公开(公告)号：KR101009726B1

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：KR1020080087586

申请日：2008-09-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장준연 ,  한석희 ,  구현철 ,  김형준 ,  송진동 ,  심성훈

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 강자성체로부터 반도체로의 스핀 주입 효율이 높은 스핀 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀 트랜지스터는, 내부에 채널층이 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층으로 스핀분극된 전자를 주입하는 강자성체 소스; 상기 소스로부터 이격되어 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 검출하기 위한 강자성체 드레인; 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극; 및 상기 강자성체 소스/드레인과 상기 반도체 기판 사이에 형성된 방향의 결정성을 갖는 MgO 터널링막 또는 유기터널링막;을 포함한다.
스핀 트랜지스터

公开(公告)号：KR100982660B1

公开(公告)日：2010-09-17

申请号：KR1020080075690

申请日：2008-08-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구현철 ,  한석희 ,  장준연 ,  김형준

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01L43/065 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/18 ,  H01L27/226 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7781

Abstract: A magnetic memory device includes a substrate for reading and a magnetic memory cell. The substrate has a channel layer. The magnetic memory cell is formed on the substrate and has a magnetized magnetic material that transfers spin data to electrons passing the channel layer. Data stored in the magnetic memory cell are read by a voltage across both side ends of the channel layer that is generated when the electrons passing the channel layer deviate in the widthwise direction of the channel layer by a spin Hall effect.

Abstract translation: 一种磁存储器件包括用于读取的衬底和磁存储器单元。 衬底具有沟道层。 磁存储器单元形成在衬底上并且具有将自旋数据转移到通过沟道层的电子的磁化磁性材料。 存储在磁存储器单元中的数据通过电子通过沟道层的电子沿沟道层的宽度方向偏移的自旋霍尔效应时产生的沟道层两端的电压来读取。

公开(公告)号：KR1020090062601A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：KR1020070129952

申请日：2007-12-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구현철 ,  한석희 ,  장준연 ,  김형준 ,  김경호

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/82

CPC classification number: H01L29/205 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/122 ,  H01L29/66984 ,  Y10S977/933

Abstract: A spin transistor using an epitaxial ferromagnetism-semiconductor junction is provided to reduce the length of a source and a drain by using the epitaxial ferromagnetic source and drain magnetized to a channel direction. A spin transistor includes a semiconductor substrate(110) having a channel layer(107). A ferromagnetism source(121) and a ferromagnetism drain are separately arranged in an upper part of the semiconductor substrate. The ferromagnetism source and drain are epitaxially grown on the semiconductor substrate. The ferromagnetism source and drain are magnetized to the longitudinal direction of the channel layer by the crystallization anisotropy. A gate(150) is arranged between the source and the drain in the upper part of the semiconductor substrate. The gate is insulated from the semiconductor substrate with the SiO2 gate insulating layer. The gate is formed in order to control the spin of the electron passing through the channel layer.

Abstract translation: 提供使用外延铁磁半导体结的自旋晶体管，通过使用被磁化成沟道方向的外延铁磁源和漏极来减小源极和漏极的长度。 自旋晶体管包括具有沟道层（107）的半导体衬底（110）。 铁氧体源（121）和铁磁性漏极分别布置在半导体衬底的上部。 铁氧体源极和漏极在半导体衬底上外延生长。 铁磁源和漏极通过结晶各向异性被磁化到沟道层的纵向方向。 栅极（150）布置在半导体衬底的上部的源极和漏极之间。 栅极与具有SiO 2栅极绝缘层的半导体衬底绝缘。 形成栅极以控制通过沟道层的电子的自旋。

公开(公告)号：KR100697779B1

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：KR1020050018421

申请日：2005-03-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장준연 ,  한석희 ,  김원용 ,  구현철 ,  이현정

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/115

Abstract: 본 발명은 SOI 기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 특히 상온에서 강자성체로부터 스핀분극된 전자를 Si 반도체에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터를 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 절연막 위에 SOI 기판이 형성되고, 상기 SOI 기판 위에 자성체의 소스 영역이 형성되며, 상기 소스 영역으로 주입된 스핀이 통과하는 상기 SOI 기판 위에 1차원 구조의 스핀 채널영역이 형성되고, 상기 스핀 채널영역을 통과한 스핀이 검출되는 상기 SOI 기판 위에 자성체의 드레인 영역이 형성됨을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자를 제시한다.
따라서, 본 발명은 종래의 자성체/Si 반도체 소자에서 구현되지 않았던 스핀밸브효과를 달성하여 반도체 트랜지스터에서 캐리어의 전하만을 전기장으로 제어하는 것과 달리 하이브리드형 자성체/반도체 소자에서는 소스와 드레인에 자성체를 사용하여 스핀을 SOI 반도체에 주입하고 검출함으로써 캐리어의 스핀을 이용한 메모리 및 논리소자로 응용할 수 있다.
스핀주입소자, SOI, 자성체/반도체 이종 접합구조, 자기저항, 스핀밸브

公开(公告)号：KR100356643B1

公开(公告)日：2002-10-18

申请号：KR1020000016775

申请日：2000-03-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김영하 ,  박기동 ,  김수현 ,  이원규 ,  구현철

IPC: A61L27/00

Abstract: 본 발명은 기재 (基材) 금속, 상기 기재 금속의 표면에 피복된 금 또는 은 박막, 상기 금 또는 은 박막 위에 흡착된 관능성 황 화합물, 상기 황 화합물의 관능기에 화학적으로 결합된 헤파린 (heparin) 또는 에스트라디올 (estradiol) 유도체와 같은 생리활성 물질을 포함하는 표면 개질된 의료용 금속 재료 및 이를 이용하여 제작된 스텐트, 심장 판막 및 카데타를 개시한다. 또한 본 발명은 (1) 기재 금속의 표면에 금 또는 은 박막을 피복하는 단계, (2) 상기 금 또는 은 박막 위에 관능성 황 화합물을 흡착시키는 단계, 및 (3) 상기 황 화합물의 관능기에 생리활성 물질을 화학적으로 결합시키는 단계를 포함하는, 표면 개질된 의료용 금속 재료의 제조 방법을 개시한다.