-
公开(公告)号：KR100640001B1
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020050111882
申请日：2005-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L49/003 , H01L27/0248
Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로-
公开(公告)号：KR1020060064461A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050039098
申请日：2005-05-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L49/003 , H01L29/452
Abstract: 급격한 금속-절연체 전이 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 급격한 금속-절연체 전이 소자의 전극을 Ni(또는 Cr)/In/Mo(또는 W)/Au의 적층막으로 구성한다. Ni(또는 Cr)/In은 저저항 콘택을 위한 것으로, 열처리 과정시 계면 반응에 의해 형성되는 화합물을 이용하여 급격한 금속-절연체 전이 물질막과 전극 사이의 포텐셜 배리어(potential barrier)를 낮추어 전류 유입 효율을 증가시킨다. 그리고, 고출력 소자 동작시 고온 동작시에도 열적으로 안정되게 하는 역할을 수행한다. Mo(또는 W)는 In과 Au 사이에 도입되어 소자 고온 동작 과정에서 Au의 열 확산에 의한 오믹 특성 저항을 방지한다. 본 발명에 따르면 전극 파탄이 없고 신뢰성이 우수한 급격한 금속-절연체 전이 소자를 제공할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020060006195A
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：KR1020040055096
申请日：2004-07-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/1625 , H01L49/003
Abstract: 본 발명의 급격한 금속-절연체 전이 반도체물질을 이용한 2단자 반도체 소자는, 제1 전극막과, 제1 전극막 위에 배치되는 2eV 이하의 에너지 갭과 정공 준위내의 정공을 갖는 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막과, 그리고 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막 위에 배치되는 제2 전극막을 구비한다. 이에 따르면 제1 전극막 및 제2 전극막 사이에 인가되는 전계에 의해 상기 급격한 금속-절연체 전이 반도체 물질막에서는 구조적 상전이가 아닌 정공 도핑에 의한 급격한 금속-절연체 전이가 발생한다.
금속-절연체 전이, 반도체 소자, 온도센서, 광전센서, 메모리 소자-
公开(公告)号：KR100377194B1
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：KR1020000054801
申请日：2000-09-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/136
Abstract: PURPOSE: A super high frequency modulation laser beam generator having a double annular resonator structure is provided to widen a range of modulation frequency of laser ray source by changing a polarization and a wavelength of specific modes of laser ray. CONSTITUTION: A first annular optic fiber laser(50) resonator has a length different from a second annular optic fiber laser resonator(60). An optic fiber coupler(70) couples the first annular optic fiber laser resonator with the second annular optic fiber laser resonator to oscillate double laser modes, so that a beat phenomenon between double laser modes is induced. Each of the first and second annular optic fiber laser resonators has a polarization regulator for modulating a frequency of output rays. The first annular optic fiber laser resonator comprises an optic fiber(51) for amplifying rays, a dispersal compensating fiber(52) for a non-linear polarization effect, an optic direction regulator(53) and a polarization regulator(54). The second annular optic fiber laser resonator comprises a dispersal compensating fiber(62) and a polarization regulator(61).
Abstract translation: 目的：提供一种具有双环形谐振器结构的超高频调制激光束发生器，以通过改变激光射线的特定模式的偏振和波长来扩大激光射线源的调制频率范围。 构成：第一环形光纤激光器（50）谐振器具有不同于第二环形光纤激光谐振器（60）的长度。 光纤耦合器（70）将第一环形光纤激光器谐振器与第二环形光纤激光器谐振器耦合以振荡双激光模式，从而引起双激光模式之间的拍动现象。 第一和第二环形光纤激光器谐振器中的每一个具有用于调制输出光线的频率的偏振调节器。 第一环形光纤激光器谐振器包括用于放大射线的光纤（51），用于非线性极化效应的扩散补偿光纤（52），光学方向调节器（53）和偏振调节器（54）。 第二环形光纤激光器谐振器包括分散补偿光纤（62）和偏振调节器（61）。
-
公开(公告)号：KR1020140050512A
公开(公告)日：2014-04-29
申请号：KR1020130028122
申请日：2013-03-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: The present invention discloses a fire detection system. The system of fire detection includes a power, a display unit connected to the power to display fire, and a metal-insulator transition (MIT) device connected to the power to detect the fire. Herein, the MIT device may include a substrate, a plurality of first electrodes disposed on the substrate, MIT substances of vanadium oxide connected to the first electrodes, and a second electrode connecting the MIT substances in a series.
Abstract translation: 本发明公开了一种火灾探测系统。 火灾检测系统包括电源，连接到显示火的电源的显示单元，以及连接到电源以检测火的金属 - 绝缘体转换（MIT）设备。 这里，MIT装置可以包括基板，设置在基板上的多个第一电极，连接到第一电极的氧化钒的MIT物质和连接MIT物质的第二电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101213470B1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020080125326
申请日：2008-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B1/115 , H01L31/02168 , Y02E10/52
Abstract: 태양전지의반사방지막, 태양전지및 태양전지의제조방법을개시한다. 태양전지의반사방지막은제1유전율의물질로구성된저유전막; 제1유전율의물질보다높은제2유전율의물질로구성된고유전막; 및저유전막과고유전막사이에위치하여제1유전율로부터제2유전율까지점차적으로유전율이상승하도록구성된기울기층을포함한다. 본발명에따르면, 태양전지의광흡수효율을높일수 있다.
-
公开(公告)号：KR101182424B1
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020080129395
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지 및 태양전지 제조방법을 개시한다. 태양전지는 기판; 및 기판의 하부에 형성되고, Si 또는 SiGe 으로 구성되어 서로 다른 게르마늄 조성비율을 갖는 복수의 반도체층들을 포함하는 광흡수층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 게르마늄 조성의 급격한 변화에 의해 야기될 수 있는 스트레스 및 결정결함을 최소화하고, 보다 효율적인 광흡수가 가능하게 한다.
태양전지, 실리콘, 게르마늄, p-형 반도체, i-형 반도체, n-형 반도체-
公开(公告)号：KR1020120002905A
公开(公告)日：2012-01-09
申请号：KR1020100128380
申请日：2010-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L28/24 , H01L25/167 , H01L27/0629 , H01L27/0802 , H01L2224/45147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00011
Abstract: PURPOSE: A metal-semiconductor fusion electronic circuit device and an electronic circuit system using the same are provided to regularly maintain a current which flows in a semiconductor device by including a metal resistance device capable of preventing thermal runaway. CONSTITUTION: A metal resistance device(10) is closely arranged to a semiconductor device(21). The metal resistance device has resistance which is increased in proportion to a heat which is generated from the semiconductor device. A wiring(23) serially interlinks the semiconductor device and the metal resistance device. The metal resistance device has a resistance value of 0.2-10Ω. The metal resistance device is metal oxide transition device or a conducting wire. The metal resistance device is connected at least one among the base of a bipolar bonding transistor, a collector, or an emitter.
Abstract translation: 目的：提供一种金属半导体融合电子电路装置及使用其的电子电路系统，以通过包括能够防止热失控的金属电阻装置来定期地保持在半导体器件中流动的电流。 构成：金属电阻装置（10）紧密地布置在半导体装置（21）上。 金属电阻器件具有与从半导体器件产生的热成比例地增加的电阻。 布线（23）使半导体器件和金属电阻器件串联连接。 金属电阻器件的电阻值为0.2-10Ω。 金属电阻器件是金属氧化物转换器件或导线。 金属电阻器件连接在双极结合晶体管，集电极或发射极的基极中的至少一个。
-
公开(公告)号：KR1020110116970A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020110019643
申请日：2011-03-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 본 발명에 의한 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 그 FET을 구비한 전기전자장치는 열에 의한 FET의 소스-드레인 간 전류 감소 문제를 효과적으로 해결하고, 또한, FET의 온도를 낮출 수 있는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 그 FET을 구비한 전기전자장치를 제공한다. 그 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터는 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET); 및 상기 FET의 표면 또는 발열 부분으로 부착되고, 회로적으로는 상기 FET의 게이트 단자에 연결되어 상기 게이트 단자의 전압을 가변시키는 게이트 제어 소자;를 포함하고, 상기 FET이 소정 온도 이상 상승 시에 상기 게이트 가변 소자에 의해 상기 게이트 단자의 전압이 가변되어 상기 FET의 소스-드레인 사이의 채널 전류가 제어된다.
-
公开(公告)号：KR1020100064742A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020080123326
申请日：2008-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02532 , C30B25/02 , C30B29/08 , H01L21/02381 , H01L21/0262
Abstract: PURPOSE: A method for growing a germanium signal crystal thin film with low penetration dislocation density is provided to improve yield by performing a real time thermal process with a reduced pressure chemical vapor deposition method for a short time. CONSTITUTION: A germanium thin film(210) is grown on a silicon substrate(200) at a low temperature. A real time thermal process is performed for a short time. The germanium thin film is grown at a high temperature after the thermal process. In a step of growing the germanium thin film at the low temperature, the thin film with the thickness of 80 to 120 nm is grown under the process pressure of 30 to 80 torr at a deposition temperature of 300 to 500 degrees centigrade.
Abstract translation: 目的：提供一种用于生长具有低穿透位错密度的锗信号晶体薄膜的方法，以通过在短时间内利用减压化学气相沉积方法进行实时热处理来提高产率。 构成：在低温下在硅衬底（200）上生长锗薄膜（210）。 实时热处理在短时间内进行。 锗薄膜在热处理后在高温下生长。 在低温下生长锗薄膜的步骤中，在300至500摄氏度的沉积温度下，在30至80托的工艺压力下生长厚度为80至120nm的薄膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
133
records
(took 0.023 seconds)
