公开(公告)号：KR1020080025539A

公开(公告)日：2008-03-21

申请号：KR1020060090147

申请日：2006-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김경엽 ,  김종만 ,  권장연 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1214

Abstract: A method for manufacturing a lateral crystallized semiconductor layer and a method for manufacturing a thin film transistor using the same are provided to enhance the performance of a semiconductor device by implementing a lateral grain structure at the lateral crystallized semiconductor layer. A semiconductor layer is formed on a substrate(10). Laser beam is irradiated on the semiconductor layer. The irradiated laser beam is divided using a prism sheet(110) having plural prism arrays. The divided laser beams through the prism sheet are irradiated to the semiconductor layer. First and second regions(12a,12b), which are irradiated or not irradiated by the laser beams, are alternately formed on the semiconductor layer and then the first region are completely melted. The lateral crystallization of the first region is induced using the second region as seed.

Abstract translation: 提供一种制造横向结晶化半导体层的方法和使用其制造薄膜晶体管的方法，以通过在横向晶化半导体层处实施横向晶粒结构来提高半导体器件的性能。 在衬底（10）上形成半导体层。 激光束照射在半导体层上。 照射的激光束使用具有多个棱镜阵列的棱镜片（110）进行分割。 通过棱镜片的分割的激光束照射到半导体层。 在半导体层上交替地形成被激光束照射或不被照射的第一和第二区域（12a，12b），然后第一区域被完全熔化。 使用第二区域作为种子诱导第一区域的横向结晶。

公开(公告)号：KR1020070071967A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：KR1020050135844

申请日：2005-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김종만 ,  권장연 ,  정지심 ,  타카시노구치 ,  이창수

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/268

Abstract: A method for fabricating a polycrystalline silicon film is provided to form polycrystalline silicon of a good quality by changing the irradiation method of a laser beam without an additional process. An amorphous silicon layer is formed on a substrate. Local unit heat processing regions generated by a laser beam are formed at regular intervals of a predetermined pitch on a crystallization target region of the amorphous silicon layer so that an annealing process is performed on the crystallization target region. In the annealing process, the pitch as a transfer interval of the laser beam is smaller than the width of the laser beam so that the mutually adjacent unit heat processing regions overlap each other. The laser beam can be transferred in a first direction and a second direction vertical to the first direction with respect to the crystallization target surface of the amorphous silicon.

Abstract translation: 提供一种制造多晶硅膜的方法，通过改变激光束的照射方法而不需要额外的工艺来形成质量好的多晶硅。 在基板上形成非晶硅层。 在非晶硅层的结晶化靶区域上以规定间隔的规则间隔形成由激光束产生的局部单位热处理区域，从而对结晶化对象区域进行退火处理。 在退火处理中，作为激光束的转印间隔的间距小于激光束的宽度，使得相互相邻的单位热处理区域彼此重叠。 可以相对于非晶硅的结晶化靶表面沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向转移激光束。

公开(公告)号：KR1020060132400A

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：KR1020050052725

申请日：2005-06-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  김도영 ,  김종만 ,  권장연 ,  타카시노구치

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/66757

Abstract: A silicon TFT and its manufacturing method are provided to improve the performance of operation by preventing the warpage of a substrate using a buffer layer. A plastic substrate(10) has a first surface and a second surface. First and second buffer layers(11a,11b) are formed on the first and the second surfaces of the substrate, respectively. A silicon channel is formed on the first buffer layer. A gate insulating layer(13) is formed on the silicon channel. A gate(14) is formed on the gate insulating layer. The silicon channel is made of polycrystalline silicon. The thicknesses of the first and the second buffer layers are in a predetermined range of 4000 angstrom or more.

Abstract translation: 提供一种硅TFT及其制造方法，以通过防止使用缓冲层的衬底的翘曲来提高操作性能。 塑料基板（10）具有第一表面和第二表面。 分别在基板的第一和第二表面上形成第一和第二缓冲层（11a，11b）。 硅通道形成在第一缓冲层上。 栅极绝缘层（13）形成在硅沟道上。 栅极（14）形成在栅极绝缘层上。 硅通道由多晶硅制成。 第一缓冲层和第二缓冲层的厚度在4000埃以上的预定范围内。

公开(公告)号：KR1020060031753A

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：KR1020040080730

申请日：2004-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임혁 ,  타카시노구치 ,  김도영 ,  정지심 ,  권장연 ,  조세영 ,  박경배

IPC: H01L21/32 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/168 ,  H01L21/6838

Abstract: 포토레지스트 베이킹 장치 및 이를 이용한 베이킹 방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 제 1 면에 포토레지스트층이 형성된 기판이 장착되는 기판장착부, 상기 기판의 제 2 면으로 공기를 공급하는 팬부 및 상기 팬부와 기판장착부 사이에 배치되어 상기 기판으로 유동하는 공기를 가열하는 히팅부를 구비하여, 상기 포토레지스트층의 저면에서부터 베이킹이 진행되도록 하는 베이킹 장치 및 이를 이용한 베이킹 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 포토레지스트층이 형성된 기판이 그 상면에 장착되는 것으로 하나 이상의 관통공이 마련된 플레이트, 상기 플레이트의 저면에서 상기 관통공과 연결되는 것으로 상기 기판을 상기 플레이트에 진공흡착시키는 흡입배기부 및 상기 플레이트를 가열하는 히팅부를 구비하는 베이킹 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020050099062A

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：KR1020040024010

申请日：2004-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  타카시노구치 ,  조세영 ,  김도영 ,  박경배

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 전자소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 전자 소자는, 플라스틱 기판과, 상기 기판 상에 적층된 투명한 열전도막과, 상기 열전도막 상에 적층된 폴리 실리콘막과, 상기 폴리 실리콘막 상에 형성된 기능 소자를 구비한다. 상기 기능 소자는, 트랜지스터, 발광소자, 메모리 소자 중 어느 하나이며, 상기 기능 소자는, 상기 폴리 실리콘막 상에 적층된 게이트 적층물을 구비하는 박막 트랜지스터일 수 있다.

公开(公告)号：KR101475411B1

公开(公告)日：2014-12-22

申请号：KR1020080068664

申请日：2008-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  박경배 ,  이상윤 ,  권장연 ,  유병욱 ,  김태상 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78624 ,  H01L29/66765

Abstract: 폴리실리콘박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는폴리실리콘(poly-Si)으로이루어진활성층상에저농도로도핑된제1 폴리실리콘층및 이제1 폴리실리콘층과같거나고농도로도핑된제2 폴리실리콘층이순차적으로형성된구조를가지며, 제1 폴리실리콘층의내측단부에는누설전류를줄일수 있는 LDD(lightly doped drain) 영역이형성된다.

公开(公告)号：KR101472798B1

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：KR1020080019304

申请日：2008-02-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  이상윤 ,  이제훈 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/136

Abstract: ZnO 계박막트랜지스터의제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터의제조방법은소스/드레인전극을 1회또는 2회의습식에칭에의해패터닝한다. 또한채널층에는플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 SnO, 불화물, 염화물등을함유시킨다. 습식채널에의해채널층의손상, 특히산소결핍등의문제가나타나지않으며, 특히강한결합력의물질이채널층에분포되어있으므로패시베이션층 형성시채널층의손상이억제된다.

公开(公告)号：KR101375831B1

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：KR1020070124382

申请日：2007-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  정지심

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F2203/01

Abstract: 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 장치가 개시된다. 개시된 디스플레이 장치는, 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 및 적어도 하나의 스토리지 캐퍼시터;를 구비하고, 상기 스토리지 캐퍼시터는, 투명한 산화물 반도체로 이루어진 스토리지 전극과, 이 스토리지 전극과 일정 간격으로 두고 대향되게 배치되는 화소 전극을 포함한다.

公开(公告)号：KR101345376B1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020070052226

申请日：2007-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는복수의반도체층을가지는채널층을포함하며, 최상위의반도체층은플라즈마에의한산소결핍을억제하기위하여하부반도체층에비해낮은 ZnO 농도를가진다. 이에더하여플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 Sn 산화물, 염화물, 불화물등을포함한다. 최상위 반도체층은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다.

Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括具有多个半导体层的沟道层，并且为了抑制由等离子体造成的氧缺陷，最上面的半导体层具有比下面的半导体层低的ZnO浓度。 此外，它还包括Sn氧化物，氯化物，氟化物等，它们对等离子体相对稳定并且具有强结合力。 最上面的半导体层耐等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。

公开(公告)号：KR101334182B1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：KR1020070051560

申请日：2007-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법에 관해 개시된다. ZnO 계 박막 트랜지스터는 채널 층의 산소함량에 매우 민감한 특성 변화를 보인다. 바텀 게이트 방식의 박막 트랜지스터의 제조에서 불가피한 채널 층의 손상과 이에 따른 깊은 음의 문턱 전압을 보상시키기 위하여 불안정한 상태의 산소를 다량 함유하는 저온 패시베이션 층이나 식각 저지층 등의 산화물 층을 이용하여 열처리(annealing)시 산화물 층과 채널 층과의 계면 반응에 의해 캐리어의 농도를 감소시킨다.