公开(公告)号：KR100992394B1

公开(公告)日：2010-11-08

申请号：KR1020080053326

申请日：2008-06-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  홍재민

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/48

Abstract: 본 발명은 사이클 및 수명 특성이 개선된 카본-금속산화물 복합체의 음극 활물질을 구비한 이차전지용 음극 및 이를 이용한 이차전지와, 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 음극 집전체 위에, 금속염 전구체와 탄화 가능한 고분자를 혼합한 용액을 방사하여 상기 전구체와 상기 고분자가 혼합된 초극세 섬유 웹을 형성하는 공정과; 상기 섬유 웹을 열 압착 또는 열 가압하는 공정과; 상기 열 압착 또는 열 가압된 섬유 웹을 열처리하여 상기 섬유 웹을 구성하는 고분자를 탄화시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법을 제공한다.
카본-금속산화물 복합체, 이차전지, 음극 활물질, 나노섬유 웹, 전기방사

公开(公告)号：KR100977189B1

公开(公告)日：2010-08-23

申请号：KR1020080023654

申请日：2008-03-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  홍재민 ,  최승훈

IPC: H01L29/78 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 다결정 금속산화물 반도체층을 이용한 전계효과 트랜지스터와 그 제조방법에 관한 것으로서, 고분자와 금속염 전구체를 포함하는 혼합 용액을 방사하여 생성한 개별 복합 나노선(나노섬유) 또는 복합 나노선 네트워크를 열압착하거나 열가압한 뒤 고분자 제거 및 금속염의 산화를 위한 열처리를 실시하여 나노벨트 구조 또는 나노벨트 네트워크(매트) 구조의 금속산화물 박층을 형성하고 이 나노벨트 구조 또는 나노벨트 네트워크 구조의 금속산화물 박층을 활성층(active channel, 반도체층)으로 이용할 수 있도록 구성됨으로써, 전기적 안정성이 우수하고, 활성층의 비표면적이 크게 증대되어 반응성이 뛰어난 전계효과 트랜지스터와 그 제조방법에 관한 것이다.
전계효과 트랜지스터, 다결정, 금속산화물, 반도체층, 활성층, 나노벨트, 나노벨트 네트워크, 금속염, 고분자, 방사, 전기방사, 폴리머, 나노선, 나노선 네트워크, 열압착, 열처리

公开(公告)号：KR1020100038979A

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：KR1020080098162

申请日：2008-10-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장성연 ,  김동영 ,  김일두 ,  이혜진 ,  조성무

IPC: B82B3/00 ,  D01D5/00

CPC classification number: D01D5/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  C01G55/00 ,  D01D5/0007

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing platinum-based nanofibers is provided to manufacture a uniform and successive nanostructure using an electrospinning method and to control nanograin and crystal structure of the metal nanofiber by changing heat treatment condition. CONSTITUTION: A method for manufacturing platinum-based nanofibers comprises the following steps: preparing a metal precursor solution by mixing a platinum-containing metal precursor, a polymer which is compatible to the metal precursor, and a solvent; manufacturing metal a complex nanofiber in which the metal precursor and polymer are mixed by electrically spinning the metal precursor solution; and removing the polymer from the complex nanofiber by heat-treating the complex nanofiber.

Abstract translation: 目的：提供一种制造铂基纳米纤维的方法，通过电纺丝方法制造均匀且连续的纳米结构，并通过改变热处理条件来控制金属纳米纤维的纳米晶粒和晶体结构。 构成：一种制造铂基纳米纤维的方法，包括以下步骤：通过混合含铂金属前体，与金属前体相容的聚合物和溶剂来制备金属前体溶液; 制造金属复合纳米纤维，其中金属前体和聚合物通过电纺丝金属前体溶液而混合; 并通过热处理复合纳米纤维从复合纳米纤维中除去聚合物。

公开(公告)号：KR1020090098341A

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：KR1020080023654

申请日：2008-03-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  홍재민 ,  최승훈

IPC: H01L29/78 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/0669

Abstract: A field effect transistor using a polycrystalline metal oxide semiconductor layer and a manufacturing method thereof are provided to improve electrical reliability and reactivity by using a thin metal-oxide layer as an active layer. A gate electrode(12), a gate insulating layer(13), a metal oxide semiconductor layer, a source electrode(15a) and a drain electrode(15b) are formed on a substrate(11). The metal oxide semiconductor layer has a poly-crystal nano belt structure or a poly-crystal nano belt network structure in which a nano wire network is compressed. The metal oxide semiconductor layer has the width of 0.5~3 micron and the thickness of 20 ~ 100 nm. The metal oxide semiconductor layer is made of the nano grain or the nano particle of 5 ~ 20 nm size. The metal oxide semiconductor layer includes ZnO. The metal oxide semiconductor layer includes SnO2.

Abstract translation: 提供使用多晶金属氧化物半导体层的场效应晶体管及其制造方法，以通过使用薄金属氧化物层作为有源层来提高电可靠性和反应性。 在基板（11）上形成栅电极（12），栅极绝缘层（13），金属氧化物半导体层，源电极（15a）和漏电极（15b）。 金属氧化物半导体层具有纳米线网络被压缩的多晶纳米带结构或多晶纳米带网络结构。 金属氧化物半导体层的宽度为0.5〜3微米，厚度为20〜100nm。 金属氧化物半导体层由纳米颗粒或5〜20nm大小的纳米颗粒制成。 金属氧化物半导体层包括ZnO。 金属氧化物半导体层包括SnO 2。

公开(公告)号：KR1020080098261A

公开(公告)日：2008-11-07

申请号：KR1020070043722

申请日：2007-05-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  홍재민 ,  조성무

IPC: H01M4/13 ,  H01M4/64 ,  H01M4/04 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01M4/131 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/62231 ,  C04B35/6225 ,  C04B35/62254 ,  C04B35/62259 ,  C04B35/624 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5454 ,  D01D5/0007 ,  D01F9/10 ,  H01M4/0435 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/661 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/027 ,  Y10S977/948

Abstract: A metal oxide as a negative active material is provided to increase the specific surface area and to endure against the volume change as nanorods and/or nanograin of ultra micro size have a network structure of a nanofiber of one-dimension, thereby raising a charge and discharge efficiency of battery and improving rate performance so that it is possible for the high speed output. A negative electrode for secondary battery comprises a negative electrode collector and a negative active material which is a porous metal thin oxide layer and has a network structure of the nanofiber consisting of at least one of nano-grain and nano-rod. The average diameter of nanofiber is 10~600 nm. The mean size of the nanorods and nano grain is 5~100 nm.

Abstract translation: 提供作为负极活性材料的金属氧化物以增加比表面积并抵抗体积变化，因为超微尺寸的纳米棒和/或纳米晶粒具有一维纳米纤维的网络结构，从而提高电荷和 电池的放电效率和提高速率性能，从而可以实现高速输出。 二次电池用负极包括作为多孔金属薄氧化物层的负极集电体和负极活性物质，并且具有由纳米晶粒和纳米棒中的至少一种构成的纳米纤维的网络结构。 纳米纤维的平均直径为10〜600nm。 纳米棒和纳米颗粒的平均粒径为5〜100nm。

公开(公告)号：KR1020070058286A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020060018208

申请日：2006-02-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  강경태 ,  홍재민

IPC: H01G4/018

Abstract: An embedded capacitor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a high-dielectric constant, a low dielectric loss, and a high breakdown voltage by using an acceptor-doped BST((Ba1-xSrx)TiO3) film for the embedded capacitor. A manufacturing method of an embedded capacitor includes the steps of: forming a first electrode(120) by coating a metal on a substrate(110); forming a dielectric film(130) on the first electrode(120); and forming a second electrode(140) on the BST film; and forming a second electrode(140) after forming BST film(130) on the first electrode(120). The dielectric film(130) is an acceptor-doped BST film.

Abstract translation: 提供嵌入式电容器及其制造方法，以通过使用用于嵌入式电容器的受主掺杂BST（（Ba1-xSrx）TiO3）膜来获得高介电常数，低介电损耗和高击穿电压。 嵌入式电容器的制造方法包括以下步骤：通过在基板（110）上涂覆金属来形成第一电极（120）; 在所述第一电极（120）上形成介电膜（130）; 以及在所述BST膜上形成第二电极（140）; 以及在第一电极（120）上形成BST膜（130）之后形成第二电极（140）。 电介质膜（130）是受主掺杂的BST膜。

公开(公告)号：KR101257842B1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020100084009

申请日：2010-08-30

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  주식회사 아모그린텍

Inventor： 김일두 ,  홍재민 ,  이종흔 ,  송용설 ,  김종수

IPC: B82B3/00 ,  C01F17/00

Abstract: 본 발명은 LaOCl-NiO 산화물, LaOCl-NiO-LaNiO
3 산화물 , 또는 LaNiO
3 산화물을 갖는 1차원 구조의 La계 산화물 나노섬유 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 La계 산화물 나노섬유는 Cl을 포함하고 있는 La 전구체와 Ni 전구체를 고분자와 함께 섞어서 전기방사를 한 후, 고온에서 열처리하여 열처리 온도에 따라서 LaOCl-NiO 산화물, LaOCl-NiO-LaNiO
3 산화물 , 또는 LaNiO
3 산화물을 성분을 가지는 나노섬유를 제조한다. 650℃ 이하의 저온에서 안정한 LaOCl-NiO 산화물 나노섬유는 P-type 특성을 갖는 금속산화물 반도체로서, 선택성이 매우 우수한 유기화합물 가스센서에 이용할 수 있다. 열처리 온도가 850℃ 이상에서 얻어지는 LaNiO
3 산화물은 전도 특성이 매우 우수하여 우수한 전도성 특성이 요구되는 기판 및 촉매제, 전도선 등에 응용이 가능하다.

公开(公告)号：KR101190202B1

公开(公告)日：2012-10-12

申请号：KR1020100041958

申请日：2010-05-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  최승훈 ,  조성무 ,  홍재민

IPC: B82B3/00 ,  D01D5/00

CPC classification number: D01D5/0038 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/956 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/571 ,  C04B35/62281 ,  C04B2235/483 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/298

Abstract: 본 발명은 나노미터 크기의 균일한 직경을 갖는 단결정 탄화규소 나노섬유 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의해 제조된 탄화규소 나노섬유는 높은 비표면적과 우수한 열적, 기계적 안정성을 가져 고온 안정성이 요구되는 배기가스 정화시스템, 탄화규소 섬유 필터, 디젤 미립자 필터 등의 다양한 분야에 응용될 수 있다.

公开(公告)号：KR101186930B1

公开(公告)日：2012-09-28

申请号：KR1020100088128

申请日：2010-09-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  송용원 ,  현태선

IPC: H01G11/30

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 본 발명은 복합체 전극활물질과 이를 이용한 수퍼캐패시터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, M
1-x Ru
x O
3 (M = Sr, Ba, Mg)을 포함하는 전극활물질과 이를 이용한 수퍼캐패시터에 관한 것으로서, 본 발명의 복합체 전극활물질은 M
1
-
x Ru
x O
3 을 포함하고, 상기 M은 스트론튬, 바륨 및 마그네슘으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나이고, 본 발명의 복합체 전극활물질의 제조방법은, (a) M 산화물의 전구체, Ru 산화물의 전구체, 고분자 및 용매를 포함하는 방사용액을 준비하는 단계, (b) 집전체 상에 상기 방사용액을 방사하여 M
1-x Ru
x O
3 전구체를 포함하는 나노섬유 웹을 형성하는 단계 및 (c) 상기 나노섬유 웹을 열처리하여 고분자를 제거하고 M
1
-
x Ru
x O
3 을 포함하는 다공성 나노섬유 웹 형태의 전극활물질을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 M은 스트론튬, 바륨 및 마그네슘으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나이다.

公开(公告)号：KR101144015B1

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：KR1020100001962

申请日：2010-01-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  송용원 ,  김동훈

IPC: H01B3/10 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명은 상온에서 스퍼터링 법으로 증착된 Mg
2 Hf
5 O
12
유전체 박막과 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터와 이들의 제조방법에 관한 것이다.
더욱 상세하게는 Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막, MgO 및 Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막 또는 HfO
2 및 Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막과; 기판, 제1 전극, 제2 전극 및 유전체층을 포함하고, 상기 유전체층은 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하고, Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막인 것인 캐퍼시터; 및 기판, 상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 채널층, 및 상기 채널층 상에, 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 게이트 절연막은, Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막인 것인 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다.
또한, (a) MgO 분말과 HfO
2 분말을 혼합하고 고온에서 하소하여 MgO - HfO
2 복합체를 형성하는 단계; (b) 상기 MgO - HfO
2 복합체를 분쇄하고 성형한 후 고온 소결하여 MgO - HfO
2 복합체 스퍼터링 타켓을 형성하는 단계 및; (c) 상기 MgO - HfO
2 복합체 스퍼터링 타켓을 이용하여 스퍼터링 법으로 박막을 형성하는 단계를 포함하는 Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막의 제조방법과; 상기의 Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막의 제조방법을 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.