公开(公告)号：KR101669953B1

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：KR1020100027347

申请日：2010-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  류명관 ,  박경배 ,  이상윤 ,  구본원

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/12 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24975

Abstract: 기판위에산화물전구체용액을적용하는단계및 상기산화물전구체용액을열처리하여비정질또는나노결정의산화물층을형성하는단계를반복적으로수행하는산화물박막의형성방법, 상기방법으로형성된산화물박막및 이를포함하는전자소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020160091309A

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：KR1020160093408

申请日：2016-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 선종백 ,  김현재 ,  류명관 ,  김건희 ,  박경배 ,  신현수 ,  정웅희 ,  안병두 ,  이상윤

IPC: H01B1/08 ,  H01L29/26 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01B1/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: 아연을함유하는제1 화합물, 인듐을함유하는제2 화합물및 마그네슘을함유하는제3 화합물을포함하는산화물박막형성용용액조성물과상기용액조성물로부터형성되며아연, 인듐및 마그네슘을포함하는산화물반도체를포함하는전기소자를제공한다. 또한아연을함유하는제1 화합물, 인듐을함유하는제2 화합물및 하프늄을함유하는제3 화합물을포함하고, 상기아연과상기하프늄의원자수비율이 1:0.01 내지 1:1인산화물박막형성용용액조성물또한제공한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于形成氧化物薄膜的溶液组合物，其可改善电子元件的电性能。 提供了用于形成氧化物薄膜的溶液组合物，其包含含有锌的第一化合物，含铟的第二化合物和含有镁的第三化合物; 以及由所述溶液组合物制成并包含含有锌，铟和镁的氧化物半导体的电元件。 此外，提供了用于形成氧化物薄膜的溶液组合物，其包含含有锌的第一化合物，含铟的第二化合物和含有铪的第三化合物，其中锌和铪的原子比为1:0.01 至1：1。

公开(公告)号：KR1020160025320A

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：KR1020140112424

申请日：2014-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  이계황 ,  이광희 ,  진용완 ,  허철준

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H04N5/374 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14647 ,  H04N9/045

Abstract: 제1 광전변환소자영역, 제2 광전변환소자영역및 상기제1 광전변환소자영역과제2 광전변환소자영역사이에배치되어있는제1색신호저장영역을포함하는기판, 상기기판위의상기제1 광전변환소자영역과상기제2 광전변환소자영역에각각대응하는위치에배치되어있는제2색컬러필터및 제3색컬러필터, 상기제2색컬러필터및 상기제3색컬러필터사이에배치되어있는도전성연결부재, 상기제2색컬러필터, 상기제3색컬러필터및 상기도전성연결부재위에배치되어있는제1색감응광전변환소자를포함하고, 상기도전성연결부재의면적은상기제1색신호저장영역의면적이상인적층형촬상소자.

Abstract translation: 叠层成像装置包括：基板，包括布置在第一光电转换器件区域和第二光电转换器件区域之间的第一光电转换器件区域，第二光电转换器件区域和第一颜色信号存储区域; 第二颜色滤色器和第三彩色滤色器，分别对应于第一光电转换器件区域和第二光电转换器件区域; 布置在第二彩色滤色片和第三彩色滤色片之间的导电连接件; 以及布置在第二彩色滤色器，第三彩色滤色器和导电连接部件上的第一颜色敏感光电转换装置。 导电连接构件的面积等于或大于第一颜色信号存储区域。 堆叠的成像装置可以减少绿色光信号的失真。

公开(公告)号：KR1020160015993A

公开(公告)日：2016-02-15

申请号：KR1020140099084

申请日：2014-08-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  진용완 ,  한문규

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/286

Abstract: 청색파장영역의광을감지하는청색광전소자, 적색파장영역의광을감지하는적색광전소자및 녹색파장영역의광을감지하는녹색광전소자중 적어도하나를포함하는제1 광전소자, 그리고상기제1 광전소자의일면에색 필터의개재없이적층되어있으며적외선영역의광을감지하는제2 광전소자를포함하는이미지센서와전자장치에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种图像传感器和包括该图像传感器的电子设备。 图像传感器包括：第一光电装置，其包括检测蓝色波长范围的蓝色光电装置，检测红色波长范围的光的红色光电装置和检测红色波长范围内的光的绿色光电装置中的至少一种; 绿色波长范围; 以及第二光电装置，其在不插入滤色器的情况下堆叠在第一光电装置的一侧，并且检测红外范围的光。

公开(公告)号：KR1020160011038A

公开(公告)日：2016-01-29

申请号：KR1020140092001

申请日：2014-07-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 야기타다오 ,  사쿠라이리에 ,  박경배 ,  윤성영 ,  이계황 ,  이광희 ,  임동석 ,  불리아드자비에 ,  허철준 ,  진용완

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L51/0094 ,  C07F7/0834 ,  H01L27/301 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/008 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/442 ,  H01L2251/308

Abstract: 서로마주하는제1 전극과제2 전극, 그리고상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하는활성층을포함하고, 상기활성층은하기화학식 1로표현되는제1 화합물을포함하는유기광전소자및 상기유기광전소자를포함하는이미지센서에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R내지 R및 L내지 L는명세서에기재한바와같다.

Abstract translation: 本发明涉及一种有机光电装置，其包括：第一电极和彼此面对的第二电极; 以及置于所述第一电极和所述第二电极之间的有源层，其中所述有源层包括由化学式1表示的第一化合物和包含所述有机光电装置的图像传感器。 在化学式1中，R 1〜R 15和L 1〜L 3与说明书中所述相同。

公开(公告)号：KR1020160009404A

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：KR1020140089914

申请日：2014-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  사토류이치 ,  이계황 ,  이광희 ,  임동석 ,  진용완 ,  야기타다오 ,  허철준

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L25/167 ,  H01L27/30 ,  H01L27/302 ,  H01L33/06 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/008 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/424 ,  H01L51/4246 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/44 ,  H01L51/442 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/549

Abstract: 제1 전극, 상기제1 전극의일면에위치하고제1 p형반도체와제1 n형반도체가이종접합을형성하는흡광층, 상기흡광층의일면에위치하고상기흡광층보다작은반치폭을가지는제2 p형반도체또는제2 n형반도체를포함하는흡광보조층, 상기흡광보조층의일면에위치하는전하보조층, 그리고상기전하보조층의일면에위치하는제2 전극을포함하는유기광전소자및 이미지센서에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及有机光电装置和图像传感器。 光电装置包括：第一电极; 放置在第一电极的一个表面上并由第一p型半导体和第一n型半导体形成异质结的光吸收层; 放置在所述光吸收层的一个表面上的吸光辅助层，并且包括第二p型半导体或具有比所述光吸收层的FWHM小的半高全宽（FWHM）的第二p型半导体或第二n型半导体 光吸收层; 电荷辅助层，放置在吸光辅助层的一个表面上; 以及放置在电荷辅助层的一个表面上的第二电极。

公开(公告)号：KR1020140139668A

公开(公告)日：2014-12-08

申请号：KR1020130059709

申请日：2013-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광희 ,  임동석 ,  김규식 ,  박경배

IPC: H01L51/30 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L51/0072 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/008 ,  H01L51/4253

Abstract: 서로 마주하는 애노드와 캐소드, 그리고 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 활성층을 포함하고, 상기 활성층은 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 화합물, 그리고 화학식 3으로 표현되는 화합물을 포함하는 유기 광전 소자 및 이를 포함하는 이미지 센서에 관한 것이다.
화학식 1 내지 3은 명세서에 기재한 바와 같다.

Abstract translation: 本发明涉及一种有机光电器件，其包括彼此面对的阳极和阴极以及位于阳极和阴极之间的有源层以及包括该阳极和阴极的图像传感器。 活性层包括由化学式1或化学式2表示的化合物和由化学式3表示的化合物。化学式1至化学式3如说明书中所述。

公开(公告)号：KR1020140046596A

公开(公告)日：2014-04-21

申请号：KR1020120111356

申请日：2012-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광희 ,  김규식 ,  박경배 ,  임동석 ,  임선정

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/008 ,  H01L51/0069 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/4253

Abstract: The present invention relates to an organic photoelectric device comprising anode and cathode facing each other, and an activating layer located between the anode and the cathode, and having the activating layer comprising a compound represented by chemical formula 1 and a compound represented chemical formula 2, and an image sensor comprising the organic photoelectric device. The chemical formula 1 and the chemical formula 2 are described in the specification.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括阳极和阴极彼此面对的有机光电器件，以及位于阳极和阴极之间的激活层，并且具有由化学式1表示的化合物和化学式2表示的化合物的活化层， 以及包含有机光电装置的图像传感器。 化学式1和化学式2在说明书中描述。

公开(公告)号：KR101375834B1

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：KR1020070118827

申请日：2007-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  윤선미 ,  이상윤 ,  최재영 ,  신현진 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/66765 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/778

Abstract: 다결정 실리콘 박막 및 이를 적용하는 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 다결정 실리콘 박막의 제조방법은 기판 상에 비정질 실리콘으로 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층에 금 나노로드를 도포하는 단계; 상기 금 나노로드에 적외선 영역의 광을 조사하여 상기 활성층을 결정화 시키는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR101345378B1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020070048310

申请日：2007-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  김준성 ,  이상윤 ,  황억채 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는채널층에플라즈마에대해 ZnO에비해높은분자결합력을갖는 ZnCl 성분이포함된다. ZnCl 성분은채널층 전체뿐 아니라채널의표면가까운영역에형성된다. ZnCl 은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다. ZnCl 성분은채널층 재료에포함되어채널층 전체에분포될수 도있고, 또는채널층 패터닝시플라즈마가스에 Cl 성분을포함시켜채널층 에칭과정에서채널층의표면영역에함유될수 있다.

Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括ZnCl组分，该组分对沟道层中的ZnO与等离子体具有高分子结合力。 ZnCl组分不仅形成在整个沟道层上，而且形成在沟道表面附近。 ZnCl 2抗等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。 ZnCl组分可以被包括在沟道层材料中并且遍布沟道层分布，或者可以在沟道层刻蚀工艺期间通过在沟道层图案化期间将Cl组分包括在等离子体气体中而包含在沟道层的表面区域中。