公开(公告)号：KR1020090091868A

公开(公告)日：2009-08-31

申请号：KR1020080017069

申请日：2008-02-26

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 양전욱 ,  심규환 ,  안효준 ,  홍성기

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: A method for reducing the leakage current of the nitride semiconductor device is provided to remarkably reduce the gate leakage current of transistor by suppressing the leakage current which flows the between electrode of the devices using the metal electrode formed in the surface of substrate. The multi-layered metal is formed on a substrate(S), and a source Ohmic metal(130) and a drain Ohmic metal(140) are formed by annealing. A metal gate(150) is formed by the lithography and the metal deposition method. The surface of substrate is plasma-processed with N2O in the vacuum chamber. The substrate is heated at the temperature within 700‹C and is processed with plasma. The surface of substrate is plasma-processed with the gas containing oxygen. The region exposed to the plasma is surface-treated.

Abstract translation: 提供一种降低氮化物半导体器件的泄漏电流的方法，通过抑制在基板的表面形成的金属电极之间流过各器件的电极之间的漏电流，显着降低晶体管的栅极漏电流。 多层金属形成在基板（S）上，通过退火形成源欧姆金属（130）和漏极欧姆金属（140）。 通过光刻和金属沉积方法形成金属栅极（150）。 衬底的表面在真空室中用N2O进行等离子体处理。 将衬底在700℃的温度下加热并用等离子体处理。 用含氧气体等离子体处理衬底的表面。 暴露于等离子体的区域进行表面处理。

公开(公告)号：KR100839786B1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：KR1020060091044

申请日：2006-09-20

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 심규환 ,  김재연 ,  양전욱 ,  최상식 ,  최아람

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명은 SiGe 반도체 소자 구조 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, SiGe 반도체 소자 구조에 있어서, 기판을 콜렉터 전극으로 사용하며, 상기 기판과 금속배선의 정전용량을 줄이도록 언도프트 Si(undoped-Si)층을 이용하여 서브-콜렉터를 형성시키고, 프론트-배리어 SiGe층을 베이스에 삽입시켜 구성함으로서, SiGe HBT에서 고농도 Ge의 프론트-배리어를 적용한 베이스 구조를 채용하여 도핑되는 불순물의 분포를 매우 얇은 영역에서 정확하게 제어하고, 에미터-베이스 접합에서 밴드갭도 정확하고 재현성 있게 제어하여 전류의 이득특성과 제어의 정확성을 향상시켜 소자의 선형성과 신뢰성을 높일 수 있게 되는 것이다.
SiGe, 반도체 소자 구조, 서브-콜렉터(sub-collector), 실리콘 캡, 프론트 배리어