Abstract:
PURPOSE: A white light LED(Light emitting diode) backlight unit using a quantum dot light conversion layer is provided to solve for degradation in light emitting efficiency by reducing half amplitude. CONSTITUTION: A light guide plate and a diffusion sheet(200) changes a dot emitting light emitted by a light source(100) into a surface emitting light. A quantum dot light conversion layer(300) includes a quantum dot which reproduces colors by using the surface emitting light and is separated from the light source. A polarizing plate and an LCD(Liquid Crystal Display)(400) are located on an emission path which passes through the light conversion layer.
Abstract:
본 발명은 섬유 조직의 구조를 갖는 완전 유연한 직조형 플렉서블 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 전자 장치로써, a) 전류 또는 전기 신호를 공급하는 역할을 하며, 일정한 간격으로 이격된 여러 가닥의 전기회로선; b) 외부로부터 받은 전류 또는 전기신호에 의해 발광을 하며, 일정한 간격으로 이격된 여러 가닥의 발광소자선; 및 c) 상기 전기회로선과 발광소자선에 전원 및 전기신호를 공급하는 전원공급장치로 구성되며, 상기 전기회로선과 발광소자선은 일방을 경사로 하고, 타방을 위사로 하여 조직되며, 양단에 전원공급장치가 연결되어 있어 전기회로선과 발광소자선이 만나는 조직점에서 발광하는 직조형 플렉서블 디스플레이 장치를 포함한다. 완전 유연 디스플레이, 플렉서블 디스플레이, Flexible display, 직조형 플렉서블 디스플레이, Textile flexible display, 전자섬유
Abstract:
A green light-emitting phosphor is provided to improve the intensity at 254 nm and 365 nm which is a ultraviolet range, and to ensure excellent luminous efficiency and color embodiment capability. A green light-emitting phosphor is an aluminate-based phosphor having a magnetoplumbite or distorted magnetoplumbite structure and is represented by the chemical formula 1: X_(1-v-y)Al_(11+2/3+v+2/3s-z)O_(19+s):yEu^(2+),zMn^(2+). In the chemical formula 1, X comprises one or more metals selected from lanthanum(La) and cerium(Ce); 0
Abstract:
본 발명은 형광체 및 백색 발광 다이오드에 관한 것으로써 구체적으로는 (Sr 1-yz M y N z ) 3-x SiO 5 :Ce 3+ x (x는 0 3+ 부활된 실리케이트계 형광체의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드에 관한 것이다. 본 발명의 형광체는 기존의 InGaN-base 청색 발광 다이오드 및 GaN-based 장파장자외선 발광 다이오드에 의하여 여기되어 넓은 스펙트럼의 발광을 나타낸다. 또한 본 발명에 따른 형광체를 이용한 발광 다이오드는 넓은 파장의 스펙트럼을 가지고 색순도 면에서 우수한 성질을 보이며, 발광 다이오드 및 액정디스플레이의 후면광원에 적용될 때, 매우 높은 발광 효율을 나타낼 수 있다. 백색, 발광, 다이오드, Ce 부활 실리케이트계 형광체, 황색 형광체
Abstract:
본 발명은 알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질된 산화아연 나노입자(ZnO NP; Nano Particle)의 합성방법 및 이를 이용한 고분자 발광소자에 관한 것으로, ZnO NP의 극성 용매에 대한 분산 안정성과 광전소자의 전자 주입 및 수송 능력을 향상시킬 수 있는 고분자 발광소자를 합성하는데 있다. 보다 상세하게는 전자 이동도 특성을 가지는 ZnO NP의 표면을 감싸기 위해 공액 고분자 전해질의 구조에 알콕시(alkoxy) 곁사슬을 도입한 후, 계면활성제가 없는 ZnO NP을 합성하는 단계와, 전자 주입 장벽을 낮춰주는 공액 고분자 전해질(Conjugated Polyelectrolytes)을 이용하여 그 표면을 개질하는 단계와, 이를 이용한 고분자 발광소자(Polymer Light-Emitting Diode;PLED)를 제조하는 단계로 구성된다. 본 발명의 ZnO NP는 분산 안정성과 전자 주입 및 수송 능력을 향상시키는 광전 소자를 제공할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 알루미늄 실리케이트계 형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 250∼500nm의 파장에서 여기하고 400∼800nm의 파장에서 발광 특성을 지니며, 하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체, 이의 제조방법 및 하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체를 포함하는 발광소자에 관한 것이다. M 1+xy Al 1+x Si 2-x O 6 :Q y ......화학식(1) 상기 화학식(1)에서 M은 Li, Na, K, Rb, Cs 중에서 선택된 어느 하나의 알칼리금속이고; Q는 유로피움(Eu), 망간(Mn), 철(Fe), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 아연(Zn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세듐(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In) 중에서 선택된 한 개 이상의 활성제 또는 부활성제이고; x는 0 ≤ x ≤ 1; y는 0