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公开(公告)号：KR100608318B1
公开(公告)日：2006-08-04
申请号：KR1020030044818
申请日：2003-07-03
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 ITO 나노 분말의 제조 방법에 관한 것으로, In과 Sn이 각각 포함된 유기 용액들을 만드는 제 1 단계와; 상기 In과 Sn이 각각 포함된 유기 용액들을 섞은 후, 유기 용매가 증발되도록 교반하는 제 2 단계와; 상기 제 2 단계 후에, 유기 용매가 증발된 물질을 건조시켜 겔화된 복합화합물을 형성하는 제 3 단계와; 상기 건조되어 겔화된 복합화합물을 열처리하는 제 4 단계와; 상기 열처리된 복합화합물을 분쇄하여 IT0 나노 분말을 생성하는 제 5 단계로 구성된 ITO 나노 분말의 제조 방법로 구성된다.
따라서, 본 발명은 유기물 콜로이드를 사용함으로써, 세척/중화 등 공정을 제거하여 공정 단축 및 단가 낮출 수 있고, Cl
- 기를 배제함으로써, 공정 수행온도를 낮추고, 공정의 안정성을 향상시키며, 환경 오염 요인을 제거할 수 있는 효과를 갖는다.
ITO, 나노, 분말, 유기용액-
公开(公告)号：KR100605124B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020030067795
申请日：2003-09-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본 발명은 종이 기판을 이용한 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 말거나 접을 수 있는 얇은 두께의 유연성을 가진 종이 기판으로 사용함으로써, 패널 형태를 좀 더 다양하게 변형할 수 있으며, 또한, 종이기판의 표면에 보호막을, 예컨대 파릴렌으로 이루어진 보호막을 형성함으로써 종이 자체가 가지고 있는 흡습성과, 거친 표면으로 인한 패널의 수명 및 발광 효율 등의 저하를 방지할 수 있도록 한다.
유기, 전계, 발광, 표시, 패널, 종이기판, 파릴렌, 보호막-
公开(公告)号：KR100481613B1
公开(公告)日：2005-04-11
申请号：KR1020020028411
申请日：2002-05-22
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861 , B82Y30/00
Abstract: 본 발명은 연성 고분자 기판에 적용 가능한 박막 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명의 실시예는, 기판 위에 연성 재질의 하부 전극이 형성되고, 상기 기판과 하부 전극의 상부에 유기물질의 절연막이 도포되는 단계, 하부 전극과 대응되는 위치의 절연막의 상부 마스크가 도포되는 단계, 건식 식각을 이용하여 절연막을 패터닝(patterning)하는 단계, 하부전극의 일부 영역에 상부 전극이 형성되는 단계를 포함한다.
따라서, 본 발명은 하부 전극과 상부 전극 사이에 절연막과 마스크를 형성한 박막 다이오드 구조로 인해 연성 고분자 기판에 적용 가능하고, 또한 하부 전극을 연성 재질로 형성하고 절연막을 유기 물질로 형성함으로써 연성 고분자 기판에 적용시 기판의 변형이나 전극의 균열이 방지될 수 있어 소자의 안정성 및 신뢰성이 향상될 수 있는 효과를 제공하여 준다.-
公开(公告)号：KR1020140084433A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120153256
申请日：2012-12-26
Applicant: 전자부품연구원 , 중앙대학교 산학협력단
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/324 , H01L21/67017
Abstract: The present invention relates to an ultraviolet ray lamp device for sintering a metal-oxide thin film using a solution process. The present invention includes a sample mounting part and a housing which has a chamber space inside and is separated with a constant distance. The housing has a structure divided into two or more separation regions. An ultraviolet ray lamp for emitting ultraviolet rays downwards which faces the sample mounting part is formed in the upper part of the chamber space in one region. An inert gas injection part for injecting an inert gas into the one region is formed. The ultraviolet ray lamp is not installed in the other region. The sample mounting part can be moved while a sample is mounted on the sample mounting part.
Abstract translation: 本发明涉及使用溶液法烧结金属氧化物薄膜的紫外线灯装置。 本发明包括一个样品安装部分和一个壳体，它在内部具有一个室间隔并以一定的距离分开。 壳体具有分为两个或更多个分离区域的结构。 在一个区域中的室空间的上部形成有用于向下发射面向样品安装部的紫外线的紫外线灯。 形成用于将惰性气体注入该区域的惰性气体注入部。 紫外线灯不安装在其他区域。 样品安装部件可以在样品安装在样品安装部件上时移动。
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公开(公告)号：KR1020130098739A
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：KR1020120020499
申请日：2012-02-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1237 , H01L29/42384
Abstract: PURPOSE: An inverter device using a thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the reproducibility of electrical characteristics by inducing an electrical characteristic difference between two thin film transistors through a gate insulation layer with a first thickness and a second thickness. CONSTITUTION: A gate electrode (120) is deposited on a substrate (110). A gate insulating layer (130) is deposited on the gate electrode with a first thickness. A semiconductor layer (140) is deposited on the gate insulation layer with the first thickness. A source electrode (152) and a drain electrode (154) are deposited on the semiconductor layer. The gate insulation layer is deposited on a gate electrode (120') with a second thickness. The first thickness is different from the second thickness. A semiconductor layer (140') is deposited on the gate insulation layer with the second thickness.
Abstract translation: 目的：提供一种使用薄膜晶体管的逆变器装置及其制造方法，通过经由具有第一厚度和第二厚度的栅绝缘层引起两个薄膜晶体管之间的电特性差异来提高电特性的再现性。 构成：栅极电极（120）沉积在衬底（110）上。 栅极绝缘层（130）以第一厚度沉积在栅电极上。 半导体层（140）以第一厚度沉积在栅极绝缘层上。 源电极（152）和漏电极（154）沉积在半导体层上。 栅极绝缘层沉积在具有第二厚度的栅电极（120'）上。 第一厚度不同于第二厚度。 半导体层（140'）以第二厚度沉积在栅极绝缘层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101161582B1
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：KR1020110044962
申请日：2011-05-13
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , B32B15/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , B32B15/04 , H01L31/0224
Abstract: PURPOSE: A transparent optical multilayer and a transparent photovoltaic cell having the same are provided to achieve conductivity which is similar to that of metal and optically transparent by forming a transparent cathode. CONSTITUTION: An anode(120) is formed on a substrate(110). A photoactive layer(130) is formed on the anode. A metal buffer layer(140) is formed on the photoactive layer. A first electrode layer(150) is formed on the metal buffer layer. A second electrode layer(160) is formed on the first electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种透明光学多层膜和具有该透明光电池的透明光伏电池，以实现与金属类似的导电性，并通过形成透明阴极而具有光学透明性。 构成：阳极（120）形成在基板（110）上。 在阳极上形成光敏层（130）。 在光敏层上形成金属缓冲层（140）。 在金属缓冲层上形成第一电极层（150）。 在第一电极层上形成第二电极层（160）。
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公开(公告)号：KR101153824B1
公开(公告)日：2012-06-18
申请号：KR1020090133538
申请日：2009-12-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/133 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 상부 및 하부 게이트 구조를 이용한 박막 트랜지스터 인버터 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 동시에 연결된 상부 게이트 구조의 TFT 소자와 하부 게이트 구조의 TFT 소자를 포함하고, 상기 소자들 중에서 어느 하나의 소자를 driver 트랜지스터로, 나머지 하나의 소자를 load 트랜지스터로 작동시키는 것을 특징으로 하며, 상기 상부 게이트 구조의 TFT 소자는 기판 상에 증착된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 상에 증착된 반도체층; 상기 반도체층 상에 증착된 유전층; 및 상기 유전층 상에 증착된 게이트 전극을 포함하고, 상기 하부 게이트 구조의 TFT 소자는 기판 상에 증착된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 증착된 유전층; 상기 유전층 상에 증착된 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 증착된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 인버터 소자에 관한 것이다.
박막 트랜지스터, 인버터 소자, 상부 및 하부 게이트-
公开(公告)号：KR1020110127330A
公开(公告)日：2011-11-25
申请号：KR1020100046749
申请日：2010-05-19
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L51/10 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to form a monocrystal organic semiconductor thin film with a printing method by selectively controlling the surface energy of a substrate and then controlling an organic semiconductor solution. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer(30) is formed on the gate electrode. A source and a drain electrode(40) are formed on the gate insulating layer. The gate insulating layer is surface-treated by a self-assembly monolayer. A surface-treated self-assembly monolayer is removed from a channel area. A monocrystal organic semiconductor(50) is formed in the channel area, from which the self-assembly monolayer is removed, by a solution process.
Abstract translation: 目的：提供有机薄膜晶体管及其制造方法，通过选择性地控制衬底的表面能，然后控制有机半导体溶液，通过印刷方法形成单晶有机半导体薄膜。 构成：在基板上形成栅电极。 栅极绝缘层（30）形成在栅电极上。 源极和漏极（40）形成在栅极绝缘层上。 栅极绝缘层通过自组装单层进行表面处理。 从通道区域去除表面处理的自组装单层。 通过溶液法在沟道区域中形成单晶有机半导体（50），从其中去除自组装单层。
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公开(公告)号：KR1020110077079A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090133538
申请日：2009-12-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/1251
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor inverter element and manufacturing method thereof are provided to improve a side surface of a space utility by having the same channel dimension such as two unit element without an additional doping process. CONSTITUTION: An inverter element(100) includes as follows. A source and a drain electrode(20,30) is deposited on a substrate. A semiconductor layer(40) is deposited on the source and the drain electrode. An dielectric layer(50) is deposited on the semiconductor layer. A gate electrode(70) is mounted on the dielectric layer.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管逆变器元件及其制造方法，通过具有相同的沟道尺寸例如两个单位元件而不需要额外的掺杂工艺来改善空间效用的侧面。 构成：逆变元件（100）包括如下。 源极和漏极（20,30）沉积在衬底上。 半导体层（40）沉积在源极和漏极上。 介电层（50）沉积在半导体层上。 栅电极（70）安装在电介质层上。
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公开(公告)号：KR1020110071981A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090128729
申请日：2009-12-22
Applicant: 전자부품연구원 , 엘에스전선 주식회사
CPC classification number: C08J7/12 , B22F1/0044 , C01G45/02 , C01P2004/64 , C08J3/02 , C08L23/06 , C08L33/12
Abstract: PURPOSE: A nano complex and a manufacturing method thereof are provided to remove a united nano particle on the complex surface by dispersing the dry complex into a solution dissolving only the nano particle. CONSTITUTION: The manufacturing method of the nano complex includes following steps.(i) A daughter particle, a nano particle is combined into a polymer particle, a mother particle, and a first dry complex is manufactured.(ii) The first dry complex is dispersed into a solution dissolving only the nano particle. The nano particle united on the first dry complex surface is removed.(iii) The nano particle is combined into the first dry complex, in which the nano particle is eliminated from the united surface, and a second dry complex is manufactured.(iv) And, the second dry composite is dispersed into a solution dissolving only the nano particle. The nano particle united on the second dry complex surface is removed.
Abstract translation: 目的：提供纳米复合物及其制造方法，以通过将干燥的络合物分散到仅溶解纳米颗粒的溶液中来除去复合物表面上的联合纳米颗粒。 构成：纳米复合物的制造方法包括以下步骤：（i）将子粒子，纳米粒子结合成聚合物粒子，母粒子和第一干燥络合物;（ii）第一干燥复合物 分散到仅溶解纳米颗粒的溶液中。 （iii）将纳米颗粒合并到第一干燥配合物中，其中从合并的表面除去纳米颗粒，制备第二干燥复合物;（iv）将纳米颗粒与第一干燥复合物表面相结合， 并且，将第二干燥复合物分散到仅溶解纳米颗粒的溶液中。 去除在第二干燥复合物表面上结合的纳米颗粒。
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