公开(公告)号：KR101553357B1

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：KR1020140022648

申请日：2014-02-26

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  인천대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  윤재홍 ,  김수현 ,  이한보람

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/205

Abstract: 본발명은구리층캡핑방법및 그를이용한구리배선제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른구리층캡핑방법은, 구리층이형성된기판을가열하는단계; 코발트전구체로코발트사이클로펜타디에닐디카보닐(cobalt cyclopentadienyl dicarbonyl)을이용하고, 반응기체로수소를이용하여상기구리층에코발트층을증착하는단계; 및상기기판에암모니아를제공하면서플라즈마를생성하여, 상기기판을플라즈마처리하는단계;를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR101510228B1

公开(公告)日：2015-04-10

申请号：KR1020140104368

申请日：2014-08-12

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  고경용 ,  이태윤 ,  이슬아 ,  최현용 ,  홍주리 ,  박준

IPC: G01N27/02 ,  G01N21/25 ,  B82B3/00

Abstract: 본발명은기판상의적어도일부분에가스반응물질이형성된가스센서에테라헤르츠펄스를인가하는단계및 상기가스센서를투과한테라헤르츠펄스를검출하는단계를포함하는가스감지방법에관한것이다.

Abstract translation: 气体检测方法技术领域本发明涉及气体检测方法。 气体检测方法包括：将太赫兹脉冲施加到其基板上的至少一部分中形成气体反应材料的气体传感器的步骤; 以及检测穿过气体传感器的太赫兹脉冲的步骤。

公开(公告)号：KR101455263B1

公开(公告)日：2014-10-31

申请号：KR1020140001327

申请日：2014-01-06

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  오일권

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/16 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/94

Abstract: The present invention relates to a method for reducing natural oxide on a substrate, which includes a step of exposing a substrate to trimethyl aluminum (TMA) or dicyclopentadienyl magnesium (MgCp2) for predetermined hours.

Abstract translation: 本发明涉及一种还原基板上的自然氧化物的方法，其包括将基板暴露于三甲基铝（TMA）或二环戊二烯基镁（MgCl 2）的步骤预定的时间。

公开(公告)号：KR1020120109036A

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020110026350

申请日：2011-03-24

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김도영 ,  김형준 ,  김우희 ,  김민규

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A solar cell and a manufacturing method thereof are provided to minimize surface loss due to the recombination of an electron-hole pair by increasing the lifetime of a fixed charge of a TiO2 layer after a high temperature plastic process. CONSTITUTION: A texturing structure is formed on the surface of a first conductive substrate(S210). A second conductive junction layer is formed on the first conductive substrate(S220). A front TiO2 layer is formed on the second conductive junction layer(S230). An anti-reflection layer is formed on the front TiO2 layer(S240). A front electrode and a rear electrode are formed(S250). [Reference numerals] (S210) Forming a texturing structure on the surface of a first conductive substrate; (S220) Forming a second conductive junction layer on the first conductive substrate; (S230) Forming a front TiO2 layer; (S240) Forming an anti-reflection layer; (S250) Forming a front electrode and a rear electrode

Abstract translation: 目的：提供太阳能电池及其制造方法，以通过在高温塑性加工后增加TiO 2层的固定电荷的寿命来最小化由于电子 - 空穴对的复合而导致的表面损失。 构成：在第一导电基板的表面上形成纹理结构（S210）。 在第一导电基板上形成第二导电接合层（S220）。 在第二导电结层上形成前TiO 2层（S230）。 在前TiO 2层上形成防反射层（S240）。 形成前电极和后电极（S250）。 （参考号）（S210）在第一导电基板的表面上形成纹理结构; （S220）在第一导电基板上形成第二导电结层; （S230）形成前TiO 2层; （S240）形成防反射层; （S250）形成前电极和后电极

公开(公告)号：KR101116857B1

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：KR1020100047053

申请日：2010-05-19

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김도영 ,  김형준 ,  강혜민 ,  윤재홍

IPC: H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 태양전지는기판, 제1 도전형반도체층, 진성반도체층, 제2 도전형반도체층, 제1 전극및 제2 전극을포함한다. 기판에는복수의나노구조물이형성되고, 나노구조물들을커버하도록제1 도전형반도체층이형성되고, 제1 도전형반도체층상에진성반도체층이형성되며, 진성반도체층상에제2 도전형반도체층이형성된다. 제1 전극은제2 도전형반도체층상에형성된다.

Abstract translation: 太阳能电池包括衬底，第一导电类型半导体层，本征半导体层，第二导电类型半导体层，第一电极和第二电极。 设置有多个纳米结构的衬底上形成，并且形成在第一导电型半导体层，以覆盖所述纳米结构，被形成在第一导电类型半导体层上的本征半导体层，本征半导体层上的第二导电型半导体层 它形成。 第一电极形成在第二导电类型半导体层上。

公开(公告)号：KR1020110127518A

公开(公告)日：2011-11-25

申请号：KR1020100047053

申请日：2010-05-19

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김도영 ,  김형준 ,  강혜민 ,  윤재홍

IPC: H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/042

Abstract: PURPOSE: A solar cell is provided to improve the electrical and optical characteristics of a conductive layer and a nanostructure by forming a nanostructure and then processing the nanostructure by plasma. CONSTITUTION: A solar cell comprises a substrate, a first conductive semiconductor layer, an intrinsic semiconductor layer(60), a second conductive semiconductor layer, a first electrode(80), and a second electrode. A plurality of nanostructures(40) is formed in the substrate. The first conductive semiconductor layer covers up the nanostructures. The intrinsic semiconductor layer is formed on the first conductive semiconductor layer. The second conductive semiconductor layer is formed on the intrinsic semiconductor layer. The first electrode is formed on the second conductive semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池，以通过形成纳米结构，然后通过等离子体处理纳米结构来改善导电层和纳米结构的电学和光学特性。 构成：太阳能电池包括衬底，第一导电半导体层，本征半导体层（60），第二导电半导体层，第一电极（80）和第二电极。 在衬底中形成多个纳米结构（40）。 第一导电半导体层覆盖纳米结构。 本征半导体层形成在第一导电半导体层上。 第二导电半导体层形成在本征半导体层上。 第一电极形成在第二导电半导体层上。

公开(公告)号：KR101081949B1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：KR1020090119304

申请日：2009-12-03

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  김우희 ,  맹완주

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 산화하프늄(HfO2) 게이트절연막에플라즈마원자층증착공정(plasma-enhanced atomic layer deposition, PE-ALD)을이용하여원하는위치에산화티타늄(TiO2)층을첨가하여금속게이트전계효과트랜지스터(p-type metal gate metal-oxide-semiconductor field effect transistor, p-MOSFET)의유효일함수(effective work function, EWF)를효과적으로조절할수 있는반도체소자제조방법이제공된다. 메탈게이트의페르미레벨피닝현상(fermi level pinning, FLP)을줄일수 있다.

公开(公告)号：KR1020170093342A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：KR1020160014605

申请日：2016-02-05

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  인천대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  오일권 ,  윤창모 ,  이한보람

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/448 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/448 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

Abstract: 본발명은중간층(interlayer)의형성을억제하는박막형성방법및 장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른박막형성방법은기판이배치된챔버내에전구체가스를공급하는것, 챔버내에제1 퍼지가스를공급하여상기챔버를퍼징하는것, 챔버내에플라즈마가스를공급하는것, 및챔버내에제2 퍼지가스를공급하여챔버를퍼징하는것을포함하고, 챔버내에플라즈마가스를공급하는것은, 챔버내에상기플라즈마가스를공급하면서, 상기기판과상기박막사이에중간층의형성을억제하도록미리결정된제1 주파수및 제1 전력의플라즈마전력을인가하는것을포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及抑制中间层形成的薄膜形成方法和装置。 根据本发明haneungeot供给前体气体到衬底的一个实施例的薄膜形成方法，设置在腔室中，供给第一吹扫气体到腔室haneungeot吹扫该室，haneungeot供给等离子气体到腔室，并且腔室 包含等离子气体供入腔室中的第二件事情到吹扫气体吹扫到供给室，预先确定，以便抑制基板和权利要求1的薄膜之间的中间层的形成而在所述腔室供给等离子体气体 频率和第一功率的等离子功率。

公开(公告)号：KR1020170062918A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020150168701

申请日：2015-11-30

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 김호진 ,  유충근 ,  이용백 ,  김형준 ,  오일권 ,  서승기

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/3276 ,  H01L2227/323

Abstract: 본발명의실시예는성막방지층을이용하여마스크를사용하지않고유무기복합막의패터닝을수행하고남은성막방지층으로패드부를보호하는표시장치와그의제조방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른표시장치는하부기판, 하부기판의표시영역상에배치되는화소들, 하부기판의비표시영역상에배치되는패드들, 화소들상에배치되는봉지층, 및패드들상에단일분자층으로배치되는성막방지층을포함한다. 또한, 본발명의실시예에따른표시장치의제조방법은하부기판의비표시영역상에패드들을형성하고, 표시영역상에화소들을형성하는단계및 패드들상에단일분자층으로성막방지층을형성하는단계를포함한다.

Abstract translation: 本发明的实施方式涉及一种显示装置和不使用掩模及其制造方法，就上述有机无机复合膜进行构图，以保护与使用沉积层的剩余层沉积的垫的部分。 根据本发明的一个实施例的显示装置包括像素，所述垫被设置在所述下基板上，设置在所述像素的密封层的非显示区域，和设置在所述下基板，下基板的显示区域中的衬垫 并且在基底上以单个单层设置防膜层。 根据本发明实施例的制造显示装置的方法包括：在下基板的非显示区域上形成焊盘;在显示区域上形成像素;以及形成成膜防止层 等等。

公开(公告)号：KR1020170024304A

公开(公告)日：2017-03-07

申请号：KR1020150119388

申请日：2015-08-25

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  우황제

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/48 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 ,  H01L29/423 ,  H01L21/02

Abstract: 구리게이트전극의구리확산을방지할수 있는박막트랜지스터및 그제조방법에관한기술이개시된다. 개시된박막트랜지스터는기판; 상기기판상에위치하는, 구리게이트전극; 및금속질화물로이루어진구리확산방지층을포함한다.