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公开(公告)号：KR1019950022265A
公开(公告)日：1995-07-28
申请号：KR1019930030892
申请日：1993-12-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/707
Abstract: 본 발명은 CDMA디지틀 이동통신 시스템에서 가장 중요한 전력 제어 장치중 순방향 링크 전력제어에 대한 효율을 높이기 위한 순방향 전력제어 방법에 관한 것으로, 특히 이동국에서 수신한 전력에 따랄 계산한 FER(Frame Erreor Rate)이 낮은 경우 상기 이동국은 FER기지국제어기의 VS(Vocoder Selector)로 보고하는 제1단계, 상기 VS는 상기 이동국으로 부터 보고받은 FER값이 기준치보다 낮은 경우에만 기지국의 CE(Channel Element)로 순방향 링크 이득을 높이라고 명령하는 제2단계, 및 상기 명령을 받은 기지국의 CE는 순방향 송신전력을 높혀 전력제어를 실행하는 제3단계르 구비하고 있는 것을 특징으로 함으로써 본 발명S의 CE는 주기적으로 자신이 송신하는 순방향 링크 이득값을 보고하지 않아도 되기 때문에 BTS의 CE와 BSC의 VS사이의 송수신데이타가 줄어든다. 이것은 TRUNK의 낭비를 줄이고 더 많은 가입자 수용에 일조하는 결과를 가져온다. 한편으로 BTS의 CE와 BSC의 VS에서 돌아가는 S/W에는 불필요한 루틴이 제거되기 때문에 보다 효율적인 S/W로 구성될수 있는 장점을 가진다.
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公开(公告)号：KR101839855B1
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：KR1020160110199
申请日：2016-08-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: Y02A90/18
Abstract: 파랑정보추출장치및 방법이개시된다. 본발명에따른파랑정보추출장치는, 레이더안테나로부터레이더이미지를수신하는레이더이미지수신부, 수신된상기레이더이미지를디지털형태로변환하는디지털변환부, 상기레이더이미지의분석구간을설정하고, 시간적누적을수행하는분석준비부, 누적된상기분석구간에대한시공간적 3D 고속푸리에변환(FFT)을수행하여, 3차원주파수영역의 3차원스펙트럼으로변환하는 3차원스펙트럼변환부, 그리고상기 3차원스펙트럼기반으로파랑정보를추출하는파랑정보추출부를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150085557A
公开(公告)日：2015-07-24
申请号：KR1020140005154
申请日：2014-01-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01B1/02 , Y10T428/24802
Abstract: 본발명은나노와이어와그래핀혼성구조체의제조방법및 이를적용한투명전극에관한것으로, 전기방사(electro-spinning)법을사용하여나노와이어가길이방향으로정렬된라인패턴을만든후 추가로그래핀시트가분산된용액에담그는디핑(dipping) 방법을사용함으로써나노와이어표면에그래핀시트가달라붙어있는혼성구조체를제조하여이를투명전극에적용하는것이다. 이에따라라인패턴내부에존재하는나노와이어사이의거리를좁혀서교차결합(crosslink)된부분을증가시켜나노와이어금속선의전도특성을개선시켰으며, 또한제작된라인내부에는비교적균일한밀도를가지고나노와이어가존재하는관계로이러한라인패턴을기판전체에제작함으로써, 넓은면적에걸쳐균일한나노와이어분포를가지도록할 수있고, 나노와이어라인패턴을그래핀시트(sheet)가고르게분산되어있는분산용액에담그는디핑(dipping) 공정을채택하여, 나노와이어표면을그래핀시트로덮어열-처리과정에서나노와이어가공기와접촉하여산화되는것을방지할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造纳米线和石墨烯混合结构的方法和使用该方法的透明电极。 通过使用电纺法形成其中纳米线在纵向排列的线图案之后，通过使用浸渍方法制造石墨烯片附着到纳米线表面的混合结构， 浸入其中附加分散石墨烯片的溶液，并将其施加到透明电极。 由于存在于线条图案之间的纳米线之间的距离变窄，所以交联部分增加，从而提高了纳米线金属线的导电性能。 由于纳米线在制造线内具有相对均匀的密度存在，因此在整个基板上制造线图案，从而纳米线均匀分布在广泛的区域上。 作为将纳米线线图案浸渍到石墨烯片均匀分散的分散溶液中的浸渍方法，纳米线的表面被石墨烯片覆盖，从而防止纳米线是 与空气接触并在热处理步骤中氧化。
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公开(公告)号：KR100750508B1
公开(公告)日：2007-08-20
申请号：KR1020060056212
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/341 , B82Y20/00 , H01S5/3403 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2304/00
Abstract: 본 발명은 양자점 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점 레이저 다이오드는 InP 기판 상에 형성되는 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 제1 격자정합층; 상기 제1 격자정합층 상에 형성되며, 교번 성장법에 따라 성장한 In(Ga, Al)As 양자점 또는 In(Ga, Al, P)As 양자점으로 이루어진 양자점층을 하나이상 포함하는 활성층; 상기 활성층상에 형성되는 제2 격자정합층; 상기 제2 격자정합층 상에 형성되는 제2 클래드층; 및 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹콘택층을 포함한다.
이에 따라, 교번 성장법으로 형성된 양자점을 활성층으로 이용함으로써, 양자점의 균일도가 좋아 발광 피크의 반치 폭이 좁고 발광 피크의 세기가 현저히 증가할 수 있어, 소자 특성을 향상시킬 수 있다.
교번 성장법, 양자점, 레이저 다이오드-
公开(公告)号：KR1020070059923A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060086028
申请日：2006-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/1237 , H01S5/1231 , H01S2304/04
Abstract: A quantum dot laser diode and a manufacturing method thereof are provided to acquire a good gain in a wanted oscillation wavelength without influence on a quantum dot uniformity by adapting a grating structure as a variable which has an influence on a quantum dot active layer. A manufacturing method of a quantum dot laser diode includes the steps of: forming a grating structure layer(120) having a plurality of gratings(130) on a substrate(110); forming a first lattice matching layer(140) on an upper part of the grating structure layer(120); forming at least one quantum dot layer(150) having at least one quantum dot on the first lattice matching layer(140); forming a second lattice matching layer(141) on the quantum dot layer(150); forming a clad layer(160) on the second lattice matching layer(141); and forming an ohmic contact layer(170) on the clad layer(160). One of an organic metal chemical deposition method, a molecular line deposition method, and a chemical line deposition method is used in the quantum dot forming step.
Abstract translation: 提供了一种量子点激光二极管及其制造方法，通过使光栅结构作为对量子点有源层有影响的变量来获得所需振荡波长的良好增益，而不影响量子点均匀性。 量子点激光二极管的制造方法包括以下步骤：在衬底（110）上形成具有多个光栅（130）的光栅结构层（120）; 在所述光栅结构层（120）的上部形成第一晶格匹配层（140）; 在所述第一晶格匹配层（140）上形成至少一个具有至少一个量子点的量子点层（150）; 在量子点层（150）上形成第二晶格匹配层（141）; 在所述第二晶格匹配层（141）上形成覆层（160）; 以及在所述包覆层（160）上形成欧姆接触层（170）。 在量子点形成工序中，使用有机金属化学沉积法，分子线沉积法，化学线沉积法之一。
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公开(公告)号：KR1020070059872A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060056215
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2301/185
Abstract: A distributed feedback quantum dot laser structure is provided to acquire stable single mode purity by dividing an upper electrode structure to reduce local carrier saturation and hole burning phenomena. A distributed feedback quantum dot laser structure(300) includes a first clad layer(320) on a lower electrode(310). An optical waveguide(330) is formed on the first clad layer(320). A grating structure layer(340) is formed on the optical waveguide(330) and includes a plurality of gratings(340a) arranged periodically. A first separate confinement hetero layer(345) is formed on the grating structure layer(340). An active layer(350) is formed on the first separate confinement hetero layer(345) and includes at least one quantum dot. A second separate confinement hetero layer(355) is formed on the active layer(350). A second clad layer(360) is formed on the second separate confinement hetero layer(355). An ohmic layer(370) is formed on the second clad layer(360). An upper electrode(380) is formed on the ohmic layer(370).
Abstract translation: 提供分布式反馈量子点激光器结构，通过分割上电极结构以减少局部载流子饱和度和空穴现象，获得稳定的单模纯度。 分布式反馈量子点激光器结构（300）包括在下电极（310）上的第一覆层（320）。 在第一覆盖层（320）上形成有光波导（330）。 在光波导（330）上形成光栅结构层（340），并且包括周期性排列的多个光栅（340a）。 第一分离的约束异质层（345）形成在光栅结构层（340）上。 活性层（350）形成在第一分离限制杂质层（345）上，并包括至少一个量子点。 在活性层（350）上形成第二分开的约束异质层（355）。 第二包层（360）形成在第二分离限制杂质层（355）上。 在第二覆层（360）上形成欧姆层（370）。 上电极（380）形成在欧姆层（370）上。
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公开(公告)号：KR1020070059871A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060056212
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/341 , B82Y20/00 , H01S5/3403 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2304/00
Abstract: A quantum dot laser diode and a manufacturing method there of are provided to improve uniformity of a quantum dot by using a quantum dot of an ideal shape as an active layer of the quantum dot laser diode. A quantum dot laser diode(200) includes a first clad layer(220) on an InP substrate(210). A first lattice matching layer(230) is formed on the first clad layer(220). An active layer(240) is formed on the first lattice matching layer(230) and includes at least one quantum dot layer(245) composed of an In(Ga,Al)As quantum dot or an In(Ga,Al,P)As quantum dot grown by an alternative growth process. A second lattice matching layer(231) is formed on the active layer(240). A second clad layer(250) is formed on the second lattice matching layer(231). An ohmic-contact layer(260) is formed on the second clad layer(250).
Abstract translation: 提供了量子点激光二极管及其制造方法，以通过使用量子点激光二极管的有源层的理想形状的量子点来提高量子点的均匀性。 量子点激光二极管（200）包括在InP衬底（210）上的第一覆盖层（220）。 在第一覆盖层（220）上形成第一晶格匹配层（230）。 活性层（240）形成在第一晶格匹配层（230）上，并且包括由In（Ga，Al）As量子点或In（Ga，Al，P）组成的至少一个量子点层（245） 作为通过替代生长过程生长的量子点。 第二晶格匹配层（231）形成在有源层（240）上。 第二覆盖层（250）形成在第二晶格匹配层（231）上。 欧姆接触层（260）形成在第二覆层（250）上。
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