Abstract:
PURPOSE: A system and a method for controlling group driving are provided to improve reliability of information while preventing information distortion by allowing efficient group driving in an environment in which communications between road infrastructures is possible. CONSTITUTION: A group driving control system communicates with running vehicles. The group driving control system controls the group driving of the vehicles. A communications part(201) installed in the road provides location information of road to the vehicles. A roadside communications unit(202) transmits and receives the information for the vehicles passing by the road and for implementing group driving. The roadside communications unit controls the group driving. The information for the group driving comprises group request information, an ID allocated to the group request information, and group assignment information.
Abstract:
본 발명은 휴대 단말기의 셀 재선택 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 셀 재선택 방법은 셀 재선택 시, 셀 재선택 대상이 되는 기지국들의 신호 세기를 측정하는 측정 단계, 상기 측정 결과, 기준 마크로 셀 기지국의 신호 세기가 펨토 셀 기지국의 신호 세기보다 큰 경우, 상기 펨토 셀 기지국의 신호 세기를 스케일링 하는 스케일링 단계 및 상기 스케일링된 펨토 셀 기지국의 신호 세기 및 상기 기준 마크로 셀 기지국의 신호 세기에 따라 셀 재선택에 대한 우선순위를 결정하고, 우선순위가 가장 높은 기지국을 상기 셀 재선택 대상의 기지국으로 선택하는 재선택 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 셀 재선택, 신호 세기, 펨토 셀, 스케일링
Abstract:
본 발명은 대칭적인 PMOS 및 NMOS 이중 게이트 구조를 가지는 전자-정공 이중층 터널 전계효과 트랜지스터 및 상기 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 이중 게이트 pin구조 및 밴드간 터널링을 이용한 것으로서 문턱전압 이하에서의 기울기의 개선과 동작 전류의 증가를 가져올 수 있고, 대칭구조의 게이트를 제안함으로써 실제 구현가능한 대칭적인 이중 게이트 구조를 가지는 임계 전압(threshold voltage)이 작아져 공급 전력을 줄일 수 있다는 장점이 있는 전자-정공 이중층 터널 전계효과 트랜지스터 및 상기 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
The present invention relates to an electron-hole bilayer tunnel field effect transistor using a symmetrical double gate structure and a manufacturing method of the transistor and, more specifically, to an electron-hole bilayer tunnel field effect transistor using a symmetrical double gate structure and a manufacturing method of the transistor, capable of bringing the improvement of a slope and an increase in an operation current under a threshold voltage by using a double gate p-i-n structure and inter-band tunneling; and being formed in practice by suggesting the symmetrical gate structure.