군집주행 제어 시스템 및 방법
    41.
    发明授权
    군집주행 제어 시스템 및 방법 有权
    用于控制组驱动的系统和方法

    公开(公告)号:KR100957137B1

    公开(公告)日:2010-05-11

    申请号:KR1020090067509

    申请日:2009-07-23

    Abstract: PURPOSE: A system and a method for controlling group driving are provided to improve reliability of information while preventing information distortion by allowing efficient group driving in an environment in which communications between road infrastructures is possible. CONSTITUTION: A group driving control system communicates with running vehicles. The group driving control system controls the group driving of the vehicles. A communications part(201) installed in the road provides location information of road to the vehicles. A roadside communications unit(202) transmits and receives the information for the vehicles passing by the road and for implementing group driving. The roadside communications unit controls the group driving. The information for the group driving comprises group request information, an ID allocated to the group request information, and group assignment information.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于控制群体驾驶的系统和方法,以通过在道路基础设施之间的通信是可能的环境中允许有效的群体驾驶来防止信息失真,从而提高信息的可靠性。 构成:集团驾驶控制系统与运行车辆通信。 组驾驶控制系统控制车辆的组驾驶。 安装在道路上的通信部件(201)提供到车辆的道路的位置信息。 路边通信单元(202)发送并接收通过道路的车辆的信息,并且用于实施群组驾驶。 路边通讯单元控制小组驾驶。 组驱动的信息包括组请求信息,分配给组请求信息的ID和组分配信息。

    휴대 단말기의 셀 재선택 방법 및 장치
    48.
    发明授权
    휴대 단말기의 셀 재선택 방법 및 장치 有权
    用户设备的单元格选择方法和设备

    公开(公告)号:KR101478023B1

    公开(公告)日:2015-01-02

    申请号:KR1020080111241

    申请日:2008-11-10

    Abstract: 본 발명은 휴대 단말기의 셀 재선택 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 셀 재선택 방법은 셀 재선택 시, 셀 재선택 대상이 되는 기지국들의 신호 세기를 측정하는 측정 단계, 상기 측정 결과, 기준 마크로 셀 기지국의 신호 세기가 펨토 셀 기지국의 신호 세기보다 큰 경우, 상기 펨토 셀 기지국의 신호 세기를 스케일링 하는 스케일링 단계 및 상기 스케일링된 펨토 셀 기지국의 신호 세기 및 상기 기준 마크로 셀 기지국의 신호 세기에 따라 셀 재선택에 대한 우선순위를 결정하고, 우선순위가 가장 높은 기지국을 상기 셀 재선택 대상의 기지국으로 선택하는 재선택 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
    셀 재선택, 신호 세기, 펨토 셀, 스케일링

    독립적 및 대칭적인 이중 게이트 구조를 이용한 전자-정공 이중층 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
    50.
    发明授权
    독립적 및 대칭적인 이중 게이트 구조를 이용한 전자-정공 이중층 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
    独立和对称双电位孔双层隧道场效应晶体及其制造方法

    公开(公告)号:KR101402697B1

    公开(公告)日:2014-06-03

    申请号:KR1020120143844

    申请日:2012-12-11

    CPC classification number: H01L29/7855 H01L29/66931

    Abstract: The present invention relates to an electron-hole bilayer tunnel field effect transistor using a symmetrical double gate structure and a manufacturing method of the transistor and, more specifically, to an electron-hole bilayer tunnel field effect transistor using a symmetrical double gate structure and a manufacturing method of the transistor, capable of bringing the improvement of a slope and an increase in an operation current under a threshold voltage by using a double gate p-i-n structure and inter-band tunneling; and being formed in practice by suggesting the symmetrical gate structure.

    Abstract translation: 本发明涉及使用对称双栅极结构的电子 - 空穴双层隧道场效应晶体管及其制造方法,更具体地说,涉及使用对称双栅结构的电子 - 空穴双层隧道场效应晶体管和 晶体管的制造方法,能够通过使用双栅极引脚结构和带间隧穿来提高斜率的提高和阈值电压下的工作电流的增加; 并且通过提出对称的门结构在实践中形成。

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