도 하나의 공정 변수를 변화시킨 후 식각 공정의 챔버 내에서 발생하는 플라즈마 광세기 데이터를 레퍼런스 데이터와 재비교하는 단계를 포함한다.
액정 표시 장치, 플라즈마, 식각, 종말점

公开(公告)号：KR1020060084590A

公开(公告)日：2006-07-25

申请号：KR1020050005306

申请日：2005-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김장수 ,  김수진 ,  한경태 ,  최희환 ,  김주한

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/14692

Abstract: A method of manufacturing a thin film transistor array panel is provided, The method includes: forming a gate line on a substrate; forming a gate insulating layer on the gate line; forming a semiconductor layer on the gate insulating layer; forming a data line and a drain electrode on the semiconductor layer; depositing a passivation layer on the data line and the drain electrode; forming a photoresist including a first portion and a second portion thinner than the first portion on the passivation layer; etching the passivation layer using the photoresist as a mask to expose a portion of the drain electrode at least in part; removing the second portion of the photoresist; depositing a conductive film; and removing the photoresist to form a pixel electrode on the exposed portion of the drain electrode.

Abstract translation: 提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，所述方法包括：在衬底上形成选通线; 在栅极线上形成栅极绝缘层; 在栅极绝缘层上形成半导体层; 在半导体层上形成数据线和漏电极; 在数据线和漏电极上沉积钝化层; 在所述钝化层上形成包括第一部分和比所述第一部分薄的第二部分的光致抗蚀剂; 使用所述光致抗蚀剂作为掩模来蚀刻所述钝化层以至少部分地暴露所述漏电极的一部分; 去除光刻胶的第二部分; 沉积导电膜; 并去除光致抗蚀剂以在漏电极的暴露部分上形成像素电极。

公开(公告)号：KR1020060031386A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：KR1020040080394

申请日：2004-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영욱 ,  오민석 ,  최희환 ,  김상갑

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32568

Abstract: 본 발명에 따른 플라즈마 식각 장치는 챔버, 챔버의 상부에 부착되어 있는 상부 전극, 상부 전극과 대향하며 절연되어 있는 복수개의 소전극으로 이루어지는 하부 전극, 상, 하부 전극에 전압을 인가하기 위한 전력 발생부, 챔버에 식각 기체를 주입하는 유입부, 챔버에 식각 기체를 배기하는 배기부를 포함하고, 이웃하는 소전극의 가장자리는 절연체를 사이에 두고 중첩한다.
건식식각, 균일성, 플라스마, 전극

公开(公告)号：KR1020060017999A

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：KR1020040066314

申请日：2004-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용욱 ,  김상갑 ,  최희환 ,  오민석

IPC: G02F1/13357

CPC classification number: G02F1/133524 ,  G02B6/0018 ,  G02F1/133553 ,  G02F2001/133607

Abstract: 휘도를 증가시키고 제조비용을 감소시킬 수 있는 도광판, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및 표시장치가 개시되어 있다. 도광판은 광 입사면, 광 입사면에 상호 마주보도록 연결된 광 반사면 및 평탄한 광 출사면을 포함한다. 광 반사면은 광 출사면 및 광 반사면이 이루는 두께가 광 입사면으로부터 광 입사면과 대향하는 대향면으로 갈수록 감소되는 곡면 형상을 갖는다. 이와 같이 광 반사면에 의해 광이 광 출사면에 대해 수직하게 반사됨으로써 광의 휘도가 더욱 증가되고 제조비용도 감소된다.

公开(公告)号：KR1020050058823A

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1020030090804

申请日：2003-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최희환 ,  김상갑

IPC: G02F1/13

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 노광 장치는 더욱 상세하게 본 발명의 실시예에 따른 노광 장치는, 일정한 오차 범위의 세기를 가지는 빛을 방출하는 광원, 적어도 둘 이상으로 이루어져 일렬로 배열되어 있으며, 광원에 대하여 임의의 각으로 기울려 배치되어 있고, 패턴으로 형성되어 있는 박막을 통하여 광원의 빛을 국부적으로 반사시키는 다수의 마스크, 마스크의 패턴에 의해 반사된 빛에 의해 국부적으로 노광되는 감광막이 형성된 기판을 지지하는 플레이트를 포함한다.