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公开(公告)号：KR1019950002179B1
公开(公告)日：1995-03-14
申请号：KR1019910008668
申请日：1991-05-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/22
Abstract: The method includes the steps of growing epitaxial layer (2) of multilayer structure on a semiconductor substrate (1), depositing a thin fluoride film (3) on the layer (2), irradiating electron beams on the predetermined portion of the film (3) to convert the portion into a metal film (4), depositing a passivation film (5) thereon, and diffusing metallic impurities from the film (4), i.e., a diffusion source into the substrate (1), thereby the multilayered structure in a diffusion area being mixed mutually, and the multilayered structure in a protection area by the film (3) being maintained in the multilayer state.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在半导体衬底（1）上生长多层结构的外延层（2），在层（2）上沉积氟化薄膜（3），将电子束照射在薄膜（3）的预定部分上 ）将所述部分转换成金属膜（4），在其上沉积钝化膜（5），并将金属杂质从膜（4）扩散，即扩散源扩散到衬底（1）中，从而将多层结构 扩散区域相互混合，并且通过膜（3）保护区域中的多层结构保持在多层状态。
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公开(公告)号：KR100079473B1
公开(公告)日：1994-11-22
申请号：KR1019910021080
申请日：1991-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/328
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公开(公告)号：KR1019940007450B1
公开(公告)日：1994-08-18
申请号：KR1019910021080
申请日：1991-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/328
Abstract: The method is for manufacturing an optical logic device by applying electric field to a lattice of a multiple quantum well structure so that superior optical modulation characteristic is obtained. The method comprises the steps of: (A) growing a reflection layer (2) and an active region (3) by using MBE process; (B) forming an optical window and forming N-type doping region (4) and a P-type doping region (5) by injecting N-type ion and P-type ion perpendicalar to an active region (3); (C) forming an insulating area (6) to seperate devices electrically; (D) forming contact (7) on a N-type doping region (4) and a P-type region (5); and (G) spraying non-reflecting material on a layer (8).
Abstract translation: 该方法是通过将电场施加到多量子阱结构的晶格来制造光学逻辑器件，从而获得优异的光学调制特性。 该方法包括以下步骤：（A）通过使用MBE工艺生长反射层（2）和有源区（3）; （B）通过向活性区域（3）注入N型离子和P型离子，形成光学窗口并形成N型掺杂区域（4）和P型掺杂区域（5）; （C）形成绝缘区域（6）以电分离器件; （D）在N型掺杂区域（4）和P型区域（5）上形成接触（7）; 和（G）在层（8）上喷射非反射材料。
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公开(公告)号：KR1019940016455A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920023360
申请日：1992-12-04
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판위에 다이아몬드 박막을 증착시키는 방법에 관한 것으로, 다공질 실리콘 위에 다이아몬드를 증착시키면 다공질 실리콘 표면의 미세한 돌출부의 존재로 다이아몬드 결정의 핵생성 밀도가 높아지는 원리를 이용하여, 실리콘 기판위에 치밀하고 평탄한 표면을 갖는 다이아몬드 박막을 증착시키는 방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020010111163A
公开(公告)日：2001-12-17
申请号：KR1020000031334
申请日：2000-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
CPC classification number: H01S3/06754 , H01S3/094003
Abstract: 잡음특성의 큰 변화없이
이득특성을 향상시킨 1530nm 파장대역의 여기광원으로 여기된 장파장대역 에르븀 첨가 광섬유 증폭기에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 장파장대역의 광신호가 입력되는 입력단, 1530nm 파장대역의 여기광원을 여기시키는 여기부, 상기 여기 광원과 입력 광신호를 결합시켜주는 파장분할다중화결합기, 및 상기 여기광원에 의해 고에너지준위를 가진 반전상태에서 상기 입력 광신호를 증폭하는 에르븀첨가 광섬유를 포함하여 이루어지고, 상기 여기부는 상기 1530nm파장대역의 여기 광원이 입력신호광과 같은 방향인 순방향여기, 반대방향인 역방향여기, 순방향여기와 역방향여기를 함께 이용한 양방향여기 또는 2단 증폭구조중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100243655B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960069284
申请日：1996-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/0614 , H01S5/0425 , H01S5/0655 , H01S5/18305 , H01S5/18347 , H01S2301/176
Abstract: 본 발명은 문턱전류(threshold current)를 낮추려는 목적으로 표면방출 레이저(surface-emitting laser)의 공진기 측면에 금속막을 증착시킴으로써, 빛을 3차원 공간(three diemnsional cavity) 안에 속박시켜 광 이득을 높여주고, 또한 이 금속막에 전기장을 가하여 공진기 내로 전류주입을 조절함으로써 측면 누설전류를 줄여 결과적으로 문턱전류가 매우 낮은 특성을 얻을 수 있는 표면방출 레이저의와 그 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019990025518A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047183
申请日：1997-09-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
Abstract: 본 발명은 표면 방출 레이저에 관한 것으로서, 특히 갈륨 비소(GaAs) 등의 화합물 반도체 물질이 갖고 있는 전광(electro-optic) 효과를 이용하여 표면 방출 레이저의 화합물 반도체 거울층의 굴절률을 전기장을 이용하여 편광에 따라 다르게 변화시킴으로써 레이저 공진 파장이 편광에 의존하도록 하는 편광 조절 기능을 갖는 편광 스위칭 표면 방출 레이저 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래 표면 방출 레이저는 구조상 빛의 방출 면에서 대칭적인 구조를 갖고 있으므로 편광 특성을 보이지 않아야 하지만, 공정 상에서 발생되는 비대칭성, 응력 효과 및 전류 주입을 위한 전기장 효과 등에 의하여 편광 특성을 보이고 있다. 그러나 이와 같은 효과들은 인위적이지 않고 일정한 특성을 보이지 않아, 소자별 및 출력별로 편광의 변화가 나타나는 문제점이 도출되었다.
따라서 본 발명은 상부 및 하부 거울중 한쪽 거울에 전기장을 가해주어 편광에 따라 반사율과 반사파의 위상을 변화시킴으로서, 발진 빔의 편광을 인위적이고 능동적으로 스위칭할 수 있는 편광 스위칭 표면 방출 레이저 및 그 제조 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR100146712B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019940025172
申请日：1994-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 수직공진형 표면방출 레이저의 제작에서 식각표면의 비활성화 처리에 관한 발명으로서, 식각된 활성층과 거울층의 표면보호를 위해, 100∼300℃의 저온에서 비정질 갈륨비소를 증착시켜 식각표면을 전기적으로 비활성화 시킨 것을 특징으로 하는 표면방출 레이저 소자의 제작방법이다.
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