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公开(公告)号：KR101658037B1
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020100111121
申请日：2010-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251
Abstract: 능동형디스플레이구동방법이개시된다. 개시된능동형디스플레이장치의구동방법은, 각화소를충전하기이전에상기화소에연결된스위칭트랜지스터에음의바이어스전압을인가하여상기스위칭트랜지스터의문턱전압을회복시키는단계를포함한다. 상기음의바이어스전압은상기스위칭트랜지스터의드레인전극에인가된다.
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公开(公告)号：KR1020120049720A
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：KR1020100111121
申请日：2010-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G3/30 , G09G3/32
Abstract: PURPOSE: A driving method of an active type display device is provided to recover threshold voltage of a thin film transistor by applying negative bias voltage to a drain electrode of a switching transistor. CONSTITUTION: A switching transistor is connected to a pixel. Negative bias voltage is applied to the switching transistor. The negative bias voltage is applied before charging each pixel. Threshold voltage of the switching transistor is recovered. The negative bias voltage is applied to a drain electrode of the switching transistor.
Abstract translation: 目的：提供一种有源型显示装置的驱动方法，通过向开关晶体管的漏极施加负偏置电压来恢复薄膜晶体管的阈值电压。 构成：开关晶体管连接到像素。 负偏置电压施加到开关晶体管。 在对每个像素充电之前施加负偏压。 恢复开关晶体管的阈值电压。 负偏压施加到开关晶体管的漏电极。
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公开(公告)号：KR102240830B1
公开(公告)日：2021-04-19
申请号：KR1020140049450
申请日：2014-04-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F21/30
Abstract: 본발명은데이터프로세싱시스템에관한것이다. 본발명의데이터프로세싱시스템은, 메모리, 중앙처리부, 그리고키 관리자를포함한다. 키관리자는, 커맨드를저장하는제1 레지스터, 사용자설정값을저장하는제2 레지스터, 고유값을출력하는고유값저장부, 그리고커맨드에응답하여, 사용자설정값 및고유값을이용하여키를생성하는메인컨트롤러로구성된다. 고유값은키 관리자의외부로출력되지않고키 관리자의내부에서만사용된다. 키관리자는, 동일한사용자설정값들을이용하여동일한키들을생성하고, 서로다른사용자설정값들을이용하여서로다른키들을생성한다.
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公开(公告)号：KR101636906B1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：KR1020090131298
申请日：2009-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 디스플레이장치의전력소비를감소시킬수 있는게이트구동장치및 게이트구동방법이개시된다. 개시된게이트구동장치및 게이트구동방법은, 이전의화소행을선택한후에다음의화소행을선택하는동안, 이전의화소행으로부터방전되는전류를다음의화소행에제공한다. 따라서, 이전의화소행에서버려지는전류를다음의화소행에서재활용할수 있으며, 각각의화소행을선택하기위하여필요한전류를감소시킬수 있다. 그결과, 개시된게이트구동장치및 게이트구동방법을채용한디스플레이장치는소비전력이전반적으로감소할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160060505A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：KR1020140162952
申请日：2014-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01T1/247
Abstract: 새로운광계수검출장치및 새로운광계수검출장치를적용한방사선촬영장치를제안한다. 새로운광계수검출장치는신호증폭장치에서부귀환커패시터대신부귀환저항을적용하여누설전류및 회로노이즈를최소화하고, 고속동작시 광전누적효과를최소화하여개선된영상을획득할수 있다..
Abstract translation: 本发明提出一种新的光学系数检测装置和应用该新型检测装置的射线照相装置。 新的光学系数检测装置能够通过将负反馈施加到信号放大装置而不是负反馈电容器来最小化泄漏的电流和电路噪声，并且通过最小化在以下情况下的光电累积效应来获得改进的图像 高速运行。 本发明包括产生对应于吸收辐射能量的电荷信号的光电转换材料部分。
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公开(公告)号：KR101623958B1
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：KR1020080096721
申请日：2008-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L27/1203
Abstract: 인버터및 그의동작방법과인버터를포함하는논리회로에관해개시되어있다. 개시된인버터는부하트랜지스터와구동트랜지스터를포함하고, 상기부하트랜지스터와구동트랜지스터중 적어도하나는더블게이트구조를갖는다. 상기더블게이트구조에의해상기부하트랜지스터또는상기구동트랜지스터의문턱전압이조절될수 있고, 따라서상기인버터는 E/D(enhancement/depletion) 모드일수 있다.
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公开(公告)号：KR101603768B1
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020090129127
申请日：2009-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는적어도일면이플라즈마처리된게이트절연체를포함할수 있다. 상기게이트절연체의플라즈마처리된면은채널층과접촉된계면일수 있다. 상기계면은불소(F) 함유기체를사용하여플라즈마처리되어불소를포함할수 있다. 상기플라즈마처리된계면은광에의한트랜지스터의특성변화를억제하는역할을할 수있다.
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公开(公告)号：KR1020160018271A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140102626
申请日：2014-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14632 , H01L27/14696
Abstract: 본발명의일 실시예에따른방사선검출기는, 공통전극; TFT 어레이; 공통전극및 TFT 어레이사이에배치되는광도전성물질층; 및공통전극및 TFT 어레이사이에서공통전극이바이어스전압원과연결되는연결부에대응되는위치에배치되는확산방지막;을포함하며상기확산방지막은상기연결부에포함된금속이상기광도전성물질층으로확산되는것을방지할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，辐射检测器包括：公共电极; 薄膜晶体管（TFT）阵列; 设置在公共电极和TFT阵列之间的感光体材料层; 以及扩散停止层，其设置在所述公共电极和所述TFT阵列之间的对应于所述公共电极连接到偏置电压源的连接部分的位置处，其中扩散阻挡层防止所述连接部分中包含的金属扩散 到感光体材料层。
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公开(公告)号：KR101584664B1
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020090040323
申请日：2009-05-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1225 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: 단위화소내에서포토다이오드의면적을증가시키고포토다이오드의수광면적을확대할수 있는구조를갖는 CMOS 이미지센서가개시된다. 개시된 CMOS 이미지센서는포토다이오드위에트랜스퍼트랜지스터가형성되고, 나머지리셋트랜지스터, 소스팔로우어트랜지스터및 선택트랜지스터는다른층에형성된다. 이러한구성을갖는 CMOS 이미지센서의경우, 단위화소내에서포토다이오드의면적을넓혔기때문에, 단위화소의크기를감소시키는동시에화소의감도를향상시킬수 있다.
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