가변형 회절 격자 장치
    41.
    发明公开
    가변형 회절 격자 장치 无效
    TUNABLE DIFFRATION GRATING APPARATUS

    公开(公告)号:KR1020100070217A

    公开(公告)日:2010-06-25

    申请号:KR1020080128845

    申请日:2008-12-17

    CPC classification number: G02B5/1828

    Abstract: PURPOSE: A tunable diffraction grid device is provided to linearly change the lattice interval of a diffraction grid by using a diffraction grid made of elastic material. CONSTITUTION: A diffraction grid unit(210) comprises a diffraction grid, a fixing support, a moving shaft, and a moving support. The diffraction grid is made of elastic material. The fixing support is attached to one side of the diffraction grid in order to fasten the diffraction grid. The moving shaft is connected to both ends of the fixing support. The moving support is attached to one side of the diffraction grid. A driving unit(220) changes the lattice interval by applying pressure to the diffraction grid. The controller(230) controls the driving unit in order to regulate the lattice interval according to a specific wave.

    Abstract translation: 目的:提供可调谐衍射栅格装置,通过使用由弹性材料制成的衍射栅格线性地改变衍射栅格的晶格间隔。 构成:衍射栅格单元(210)包括衍射栅格,固定支撑件,移动轴和移动支撑件。 衍射网格由弹性材料制成。 固定支架附着在衍射栅格的一侧,以便固定衍射网格。 移动轴连接到固定支架的两端。 移动支架附着在衍射网格的一侧。 驱动单元(220)通过向衍射栅格施加压力来改变晶格间隔。 控制器(230)控制驱动单元以便根据特定波调整格子间隔。

    고출력의 테라헤르츠파 발생 소자 및 그 제조 방법
    42.
    发明授权
    고출력의 테라헤르츠파 발생 소자 및 그 제조 방법 失效
    用于高功率的太赫兹波长材料和用于高功率的太赫兹波材料的制造方法

    公开(公告)号:KR100964973B1

    公开(公告)日:2010-06-21

    申请号:KR1020080015284

    申请日:2008-02-20

    Abstract: 본 발명은 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자에 관한 것으로서, 이러한 고출력의 테라헤르츠파 발생 소자는, 반절연성 기판과, 상기 반절연성 기판의 상부에 전극 간의 간격을 설정값 이상으로 넓힌 형태로 형성된 전압 인가를 위한 전극 패턴을 갖으며, 상기 전극 패턴 상부에 넓은 띠 간격 소재가 증착되거나, 상기 전극 패턴 상부에 상기 높은 넓은 띠 간격 소재를 일렬 정렬하여 어레이 형태로 형성된 광전도 안테나를 포함하여 제조됨으로써, 상기 전극 패턴에 전압이 인가되고 상기 증착된 넓은 띠 간격 소재에 자외선 영역의 광파가 주입되면 상기 광전도 안테나를 통해 높은 세기로 테라헤르츠파를 출력할 수 있다.
    테라헤르츠파 발생 소자, 고출력, 광전도 안테나, 반도체 레이저, 반절연성 기판, 박막, 나노 와이어, 나노 로드.

    나노탐침 가열장치 및 이를 이용한 열보조 자기기록헤드
    43.
    发明公开
    나노탐침 가열장치 및 이를 이용한 열보조 자기기록헤드 无效
    用纳米材料加热辅助磁记录头的装置

    公开(公告)号:KR1020090056767A

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:KR1020080016793

    申请日:2008-02-25

    Inventor: 백문철 강광용

    CPC classification number: G11B5/09 G11B9/1409 G11B9/1463

    Abstract: A nanoprobe heater and a thermal assistance magnetic recording head using the same are provided to help a recording medium to maintain the uniform temperature by automatically performing the gap adjustment between the nanoprobe heater and recording medium. A nanoprobe heater comprises: a nanoprobe(24) forming a peak(25) for supplying the heat to a magnetic recording bit of a recording medium(21); a heating unit(26) heating up the nanoprobe; a supporting unit(28) supporting the nanoprobe and the heating unit; and an interval adjusting unit(27) controlling a gap between the recording medium and the nanoprobe.

    Abstract translation: 提供了一种纳米探针加热器和使用其的热辅助磁记录头,以通过自动执行纳米探针加热器和记录介质之间的间隙调节来帮助记录介质保持均匀的温度。 纳米探针加热器包括:形成用于将热量提供给记录介质(21)的磁记录位的峰值(25)的纳米探针(24); 加热单元(26),加热所述纳米探针; 支撑所述纳米探针和所述加热单元的支撑单元(28) 以及间隔调整单元(27),用于控制记录介质和纳米探针之间的间隙。

    유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광디바이스
    44.
    发明授权
    유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광디바이스 有权
    有机电子器件和有机薄膜晶体管和有机电子发射器件的有机材料的图案化方法

    公开(公告)号:KR100843553B1

    公开(公告)日:2008-07-04

    申请号:KR1020060057815

    申请日:2006-06-27

    Abstract: 본 발명은 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을 이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
    본 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법은 기판상에 제1 포토레지스트를 도포하는 단계와, 도포된 제1 포토레지스트를 열처리하는 단계와, 제1 포토레지스트를 전면 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트 상에 금속 박막을 증착하는 단계와, 금속 박막 상에 제2 포토레지스트를 형성하는 단계와, 도포된 제2 포토레지스트를 열처리하는 단계와, 열처리된 제2 포토레지스트 상부에 원하는 패턴에 따른 마스크를 형성하는 단계와, 마스크 상부에서 상기 제2 포토레지스트를 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트 및 상기 제2 포토레지스트를 현상하는 단계와, 패터닝된 상기 기판 및 제2 포토레지스트 상에 유기 전자 소자에 이용될 유기 물질층을 형성하는 단계와, 유기 물질층 표면에 보호막을 형성하는 단계, 및 리프트-오프 방법으로 상기 제1 및 제2 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하되, 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 현상하는 단계에서는 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 동시에 현상할 수 있는 현상액을 이용하여 현상하는 것을 특징으로 한다.
    이에 따라, 다층 구조의 포토레지스트를 사용함으로써 공정 중의 변형을 방지할 수 있고, 유기 전자 소자의 유기 물질층을 보호하는 보호막을 형성한 후에도 리프트 오프 방법을 이용할 수 있어, 유기 전자 소자의 유기 물질층의 특성 변화 없이 미세 패터닝을 수행할 수 있다.
    유기 전자 소자의 유기 물질층, 제1 포토레지스트, 제2 포토레지스트, 유기 박막 트랜지스터, 유기 전계 발광 디바이스

    급격한 MIT 소자, 그 소자를 이용한 MIT 센서 및 그MIT 센서를 포함한 경보기 및 이차전지 폭발 방지 회로
    45.
    发明公开
    급격한 MIT 소자, 그 소자를 이용한 MIT 센서 및 그MIT 센서를 포함한 경보기 및 이차전지 폭발 방지 회로 失效
    使用相同的麻醉器装置的破坏金属绝缘子转换(MIT)装置,麻省传感器,以及包含相同的麻省传感器的报警装置和二次电池防爆电路

    公开(公告)号:KR1020070115571A

    公开(公告)日:2007-12-06

    申请号:KR1020060125063

    申请日:2006-12-08

    CPC classification number: H01L49/003 G01K3/005

    Abstract: A rapid MIT(Metal-Insulator Transition) device, a MIT sensor using the device, and an alarm and a secondary battery explosion preventing circuit including the MIT sensor are provided to vary a transition temperature by changing an applied voltage or current. An MIT(Metal-Insulator Transition) thin film(300a) generates the rapid MIT at a transition temperature or a transition voltage. At least two electrode thin films(410a,420a) are comprised to be contacted to the rapid MIT thin film. A transition temperature and a transition voltage of the MIT device is changed by a temperature, a microwave, a pressure, a gas concentration or a voltage which is added to the electrode thin films.

    Abstract translation: 提供快速MIT(金属绝缘体转换)装置,使用该装置的MIT传感器,以及包括MIT传感器的报警器和二次电池防爆电路,以通过改变所施加的电压或电流来改变转变温度。 MIT(金属 - 绝缘体转移)薄膜(300a)在转变温度或转变电压下产生快速MIT。 包括至少两个电极薄膜(410a,420a)以与快速MIT薄膜接触。 通过温度,微波,压力,气体浓度或添加到电极薄膜的电压来改变MIT器件的转变温度和转变电压。

    금속-폴리머 복합 허브 및 이를 포함하는 정보저장용초소형 허브 부착 광디스크
    46.
    发明授权
    금속-폴리머 복합 허브 및 이를 포함하는 정보저장용초소형 허브 부착 광디스크 失效
    金属 - 聚合物复合集线器和集线器型小尺寸光盘用于数据存储,包括相同

    公开(公告)号:KR100744553B1

    公开(公告)日:2007-08-01

    申请号:KR1020060027973

    申请日:2006-03-28

    Abstract: 광디스크를 자기적 흡인력을 이용하여 기록/재생 장치의 디스크 테이블상에 자기적으로 척킹하기 위한 허브 및 이를 포함하는 정보저장용 초소형 광디스크에 관하여 개시한다. 광디스크용 허브는 금속 자성체와 폴리머가 혼합된 금속-폴리머 복합 물질로 이루어진다. 허브 부착 광디스크는 중심부에 관통홀이 형성되어 있고 제1면상에서 상기 관통홀에 근접한 위치에는 그 에지측에서보다 낮은 표면을 가지는 리세스부가 형성되어 있는 디스크를 포함한다. 또한, 상기 관통홀에 삽입됨으로써 상기 디스크와 결합 가능하고 금속 자성체와 폴리머가 혼합된 금속-폴리머 복합 물질로 이루어진 허브를 포함한다.

    금속-폴리머 복합 허브 및 이를 포함하는 정보저장용초소형 허브 부착 광디스크
    48.
    发明公开
    금속-폴리머 복합 허브 및 이를 포함하는 정보저장용초소형 허브 부착 광디스크 失效
    用于数据存储的金属聚合物复合集线器和集线器类型的小型光盘

    公开(公告)号:KR1020070061004A

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:KR1020060027973

    申请日:2006-03-28

    Abstract: A metal-polymer composite hub and a micro-type hub attachment optical disc including the same for storing information are provided to be manufactured by a relatively inexpensive and simple method and be stably chucked in a spindle motor of a disc table in a state when it is attached to the optical disc. A hub(10) for an optical disc includes an upper hub(12) of a disc type and a lower hub(16). The upper hub(12) has the first radius length. The lower hub(16), extended with the upper hub(12) by one body, has the second radius length which is shorter than the first radius length. A central hole(18) for simultaneously penetrating the upper hub(12) and the lower hub(16) is formed in a central part of the hub(10).

    Abstract translation: 提供一种用于存储信息的金属 - 聚合物复合轮毂和包括该金属 - 聚合物复合轮毂的微型轮毂安装光盘,以便以相对便宜和简单的方法制造,并且在其状态下稳定地卡在盘台的主轴电机中 附着在光盘上。 用于光盘的轮毂(10)包括盘型的上轮毂(12)和下轮毂(16)。 上轮毂(12)具有第一半径长度。 与上部轮毂(12)一体延伸的下部轮毂(16)具有比第一半径长度短的第二半径长度。 在轮毂(10)的中心部分形成有用于同时穿过上轮毂(12)和下轮毂(16)的中心孔(18)。

    병렬 전도층 구조를 갖는 금속-절연체 전이 소자
    49.
    发明授权
    병렬 전도층 구조를 갖는 금속-절연체 전이 소자 有权
    具有平行导电层的破坏金属 - 绝缘体转换器件

    公开(公告)号:KR100701159B1

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:KR1020060057086

    申请日:2006-06-23

    CPC classification number: H01L49/003

    Abstract: A metal-insulator transition device is provided to restrain the damage of a conductive layer and to control properly the amount of current on the conductive layer by using an enhanced conductive layer structure composed of a plurality of conductive layers connected parallel with each other. A metal-insulator transition device comprises a first electrode(104) on a substrate(102), a second electrode, and at least one or more conductive layers. The second electrode(106) is spaced apart from the first electrode. The conductive layers(110) are used for connecting electrically the first and the second electrodes with each other. Each conductive layer has a predetermined width capable of being changed into a metallic state due to the transition of metal-insulator. The conductive layers are connected parallel with each other.

    Abstract translation: 提供金属 - 绝缘体转换装置,以通过使用由彼此平行连接的多个导电层组成的增强导电层结构来适当地控制导电层的电流量,从而适当地控制导电层上的电流量。 金属 - 绝缘体转变装置包括在基底(102)上的第一电极(104),第二电极和至少一个或多个导电层。 第二电极(106)与第一电极间隔开。 导电层(110)用于将第一和第二电极彼此电连接。 每个导电层由于金属绝缘体的过渡而具有能够变成金属状态的预定宽度。 导电层彼此平行连接。

    평면 도파로 상에 빔 입출사 커플러를 갖는 광 헤드
    50.
    发明授权
    평면 도파로 상에 빔 입출사 커플러를 갖는 광 헤드 失效
    光头在平面波导上具有光束输入/输出耦合器

    公开(公告)号:KR100701122B1

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:KR1020050053053

    申请日:2005-06-20

    Abstract: 본 발명의 광 헤드는 빔을 내보내는 송광 소자와, 기판 상에 형성되어 있고, 상기 송광 소자에서 발진된 빔이 전파되는 평면 도파로를 포함한다. 본 발명은 상기 평면 도파로의 일부 표면 상에 박막 형태로 집적되어 있고, 상기 평면 도파로를 통하여 전달된 빔을 받아 상기 평면 도파로 상부에 위치하는 디스크를 향하여 수직으로 보내거나, 상기 디스크에서 반사되는 빔을 다시 평면 도파로를 통하여 보내는 빔 입출사 커플러와, 상기 빔 입출사 커플러를 통하여 상기 평면 도파로로 전파하는 빔을 받는 수광소자를 포함한다. 상기 빔 입출사 커플러는 누설 모드 방향 커플러, 홀로그램 빔 회절기 및 편광 빔 스플리터를 포함하여 구성된다. 본 발명의 상기 빔 입출사 커플러는 평면 도파로 상에 박막 형태로 집적되어 상기 광헤드의 두께를 대폭적으로 줄일 수 있다.

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