Abstract:
Disclosed are a vacuum evaporation source with a source residue discharge type shutter and an evaporation device including the same. The vacuum evaporation source with the source residue discharge type shutter comprises a vacuum evaporation source body including an outer container which provides a cylindrical inner space, a crucible which is mounted inside the outer container, and a heater which is arranged between the outer container and the crucible and heats the crucible; and a shutter which is disposed at the output side of the vacuum evaporation source body to open and close the output of the crucible and has multiple flow guides extended from an area corresponding to the output of the crucible to the outer area of the outer container to discharge a source residue condensed at the inner surface facing the output of the crucible to the outside of the outer container. The evaporation device according to the present invention has the above-described configuration and comprises multiple vacuum evaporation sources disposed to be inclined to the center of a substrate in a vacuum chamber.
Abstract:
이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리의 숙성 단계가 도입된 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계; 상기 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계; 상기 하이브리드형 슬러리를 5일 내지 10일 동안 숙성하는 단계; 숙성된 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 CI(G)S 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, CI(G)S계 태양전지 박막 제조 시 우수한 재현성 확보가 가능하고, 따라서 생산된 박막의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for forming a ZnO concavo-convex structure and a solar cell using the same are provided to form a uniform thin film on a concavo-convex structure by using a wet etching method. CONSTITUTION: A substrate (10) is prepared. A nanostructure (20) of which height and width is nanometer scale is formed. A zinc oxide thin film (30) is formed on the substrate having the nanostructure. The zinc oxide thin film is wet-etched. A concavo-convex structure (35) is formed by etching the periphery of the nanostructure.
Abstract:
본 발명은 계통연계형 태양광발전 시스템의 설계계수 산출방법에 관한 것으로서, 태양광발전 어레이의 기타 손실을 고려한 설계계수(K o )를 산출하는 단계와, 상기 태양광발전 어레이의 기타 손실을 고려한 설계계수(K o )에 기초하여 태양광발전 어레이의 직류선로 손실을 고려한 설계계수(K a )를 산출하는 단계와, 상기 태양광발전 어레이의 직류선로 손실을 고려한 설계계수(K a )에 기초하여 태양광발전 어레이의 부정합 손실을 고려한 설계계수(K m )를 산출하는 단계와, 상기 태양광발전 어레이의 부정합 손실을 고려한 설계계수(K m )에 기초하여 태양광발전 어레이의 온도상승 손실을 고려한 설계계수(K t )를 산출하는 단계와, 상기 태양광발전 어레이의 온도상승 손실을 고려한 설계계수(K t )에 기초하여 태양광발전 인버터 손실을 고려한 설계계수(K p )를 산출하는 단계와, 상기에서 산출된 설계계수들에 기초하여 태양광발전 시스템의 설계계수(K)를 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 태양광발전 시스템의 출력값, 일사강도, 온도 및 풍속 등의 주변 환경에 변화에 따라 등가 가동시간 개념을 이용하여 설치용량에 상관없이 태양광발전 시스템의 성능과 손실과의 상관관계인 설계계수를 산출함으로써, 초기 설계시에 태양광발전 시스템 및 구성요소의 최적선정과 함께 손실저감을 통한 성능향상, 사용목적에 부합되는 맞춤형 최적설계가 가능하여 장기간의 신뢰성과 안정성을 보증할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본발명은 a) 투명기판상에산화아연시드층을형성하는단계; b) 산화아연시드층이형성된투명기판을제1 용액에침지하여, 상기산화아연시드층상에제1 AZO막을형성하는단계; 및 c) 제1 AZO막이형성된투명기판을제2 용액에침지하여제1 AZO막상에제2 AZO막을형성하는단계;를포함하며, 상기제1 AZO막및 제2 AZO막은하기관계식 1을만족하는 AZO 이중막의제조방법및 이로부터제조된 AZO 이중막에관한것이다. [관계식 1] P