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41.发明公开강유전막을 포함하는 기록매체, 이를 포함하는 비휘발성메모리 소자, 이러한 메모리 소자의 데이터 기록 및재생방법 失效记录介质包括电磁膜，包括记录介质的非易失性存储元件，以及记录元件的数据记录/再现方法，特别是在防止记录介质的磨损时快速读取数据
公开(公告)号：KR1020050022243A
公开(公告)日：2005-03-07
申请号：KR1020040002925
申请日：2004-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
Abstract: PURPOSE: A recording medium including a ferroelectric film, a nonvolatile memory element including the recording medium, and a data recording/reproducing method of the memory element are provided to comprise a semiconductor layer and a lower electrode based on a ferroelectric film, and to comprise a barrier layer between the semiconductor layer and the ferroelectric film, thereby preventing abrasion of the ferroelectric film. CONSTITUTION: A lower electrode(10) is applied with a predetermined voltage. A ferroelectric film(12) records data. The first semiconductor layer(16) is applied with a predetermined voltage. A barrier layer(14) is disposed between the ferroelectric film(12) and the first semiconductor layer(16). The barrier layer(14) prevents a reaction of the first semiconductor layer(16) and the ferroelectric film(12), and functions as a gate oxide film.
Abstract translation: 目的：提供包括强电介质膜，包括记录介质的非易失性存储元件和存储元件的数据记录/再现方法的记录介质，包括基于铁电体膜的半导体层和下电极，并且包括 在半导体层和铁电体膜之间形成阻挡层，从而防止铁电体膜的磨损。 构成：向下电极（10）施加预定电压。 铁电薄膜（12）记录数据。 第一半导体层（16）被施加预定电压。 阻挡层（14）设置在铁电体膜（12）和第一半导体层（16）之间。 阻挡层（14）防止第一半导体层（16）和铁电体膜（12）的反应，并且起到栅极氧化膜的作用。
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公开(公告)号：KR1020040100265A
公开(公告)日：2004-12-02
申请号：KR1020030032555
申请日：2003-05-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01B21/30
CPC classification number: G11B9/1454 , B82Y10/00 , G11B9/1481
Abstract: PURPOSE: A position detection system of a memory apparatus by using a probe and a method thereof are provided to detect the accurate position of data bit, and to compensate the error of servo code easily by detecting the absolute position with scanning probe microscopy. CONSTITUTION: A recording medium(10) is composed of N*M data fields and H servo fields. A data field is composed of n*m data bit, and a servo field is composed of n*m servo bit. A probe array(PA) is formed on the recording medium, and composed of N*M data probes for recording or playing data bit by scanning the data field, and H servo probes for detecting the servo bit by scanning the servo field. The recording medium is placed on a stage(S), and the stage is connected to a scanner(13). The scanner is driven according to the signal from a control unit(15), and the probe array is connected to the scanner and driven by the control unit.
Abstract translation: 目的：提供使用探针的存储装置的位置检测系统及其方法，以检测数据位的准确位置，并通过用扫描探针显微镜检测绝对位置来容易地补偿伺服代码的误差。 构成：记录介质（10）由N * M个数据场和H个伺服场组成。 数据字段由n * m数据位组成，伺服字段由n * m伺服位组成。 在记录介质上形成探针阵列（PA），由用于通过扫描数据场记录或播放数据位的N * M个数据探头组成，以及通过扫描伺服场来检测伺服位的H伺服探头。 记录介质被放置在台（S）上，并且台与扫描仪（13）连接。 扫描仪根据来自控制单元（15）的信号进行驱动，探头阵列连接到扫描仪并由控制单元驱动。
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公开(公告)号：KR101320520B1
公开(公告)日：2013-10-22
申请号：KR1020060108834
申请日：2006-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/349
CPC classification number: H04N5/349
Abstract: 본 발명은 이미지 센서의 위치에 따른 이미지 정보의 교차 상관의 분포 특성을 이용한 이미지 센서 위치 보정 방법 및 장치 그리고 이미지 센서 위치 검출 방법에 관한 것이다. 본 발명의 이미지 센서 위치 보정 방법은 이미지 센서의 위치에 따른 이미지 정보의 교차 상관값을 구하고, 상기 교차 상관값이 소정의 대칭성을 갖는지 여부에 대한 판단을 통해 이미지 센서의 단위 픽셀 이동을 위한 구동 전원을 검출하고, 상기 검출된 구동 전원값을 이용하여 이미지 센서의 위치를 조절하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 고가의 장비인 위치 센서를 별도로 구비하지 않고도 이미지 센서의 위치를 간략화된 방법으로 이미지 센서의 위치를 서브 픽셀 단위로 보정, 검출할 수 있으며, 위치 센싱의 정확성도 향상시킬 수 있다.
이미지 센서, 위치 보정, 위치 검출, 교차 상관, CIS-
公开(公告)号：KR101196795B1
公开(公告)日：2012-11-05
申请号：KR1020070101667
申请日：2007-10-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R33/00
CPC classification number: G11B9/02 , B82Y10/00 , G11B9/1409
Abstract: 개시된 전기장 센서는 전기장 센서는, 최상층에 불순물이 고농도로 도핑된 저저항 반도체층이 마련된 기판과, 저저항 반도체층 위의 일부 영역에 위치되며 불순물이 저농도로 도핑된 고저항 반도체층과, 고저항 반도체층 위에 위치되는 도전층을 포함하여, 저저항 반도체층, 고저항 반도체층, 및 도전층을 통하여 흐르는 전류의 변화에 의하여 전기장의 변화를 검출한다.
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45.发明授权
公开(公告)号：KR100909962B1
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：KR1020060107484
申请日：2006-11-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: Provided is an electric field information reading head for reading information from a surface electric charge of an information storage medium, the electric field information reading head comprising a semiconductor substrate having a resistance region formed in a central part at one end of a surface facing a recording medium, the resistance region being lightly doped with impurities, and source and drain regions formed on both sides of the resistance region, the source region and the drain region being more highly doped with impurities than the resistance region. The source region and the drain region extend along the surface of the semiconductor substrate facing the recording medium, and electrodes are connected electrically with the source region and the drain region respectively. In addition, provided is a method of fabricating the electric field information reading head and a method of mass-producing the electric field information reading head on a wafer.
Abstract translation: 提供一种用于从信息存储介质的表面电荷读取信息的电场信息读取头，该电场信息读取头包括半导体衬底，该半导体衬底具有形成在面对记录的表面的一端的中心部分中的电阻区域 所述电阻区域轻掺杂杂质，并且在所述电阻区域的两侧形成源极区域和漏极区域，所述源极区域和所述漏极区域比所述电阻区域更高掺杂杂质。 源极区域和漏极区域沿着半导体衬底的面向记录介质的表面延伸，并且电极分别与源极区域和漏极区域电连接。 另外，提供了一种制造电场信息读取头的方法和一种在晶片上批量生产电场信息读取头的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100905716B1
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070046201
申请日：2007-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B5/02
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: 본 발명의 전계기록재생장치의 구동방법은, 소오스 영역과 드레인 영역 사이에 위치되는 저항 영역과 이 저항영역 상에 위치되는 쓰기 전극을 구비하는 전계기록재생헤드를 채용한 전계기록재생장치의 구동방법으로서, 쓰기 전극에 기록매체에 분극을 유발하는 임계전압보다 낮은 조정전압을 인가하고, 기록매체 상의 전기 도메인의 분극방향에 따라 저항 영역을 통하여 흐르는 전류량의 변화에 기초하여 기록매체에 기록된 정보를 재생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100905713B1
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070012369
申请日：2007-02-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B5/7325 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B9/02 , G11B9/08 , G11B9/1472
Abstract: 나노결정을 이용한 정보저장매체 및 그 제조방법과, 정보저장장치가 개시된다. 개시된 정보저장매체는 도전층; 도전층 상에 형성되는 하부 절연층; 하부 절연층 상에 형성되는 것으로, 전하를 트랩(trap)할 수 있는 도전성의 나노결정들(nanocrystals)을 포함하는 나노결정층(nanocrystal layer); 및 나노결정층 상에 형성되는 상부 절연층;을 포함한다.
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公开(公告)号：KR100859587B1
公开(公告)日：2008-09-23
申请号：KR1020070022553
申请日：2007-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: G11B9/02 , Y10T428/26 , Y10T428/31504
Abstract: 본 발명은 강유전체 기록매체 및 그의 제조 방법과 이를 이용한 정보저장장치에 관한 것으로, 기판상에 하부전극 층을 형성하는 단계와; 상기 하부전극 층 상에 절연체 층을 형성하는 단계; 및 상기 절연체 층 상에 데이터를 기록하는 강유전체 층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 절연체 층은 0.5 내지 50nm의 두께로 형성함으로써, 하부전극과 강유전체층 사이에 절연층을 형성하여 고전압에서 절연 파괴가 일어나지 않도록 하였다.
강유전체, 강유전막, 하부전극, 절연체, 절연 파괴, 브레이크다운(breakdown)-
公开(公告)号：KR100851982B1
公开(公告)日：2008-08-12
申请号：KR1020070018521
申请日：2007-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105 , B82Y10/00
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: A ferroelectric information storage media and a method for manufacturing the same are provided to enhance magnetic information characteristics by reducing stress within a nano-dot crystal. A ferroelectric information storage media includes a substrate(10), a lower electrode(20) formed on the substrate, and a plurality of ferroelectric nano-dots(32) formed on the lower electrode. The ferroelectric nano-dots are isolated from each other to form one bit region. A size of each of the ferroelectric nano-dots is less than 15 nm. A ferroelectric nano-dots layer including the ferroelectric nano-dots is formed on the lower electrode. The ferroelectric nano-dots are made of one of ferroelectric materials including PbTiO3, KNbO3, and BiFeO3.
Abstract translation: 提供铁电信息存储介质及其制造方法，以通过减小纳米点晶体内的应力来增强磁信息特性。 铁电信息存储介质包括基板（10），形成在基板上的下电极（20）和形成在下电极上的多个铁电纳米点（32）。 铁电纳米点彼此隔离以形成一个位区域。 每个铁电纳米点的尺寸小于15nm。 在下电极上形成包含铁电纳米点的铁电纳米点层。 铁电纳米点由包括PbTiO 3，KNbO 3和BiFeO 3的铁电材料之一制成。
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公开(公告)号：KR100842890B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020070008059
申请日：2007-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: A bit recording method in ferroelectric media using a probe or conductive structure is provided to apply base bias voltage between switching voltages so as to prevent changes in potential and record a small bit. A bit recording method in ferroelectric media comprises the steps of: contacting a probe with the surface of a recording medium and applying switching voltages to the recording medium and the probe for recording bits; and equalizing the potential of the probe and the potential of the recording medium surface to prevent a potential distortion by applying base bias voltage between the switching voltages, where the base bias voltage is a voltage between the negative switch voltage and the ground voltage when recording '0' bit, and a voltage between the ground voltage and the positive switching voltage when recording '1' bit.
Abstract translation: 提供使用探针或导电结构的铁电介质中的位记录方法，以在切换电压之间施加基极偏置电压，以便防止电位变化并记录小位。 在铁电介质中的位记录方法包括以下步骤：将探针与记录介质的表面接触并向记录介质和探针施加开关电压以记录位; 并且通过在开关电压之间施加基极偏置电压来平衡探针的电位和记录介质表面的电位以防止电位失真，其中基极偏置电压是记录“负极”时的负开关电压和接地电压之间的电压 0'位，当记录“1”位时，接地电压与正切换电压之间的电压。
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