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公开(公告)号：KR1020170004176A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020150094159
申请日：2015-07-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , G01N27/416 , G01N33/487 , C12Q1/68
CPC classification number: G01N33/48721 , B81B2201/0214 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , B81C1/00087 , C12Q1/6869 , H01L21/465 , H01L29/24 , C12Q2565/631
Abstract: 본발명은절연성지지부재상에형성된나노포어구조를이용한나노포어구조체, 그제조방법및 나노포어구조를이용한이온소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른나노포어구조체는실리콘및 실리콘을함유하는화합물중 적어도하나를포함하여이루어지며중앙부에일측과타측을관통하는마이크로포어가형성되어있는절연성지지부재와, 질화실리콘(SiN)을포함하여이루어지며상기절연성지지부재상에배치되고중앙부에상기마이크로포어와연통되도록상기마이크로포어보다크기가작은나노포어가형성되어있는나노포어막을구비하고, 상기나노포어막과상기절연성지지부재는친수성표면처리에의해부착된다.
Abstract translation: 本发明涉及使用在绝缘支撑构件上形成的纳米孔，纳米孔结构制造方法和使用该纳米孔的离子元件的纳米孔结构。 根据本发明的一个实施方案的纳米孔结构包括：绝缘支撑构件，其包括硅和含硅化合物中的至少一种，并且在中心部分具有穿过绝缘体的一侧和另一侧的微孔 支持会员 以及包含氮化硅（SiN）的纳米孔膜，其设置在所述绝缘支撑构件上，并且在所述纳米孔膜的中心部分具有小于并与所述微孔连通的纳米孔，其中所述纳米孔膜和所述绝缘支撑体 构件通过亲水表面处理附着。
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公开(公告)号：KR1020150088172A
公开(公告)日：2015-07-31
申请号：KR1020140154660
申请日：2014-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/18
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/783
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치는, Ⅲ족원소와Ⅴ족원소를포함하는반도체기판및 상기반도체기판상의게이트구조체를포함하되, 상기반도체기판은상기게이트구조체하부와접하는제1 영역과상기제1 영역하부의제2 영역을포함하고, 상기제1 영역에서상기Ⅲ족원소의농도는상기Ⅴ족원소의농도보다낮고, 상기제2 영역에서상기Ⅲ족원소의농도는상기Ⅴ족원소의농도와실질적으로동일하다.
Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 该半导体器件包括：包含III族元素和V族元素的半导体衬底;以及形成在该半导体衬底上的栅极结构，其中半导体衬底包括与栅极结构的下部接触的第一区域，以及位于下部 第一个区域的一部分。 在第一个区域，III族元素的浓度低于V元素的浓度。 在第二区域中，III族元素的浓度与V族元素的浓度大致相同。
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公开(公告)号：KR1020120060602A
公开(公告)日：2012-06-12
申请号：KR1020100122192
申请日：2010-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A designing method of transparent conductive material is provided to provide transparent conductive material using for a transparent electrode of an electronic device. CONSTITUTION: A designing method of transparent conductive material comprises: a step of determining A_aB_bO_c, which has the conduction band gap of 1-5 eV, has plasma frequency of conduction electron which is lower than the minimum energy of visible light area, and has optical band gap energy higher than the maximum energy of visible light region, by calculation of energy band; and a step of determining A_aB_(b-x)C_xO_c of which optical band gap energy and conduction band gap is within the range of 80-100% from the optical band gap energy of the A_aB_bO_c, and the 70-100% from the conduction band gap, respectively, and of which Fermi energy is within the conduction band.
Abstract translation: 目的：提供透明导电材料的设计方法，以提供用于电子设备的透明电极的透明导电材料。 构成：透明导电材料的设计方法包括：确定具有1-5eV的导带的A_aB_bO_c的步骤具有低于可见光面积的最小能量的导电电子的等离子体频率，并且具有光学 通过计算能带，带隙能量高于可见光区域的最大能量; 以及确定A_aB_（bx）C_xO_c的步骤，其中光学带隙能量和导带距离A_aB_bO_c的光学带隙能量在80-100％的范围内，并且从导带的70-100％ ，其中费米能量在导带内。
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公开(公告)号：KR101102624B1
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：KR1020100095532
申请日：2010-09-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: A61B6/466 , A61B5/055 , A61B6/02 , G06T15/00 , G06T2207/10072 , G06T2207/10088
Abstract: PURPOSE: A method of an amygdala shape analysis and an apparatus using the same is provided to accurately the determination area of an amygdaloid body by analyzing the shape of the amygdaloid body and the subnucleus of the amygdaloid body. CONSTITUTION: An input unit(110) receives two dimensional amygdaloid body information. A three dimension volume coordinate generating unit(170) generates three amygdaloid body normal coordinates A quantitative analysis part(150) compares a normal coordinates with a predetermined amygdaloid body coordinate and extracts discrimination domain. A volume standardization section(120) determines three dimensional volume coordinate. A coordinate matching unit(130) changes three dimensional volume coordinate into a normal coordinates applied to an average amygdaloid body. A display unit displays the extracted discrimination domain.
Abstract translation: 目的：通过分析杏仁体和扁桃体的子核的形状，提供杏仁体形状分析的方法和使用该方法的装置来准确地确定杏仁体的确定区域。 构成：输入单元（110）接收二维杏仁体信息。 三维体积坐标生成单元（170）生成三个杏仁体正常坐标。定量分析部（150）将正常坐标与预定的杏仁体坐标进行比较，并提取辨别域。 体积标准化部分（120）确定三维体积坐标。 坐标匹配单元（130）将三维体积坐标改变为应用于平均杏仁体的正常坐标。 显示单元显示提取的鉴别域。
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公开(公告)号：KR1020110079208A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136199
申请日：2009-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: C01B33/12 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2002/70 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/64 , C23C16/02 , C23C16/402 , Y10T428/2933 , Y10T428/296
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing silica nano-wire is provided to grow silica nano-wire to the one dimensional linear direction based on substrate selective chemical reaction using a precursor with a heteroleptic structure and oxygen-containing gas. CONSTITUTION: A method for manufacturing silica nano-wire includes the following: A target is arranged in a reaction chamber. A precursor with a heteroleptic structure is supplied into the reaction chamber. The chemical formula of the heteroleptic structure is SiA_2B_2, and the A and the B are different functional groups. Oxygen-containing gas is supplied and is preferentially reacted with either of the A or the B. The intermediate from the reaction of the precursor and the oxygen-containing gas is grown on the surface of the target. The A is amine group, and the B is hydrogen group.
Abstract translation: 目的：提供一种二氧化硅纳米线的制造方法，使用具有异位结构和含氧气体的前体，基于基板选择性化学反应，将二氧化硅纳米线生长成一维线性方向。 构成：二氧化硅纳米线的制造方法包括：反应室内设有靶。 具有杂音结构的前体被供应到反应室中。 异位结构的化学式为SiA_2B_2，A和B为不同的官能团。 供给含氧气体，优选与A或B中的任一种反应。来自前体和含氧气体的反应的中间体在目标物的表面生长。 A是胺基，B是氢基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101029299B1
公开(公告)日：2011-04-18
申请号：KR1020080136593
申请日：2008-12-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L51/5271
Abstract: 본 발명은 전극 표면에서 전반사 및 광도파로 효과로 인해 손실되는 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 소자를 실현한다는 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 기판 상에 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극이 순차 적층되는 구조를 갖는 종래의 유기 발광 소자와는 달리, 기판과 제 1 전극 사이에 요철 형상의 미세 패턴을 갖는 나노 구조체를 형성하여, 전반사와 광 도파로 모드로 인해 손실되는 광을 기판 외부로 추출함으로써 외부 양자 효율이 향상된 유기 발광 소자를 실현할 수 있으며, 또한 시야각에 따른 광 추출 패턴과 색 변화를 개선할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR102238598B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020190128609
申请日：2019-10-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M8/1048 , C08J5/22 , H01M8/1018
Abstract: 본발명은본 발명은중·고온형고분자전해질막, 이의제조방법및 이를포함하는고온형고분자전해질연료전지에관한것으로, 보다상세하게는인인산도핑된폴리벤즈이미다졸(PBI) 제조시인산용액상에서나노섬유를형성할수 있는무기전구체를첨가함으로써, 인산도핑된폴리벤즈이미다졸고분자막의내부에복합화된무기인산염나노섬유를포함하는복합막을제조하고, 이를 200 내지 300 ℃의고온에서도인산의열화없이열적으로안정하며, 높은이온전도도를갖는고온형고분자전해질막으로응용할수 있다.
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公开(公告)号：KR102232651B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020190077989
申请日：2019-06-28
Applicant: 한국과학기술연구원 , 전북대학교산학협력단 , 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단
Abstract: 본발명은도축된가축의혈액을이용한연료전지용촉매의제조방법에관한것으로, 가축의혈액의정제, 수열합성을거치는매우간단한공정을통해상용백금촉매에비하여높은산소환원반응활성을보이고, 매우우수한내구성을갖는연료전지용촉매를제조할수 있다. 또한, 인공첨가물없이순수하게가축의혈액만을활용하여촉매를제조하며, 폐자원인가축의혈액을재활용하여처리비용을줄이고, 고가의백금촉매를대체할수 있는우수한성능의촉매를제조할수 있다는점에서매우경제적이다.
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公开(公告)号：KR102223998B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190113040
申请日：2019-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 양성자교환막물 전해장치용막 전극접합체로서, 확산층인티타늄(Ti)층상에전해도금된산소극전극층인이리듐산화물(IrO2)층을포함하는산소극; 확산층상에수소극전극층이형성된수소극; 및산소극전극층및 수소극전극층사이에위치하는전해질막을포함하며, 확산층인 Ti층의기공중 일부는전해질막의전해질로채워지는, 양성자교환막물 전해장치용막 전극접합체가제공된다.
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公开(公告)号：KR102223655B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190085149
申请日：2019-07-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은연료전지촉매및 그제조방법에관한것으로, 본발명의연료전지촉매는폴리도파민이코팅된담지체를포함하는촉매를사용하여촉매층을형성할시 발생하는촉매입자간응집문제를해결하여고밀도, 고분산의촉매층을갖는막-전극접합체를제조할수 있다. 또한, 본발명의연료전지촉매의제조방법은폴리도파민이코팅된담지체를포함하는촉매와고체상의할로젠화물을단순열처리하는 solid to solid 건식합성법으로합성에필요한용매가필요하지않고, 합성이후용매를사용하는워싱과정과시료획득을위한추출과정이필요하지않아단시간내에연료전지촉매를제조할수 있다.
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