-
公开(公告)号：KR1019980050948A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069796
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
제어 트랜지스터를 가진 전계 방출 소자 및 그 제조 방법
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 전자원 장치(electron source device)에 관한 것으로, 제어 트랜지스터를 가진 실리큰 전계 방출 소자를 제공하여, 전자원 장치에서 전자방출의 용이한 제어, 전자방출 특성의 안정화 및 균일성 제고, 소자 파손(failure)을 억제하기 위한 것이다. 또한, 제안된 전계 방출 소자를 저온 공정으로 유리 기판 위에 제조할수 있는 방법을 제공하여, 반도체 공정을 이용한 저가격 및 대면적의 전자원 장치의 제조 방법을 제공한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명의 전계 방출 소자는 절연성 기판 위에 실리콘 전계 방출 소자와 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 실리콘 전계 방출 소자의 캐소드 전극과 상기 박막 트랜지스터의 소스는 전기적으로 서로 연결되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 및 드레인에 인가되는 전압을 조정함으로써 상기 전계 방출 소자의 방출 특성을쉽게 제어할 수 있다.
4. 발명의 중요한 용도
마이크로파 소자 및 센서, 평판 디스플레이 등의 전자원으로 이용되는 전계 방출소자-
公开(公告)号：KR100138874B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940036334
申请日：1994-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 고화질의 액티브 매트릭스 액정표시장치(active matrix LCD)에서 패널의 픽셀 스위치(pixel switch) 또는 주변 구동집적회로(drive IC)에 유용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(polysilicon thin film transistor)를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 박막 트랜지스터의 채널영역인 다결정 실리콘박막의 형성을 위한 비정질 실리콘의 고상결정화 공정을 고압의 산소분위기에서 수행함으로써, 결정핵 생성 및 결정립 공정을 짧은 시간내에 유도하여 전체적인 고상결정화 열처리 시간을 단축함과 동시에 균일한 결정립을 가진 양질의 다결정 실리콘으로 이루어진 채녈영역을 형성한다.-
公开(公告)号：KR1019970009978B1
公开(公告)日：1997-06-19
申请号：KR1019930028483
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/316 , H01L21/31
Abstract: A fabrication method of low-temperature oxide for forming a gate is provided to form the low-temperature oxide of good quality. The method comprises the steps of: growing a first oxide layer(20) on a silicon wafer(10) by high-pressure oxidation at 600 deg.C in O2 gas; and depositing a second oxide layer(30) on the first oxide layer(20) by PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), LPCVD(Low Pressure CVD) or sputtering method at low-temperature less than 600 deg.C. Thereby, it is possible to increase mobility and decrease an oxidation time by forming the low-temperature oxide of good quality.2
Abstract translation: 提供用于形成栅极的低温氧化物的制造方法以形成质量好的低温氧化物。 该方法包括以下步骤：在氧气中在600℃下通过高压氧化在硅晶片（10）上生长第一氧化物层（20）; 以及通过PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子增强化学气相沉积），LPCVD（Low Pressure CVD）或溅射法在低于600℃的低温下在第一氧化物层（20）上沉积第二氧化物层（30）。 因此，可以通过形成质量好的低温氧化物来提高迁移率并减少氧化时间
-
公开(公告)号：KR1019960026968A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036359
申请日：1994-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 고화질의 액티브 매트릭스 액정표시장치에 유용한 다결정 실리콘에 관한 것으로서, 특히 이중게이트를 구비한 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 이중 게이트 구조나 이중채널, 이중 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터의 게이트 전그과 게이트전극 사이에 있는 활성층의 저항값 즉 N∼채널 박막 트랜지스터의 경우는 n+저항을, P-채널 박막 트랜지스터의 경우는 P+저항값을 각각 n-, p- 저항값으로 조절하여 게이트 전그과 개아트 전극사이의 저항길이를 눌이므로써 소자가 차지하는 면적을 줄임과 동시에 누설전류를 감소 시킬수 있다.-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940014925A
公开(公告)日：1994-07-19
申请号：KR1019920025025
申请日：1992-12-22
IPC: C30B29/06
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터의 활성층인 다결정 실리콘막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 다결정 실리콘 박막의 전기적 특정 및 균일도를 향상시킴과 아울러 기존의 고상결정화시 장시간의 열처리에 의한 생산성 저하를 개선시키기 위한 것으로서, 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 다결정 실리콘막 형성시, 600℃이상의 고온에서 기판상에 형성된 비정질 실리콘막의 결정핵을 생성하고, 600℃이하의 저온에서 결정립을 성장하는 공정을 분리 수행하여 결정화 하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막의 제조방법이다.
-
公开(公告)号：KR102238574B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020170082825
申请日：2017-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은전계방출장치에관한것이다. 본발명의전계방출장치는서로이격된캐소드전극과아노드전극; 상기캐소드전극상의에미터; 상기캐소드전극과상기아노드전극사이에위치되고, 상기에미터와중첩되는게이트개구를갖는게이트전극; 및상기게이트전극상에위치되고, 상기게이트개구와중첩되는복수의미세개구들을갖는전자투과시트를포함한다.
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
243
records
(took 0.035 seconds)
