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公开(公告)号：KR102226020B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020150029815A
申请日：2015-03-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P3/08
Abstract: 본 발명은 전송 라인에 관한 것이다. 본 발명의 전송 라인은, 제1 부분에서 제1 폭을 갖고 제2 부분에서 제1 폭보다 작은 제2 폭을 갖는 제1 도전 라인, 제1 부분과 평행한 제3 부분에서 제1 폭을 갖고 제2 부분과 평행한 제4 부분에서 제2 폭을 갖는 제2 도전 라인, 그리고 제1 도전 라인의 제1 부분의 하부 및 제2 도전 라인의 제3 부분의 하부를 제외한 영역에 배치되며, 제1 및 제2 도전 라인들의 하부에서 제1 및 제2 도전 라인들과 평행하게 이격되어 배치되는 도전 플레이트로 구성된다.
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公开(公告)号：KR20210028050A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020200001972A
申请日：2020-01-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B23K3/02 , B23K26/142 , B23K26/18
CPC classification number: B23K3/029 , B23K26/142 , B23K26/18
Abstract: 본 발명은 솔더가 형성된 기판을 지지하는 스테이지, 상기 솔더를 용융시키도록 구성된 레이저, 상기 용융된 솔더를 흡수하도록 구성된 메시 구조체, 및 상기 메시 구조체를 지지하는 지지 기판을 포함하는 솔더 제거 장치 및 이를 이용한 솔더 제거방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR102253397B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020170105031
申请日：2017-08-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은광 스위치의제조방법을개시한다. 그의방법은기판상에하부클래드층을형성하는단계와, 상기하부클래드층 상에제 1 및제 2 도파로들을형성하는단계와, 상기제 1 및제 2 도파로들사이의제 1 및제 2 열전레그들을갖는열전소자를형성하는단계와, 상기제 1 및제 2 도파로들, 상기열전소자그리고상기하부클래드층의일부상에상부클래드층을형성하는단계를포함한다. 상기제 1 및제 2 도파로들을형성하는단계는, 상기하부클래드층 상에실리콘층을형성하는단계와상기실리콘층을식각하여상기제 1 및제 2 도파로들과, 상기제 1 및제 2 열전레그들의예비열전레그들을형성하는단계를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101857160B1
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR1020110136674
申请日：2011-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/021 , H01S3/0637 , H01S5/0205 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/2272 , H01S5/3027
Abstract: 본발명은반도체레이저제조방법을제공한다. 상기방법은선택된영역내에만레이저발진을위한게르마늄단결정막을선택적에피성장방법으로형성되도록하여, 패브리페로양단의표면거칠기를최소화하도록하고, 반도체레이저제작공정에서절단및 연마공정필요없도록한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170136676A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：KR1020160068312
申请日：2016-06-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체레이저장치는제 1 링공진기및 제 1 링공진기와적어도하나의구간에서교차하는제 2 링공진기및 배열도파로격자를기반으로형성된다파장필터를포함하되, 제 1 링공진기는, 제 1 도파로, 제 2 도파로, 제 1 도파로의일단및 제 2 도파로의일단에연결되고, 광대역스펙트럼을갖는시계방향의입력광 신호및 반시계방향의입력광 신호를출력하는반도체광 증폭기및 제 2 도파로와광학적으로연결되는방향성커플러를포함하고, 다파장필터는제 1 도파로의타단에연결되어시계방향의입력광 신호를수신하고, 제 2 도파로의타단에연결되어반시계방향의입력광 신호를수신한다.
Abstract translation: 但根据本发明的一个实施例的半导体激光装置包含第一环谐振器和第二环形谐振器，并基于所述阵列波导光栅波长滤波器交叉的第环形谐振器中的至少一个部分中，所述第一环形成 谐振器，所述第一波导，所述第二波导，所述半导体光学放大器连接到一个端部和在所述第一波导的第二波导的一端，并且输出所述输入光信号，并且在逆时针方向上在顺时针方向上与宽带频谱的输入光信号 和第二波导和定向耦合器光学耦合到，波长滤波器被连接到第一波导的另一端接收在顺时针方向上的输入光信号，并连接到所述反时针方向的第二波导输入的另一端 并接收光信号。
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公开(公告)号：KR1020160074809A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020140183224
申请日：2014-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/43
CPC classification number: H04B10/43 , Y02P70/611
Abstract: 본발명은광 송수신모듈을제공한다. 광송수신모듈은다층의유전체층들및 다층의금속층들이교대로적층된인쇄회로기판, 상기인쇄회로기판상에배치되어광 신호를전기신호로변환하는광 검출기, 상기인쇄회로기판의상의일측에배치되고전기신호를전달하는제 1 전송선로를포함하는보정부, 상기광 검출기에전원을공급하는전원공급선및 상기제 1 전송선로와연결되어외부에상기전기신호를전달하는제 1 고주파커넥터를포함하고, 상기인쇄회로기판은상기다층의유전체층들및 상기다층의금속층들을전기적으로연결하는복수개의비아들을포함하고, 상기보정부는상기인쇄회로기판상에서돌출되어상기광 검출기와의높이차를보정한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有高传输效率的光收发模块。 光收发模块包括：多个电介质层和多个金属层交替堆叠的印刷电路板; 光检测器，设置在印刷电路板上，并将光信号转换为电信号; 补偿单元，设置在印刷电路板的一侧，并且包括传输电信号的第一传输线; 向光检测器供电的电源线; 以及连接到第一传输线的第一高频连接器，并传送电信号。 印刷电路板包括电连接电介质层和金属层的多个通孔，并且补偿单元从印刷电路板突出以补偿相对于光检测器的高度差。
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公开(公告)号：KR101213228B1
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020090025685
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B25/02 , C30B29/08 , H01L21/205 , H01L31/10
Abstract: 본발명은네가티브광전도특성을갖는게르마늄단결정박막의성장법및 이를이용한광검출기에관한것이다. 본발명에따른게르마늄단결정박막의성장법은감압화학기상증착법(RPCVD)을이용하여, 실리콘기판상에저온에서게르마늄박막을성장시키는단계; 승온시키면서게르마늄박막을성장시키는단계; 및고온에서게르마늄박막을성장시키는단계를포함하며, 본발명에따른 3단계성장법은실리콘기판상에응력이완화되고낮은침투전위밀도를가지면서도표면거칠기가매끄러운우수한특성의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100064742A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020080123326
申请日：2008-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02532 , C30B25/02 , C30B29/08 , H01L21/02381 , H01L21/0262
Abstract: PURPOSE: A method for growing a germanium signal crystal thin film with low penetration dislocation density is provided to improve yield by performing a real time thermal process with a reduced pressure chemical vapor deposition method for a short time. CONSTITUTION: A germanium thin film(210) is grown on a silicon substrate(200) at a low temperature. A real time thermal process is performed for a short time. The germanium thin film is grown at a high temperature after the thermal process. In a step of growing the germanium thin film at the low temperature, the thin film with the thickness of 80 to 120 nm is grown under the process pressure of 30 to 80 torr at a deposition temperature of 300 to 500 degrees centigrade.
Abstract translation: 目的：提供一种用于生长具有低穿透位错密度的锗信号晶体薄膜的方法，以通过在短时间内利用减压化学气相沉积方法进行实时热处理来提高产率。 构成：在低温下在硅衬底（200）上生长锗薄膜（210）。 实时热处理在短时间内进行。 锗薄膜在热处理后在高温下生长。 在低温下生长锗薄膜的步骤中，在300至500摄氏度的沉积温度下，在30至80托的工艺压力下生长厚度为80至120nm的薄膜。
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