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公开(公告)号：KR1020010026495A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990037847
申请日：1999-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105
Abstract: PURPOSE: A ferroelectric random access memory device and a fabrication method thereof are provided to stabilize an encapsulating barrier layer formed of a metallic oxide. CONSTITUTION: In the ferroelectric memory device, a gate insulating layer(102) and a gate electrode(104) are formed on a semiconductor substrate(100), and a source and a drain regions(106,107) are formed in the substrate(100). An interlayer dielectric layer(108) is then formed on a resultant structure and patterned to form a contact hole exposing the source or the drain region(106,107). After a contact plug(110) is formed in the contact hole, a lower electrode(112) is formed over a resultant structure. Then, a ferroelectric layer(114) and an upper electrode(116) are sequentially formed thereon. The lower and the upper electrodes(112,116) and the ferroelectric layer(114) are patterned to form a capacitor cell unit. Thereafter, the encapsulating barrier layer(118) is formed of the metallic oxide on a resultant structure and then treated with plasma(120) using oxygen or hydrogen gas to enhance an insulating property thereof. Therefore, the encapsulating barrier layer(118) is stabilized.
Abstract translation: 目的：提供铁电随机存取存储器件及其制造方法，以稳定由金属氧化物形成的封装阻挡层。 构成：在铁电存储器件中，在半导体衬底（100）上形成栅极绝缘层（102）和栅电极（104），在衬底（100）中形成源区和漏区（106,107） 。 然后在所得结构上形成层间电介质层（108）并图案化以形成暴露源区或漏区（106,107）的接触孔。 在接触孔中形成接触插塞（110）之后，在所得到的结构上形成下电极（112）。 然后，依次形成铁电体层（114）和上部电极（116）。 下电极和上电极（112,116）和铁电层（114）被图案化以形成电容器单元单元。 此后，封装阻挡层（118）由所得结构上的金属氧化物形成，然后使用氧气或氢气用等离子体（120）处理以增强其绝缘性能。 因此，封装阻挡层（118）稳定。
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公开(公告)号：KR1020000007792A
公开(公告)日：2000-02-07
申请号：KR1019980027305
申请日：1998-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/31111 , H01L21/31691
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a PZT thin film is provided to exactly remove only damaged surface of the PZT thin film by slowing an etching speed depend on concentration of HF solution. CONSTITUTION: The method comprises the step of etching a surface of a PZT thin film(2) by dipping the PZT thin film(2) into an etching solution composed of BOE(buffered oxide etchant) such as HF and acetic acid. The acetic acid used for removing Pb components and the HF used for removing Ti and Zr components. To be slow etching speed (that is, increasing cleaning effect instead of etching effect), the etching solution further comprises an alcohol. The alcohol is a member selected from the group consisting of methanol, ethanol or propanol.
Abstract translation: 目的：提供一种清洁PZT薄膜的方法，通过减慢取决于HF溶液浓度的蚀刻速度来精确地除去PZT薄膜的损伤表面。 构成：该方法包括通过将PZT薄膜（2）浸入由BOE（缓冲氧化物蚀刻剂）如HF和乙酸组成的蚀刻溶液中来蚀刻PZT薄膜（2）的表面的步骤。 用于除去铅组分的乙酸和用于除去Ti和Zr组分的HF。 为了缓慢蚀刻速度（即，增加清洁效果而不是蚀刻效果），蚀刻溶液还包含醇。 醇是选自甲醇，乙醇或丙醇的成员。
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公开(公告)号：KR1019980057626A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960076925
申请日：1996-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김창정
IPC: H01L27/115
Abstract: 본 발명은 전기적 특성이 개선된 PZT 박막 캐패시터의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 PZT 박막의 제조 방법은 씨앗층과 급속 어닐링(RTA) 공정에 의한 2단 공정을 도입함으로써 포화분극, 잔류분극, 잔류분극량의 증가 및 스윗칭 전압의 강하를 가져와 한층 더 메모리 소자로서의 특성이 증가되도록 한다. 또한 이와같이 RTA 공정으로 만들어진 박막은 입자가 매우 미세하며 기판 전체에 걸쳐골고루 작은 입자들로 구성되어 있어 균일한 박막의 전기적 특성을 나타낼 뿐 만 아니라 열처리 시간을 단축시킬 수 있으며, 이와 같은 짧은 열처리 공정은 장기간의 열처리시 우려가되는 Pb성분과 Si과의 상호 반응 가능성도 줄일 수 있는 장점이 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101842259B1
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：KR1020110096371
申请日：2011-09-23
IPC: A61B6/12 , H01L27/148
Abstract: 고품질의이미지를얻을수 있는이미지센서를개시한다. 이를위해본 발명은, 검출부에서검출된전하들을증폭시키며, 입력단자, 증폭단자, 및출력단자를포함하는전하검출증폭기를포함하고, 전하검출증폭기는, 입력단자와증폭단자사이에연결된제1 커패시터, 입력단자와증폭단자사이에연결된제1 스위칭유닛, 증폭단자와출력단자사이에연결된제2 커패시터, 및출력단자와기준전압단자사이에연결된제2 스위칭유닛을포함하는것을특징으로하는이미지센서를제공한다.
Abstract translation: 公开了一种能够获得高质量图像的图像传感器。 本发明实现这一点，放大由检测器，输入端，放大器端子和充电检测放大器，包括输出级，和电荷检测放大器，连接在输入端子和放大端之间的第一电容器检测到的电荷， 提供一种图像传感器，其包括第二电容器和连接在输出端和连接在所述第一开关单元，所述放大器和终端连接在输入端和放大端之间的输出端子之间的参考电压端之间的第二开关单元 的。
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公开(公告)号：KR101810608B1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：KR1020110060797
申请日：2011-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/14609 , G06F3/042 , G06F2203/04103
Abstract: 광센싱화소내의광센서트랜지스터와스위치트랜지스터가산화물반도체트랜지스터로이루어지는광센싱장치및 상기광센싱장치의동작신뢰성을향상시킬수 있는구동방법, 그리고상기광센싱장치를포함하는광터치스크린장치가개시된다. 개시된광센싱장치에따르면, 광센싱화소내의광센서트랜지스터와스위치트랜지스터는하나의기판위에서인접하여형성되며, 스위치트랜지스터는상대적으로광에민감하지않고안정적인채널재료를포함하며, 광센서트랜지스터는상대적으로광에민감한채널재료를포함한다. 광센서트랜지스터는또한채널의상부에투명한상부전극을가지며, 상부전극에는음의전압이인가되어문턱전압의음 방향시프트를방지할수 있다.
Abstract translation: 光传感器晶体管的光学触摸屏设备和所述光感测像素，包括所述光感测装置和从而可以提高操作可靠性的驱动方法，和氧化物半导体晶体管构成的光感测装置的光感测设备的开关晶体管进行说明。 根据所公开的光学感测装置，光学感测像素中的光电传感器晶体管和开关晶体管在一个衬底上彼此相邻地形成，开关晶体管相对不敏感并且包括稳定的沟道材料， 并包括一个光敏通道材料。 光电传感器晶体管在沟道顶部也具有透明的顶部电极，并且向顶部电极施加负电压以防止阈值电压的负偏移。
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48.发明授权
公开(公告)号：KR101744757B1
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：KR1020100059108
申请日：2010-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 본발명은반도체장치의동작방법을개시하는데, 가변저항소자를포함하는반도체장치의동작방법은, 가변저항소자에리셋펄스를인가하여가변저항소자를제1 저항상태에서제2 저항상태로변화시킴으로써반도체장치에제1 데이터를기입하고, 가변저항소자에셋 펄스를인가하여가변저항소자를제2 저항상태에서제1 저항상태로변화시킴으로써반도체장치에제2 데이터를기입하며, 리셋펄스의크기는셋 펄스의크기보다크고, 제2 저항상태는제1 저항상태보다저항이크다.
Abstract translation: 通过本发明，在包括用于启动半导体装置的操作方法的可变电阻元件的半导体器件的操作方法的变化，通过从第一电阻状态，将复位脉冲施加到可变电阻元件的可变电阻元件的第二电阻状态 通过将第一数据写入半导体器件并通过施加可变电阻元件复位脉冲将可变电阻元件从第二电阻状态改变为第一电阻状态，将第二数据写入半导体器件， 脉冲，并且第二电阻状态的电阻比第一电阻状态大。
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公开(公告)号：KR101672343B1
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020090122539
申请日：2009-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/0386
Abstract: 광민감성투명산화물트랜지스터를이용한광터치패널및 그구동방법을개시한다. 개시된광터치패널은디스플레이장치의화소내에일체로배열된다수의광센싱영역및 그구동회로를구비할수 있다. 또는, 개시된광터치패널은디스플레이장치의화소와별도로제작되어, 디스플레이장치의표면에부착될수도있다. 개시된광터치패널에따르면, 광민감성투명산화물트랜지스터로광센싱영역을구성함으로써, 레이저등과같은간단한광원장치를이용하여대형디스플레이장치를손쉽게제어할수 있다.
Abstract translation: 光学触摸面板可以包括多个感光区域。 多个感光区域可以与显示面板中的像素一体地形成，或者可以形成在显示面板上，以便感测来自光学触摸面板外部的入射光。 驱动光学触摸面板的方法可以包括在两个时间点之间感测多个光感测区域的输出的变化，并且当输出的变化大于或等于第一时间点时确定存在光学输入 提前定义的参考值。 光感测区域可以与显示面板中的像素一体地形成或形成在显示面板的表面上，用于感测来自光学触摸面板外部的入射光。
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公开(公告)号：KR101658037B1
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020100111121
申请日：2010-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251
Abstract: 능동형디스플레이구동방법이개시된다. 개시된능동형디스플레이장치의구동방법은, 각화소를충전하기이전에상기화소에연결된스위칭트랜지스터에음의바이어스전압을인가하여상기스위칭트랜지스터의문턱전압을회복시키는단계를포함한다. 상기음의바이어스전압은상기스위칭트랜지스터의드레인전극에인가된다.
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