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公开(公告)号：KR1020100070937A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129691
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/06
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor applying an oxide semiconductor thin film doped with boron and a manufacturing method thereof are provided to increase stability at high temperature by applying the oxide semiconductor thin film doped with boron to a channel layer. CONSTITUTION: A source/drain electrode(20) is formed on a substrate(10). A channel layer(30) is formed on the source/drain electrode. A gate insulation layer(40) is formed on the channel layer. A gate electrode(50) is formed on the gate insulation layer. The channel layer is an oxide semiconductor thin film doped with boron. A channel protective layer(A) is formed on the upper side of the channel layer.
Abstract translation: 目的：提供掺杂硼的氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管及其制造方法，以通过将掺杂硼的氧化物半导体薄膜施加到沟道层来提高高温下的稳定性。 构成：在衬底（10）上形成源极/漏电极（20）。 沟道层（30）形成在源极/漏极上。 在沟道层上形成栅绝缘层（40）。 栅电极（50）形成在栅极绝缘层上。 沟道层是掺杂有硼的氧化物半导体薄膜。 沟道保护层（A）形成在沟道层的上侧。
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公开(公告)号：KR100952425B1
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：KR1020080044268
申请日：2008-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/1343 , C09D5/24
Abstract: 본 발명은 미세 패터닝이 가능한 다층 투명 전도막에 관한 것으로, 상기 다층 투명 전도막은 ZnO, Al
2 O
3 , SnO
2 및 Sb
2 Ox를 포함하는 산화물층과 Ag를 주성분으로 하는 금속층을 교대로 적층하여 이루어진다. 본 발명에 따른 다층 투명 전도막은 인듐을 사용하지 않으면서, 낮은 면저항을 얻을 수 있으며, 또한 높은 가시광선 투과율을 얻을 수 있다.
전도막, 산화물, 금속-
公开(公告)号：KR1020090122546A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：KR1020080048419
申请日：2008-05-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: PURPOSE: A multilayer electric component including nothing indium transparent oxide conductive improving the constant resistance is provided to prevent the degradation of an electric component caused by high inter-layer contact resistance by forming low resistance transparent oxide conductive. CONSTITUTION: In a device, n oxide layers and n-1 oxide layers are laminated on the substrate(100) in a transparent oxide conductive(200). An upper functional layer(300) is formed on the transparent oxide conductive. An upper oxide layer(30) of the transparent oxide contacting the functional layer has a contact thickness of 0-10nm. The contact is finger shape. The upper oxide layer includes a first top oxide layer and the second top oxide layer. The thickness of the first top oxide layer is regarded as 90% to 70 about the total thickness of the top oxide layer.
Abstract translation: 目的：提供改善恒定电阻的不含铟透明氧化物导电性的多层电气部件，以通过形成低电阻透明氧化物导电性来防止由高层间接触电阻引起的电气成分的劣化。 构成：在器件中，在透明氧化物导电（200）中，在衬底（100）上层叠n个氧化物层和n-1个氧化物层。 在透明氧化物导电上形成上层功能层（300）。 与功能层接触的透明氧化物的上氧化物层（30）具有0-10nm的接触厚度。 触点是手指形状。 上部氧化物层包括第一顶部氧化物层和第二顶部氧化物层。 第一顶部氧化物层的厚度相对于顶部氧化物层的总厚度为90％至70。
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公开(公告)号：KR1020090108516A
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020080044268
申请日：2008-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/1343 , C09D5/24
CPC classification number: G02F1/13439 , C23C14/086 , G02F1/13471 , H01L51/5215
Abstract: PURPOSE: A multilayer transparent insulation layer capable of performing minute pattern is provided to indicate etch resistance when forming a contact hole on top of the insulation layer without using indium. CONSTITUTION: A multilayer transparent oxide conductive pattern is as follows. An oxide layer(20) of a metal layer is laminated. The oxide layer includes ZnO, Al2O3 and SnO2. A metal layer(30) includes Ag by a main component. An oxide layer(40) includes Sb2Ox. The thickness of the oxide layer is the range between 55nm and 30nm. The thickness of the metal layer is the range between 12nm and 5nm.
Abstract translation: 目的：提供能够执行微小图案的多层透明绝缘层，以在不使用铟的情况下在绝缘层顶部形成接触孔时表示耐蚀刻性。 构成：多层透明氧化物导电图案如下。 层叠金属层的氧化物层（20）。 氧化物层包括ZnO，Al 2 O 3和SnO 2。 金属层（30）由主要成分构成Ag。 氧化物层（40）包括Sb 2 O x。 氧化物层的厚度在55nm和30nm之间。 金属层的厚度在12nm和5nm之间。
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公开(公告)号：KR100916331B1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：KR1020070133532
申请日：2007-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 3차원 영상 표시 방법 및 장치에 관한 것으로, 적은 수의 투명 디스플레이 패널을 적층하여 실제와 같은 3차원 영상을 출력하기 위한 장치 및 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 디스플레이 패널을 이용한 3차원 영상 표시 방법은, 서로 거리를 가지도록 적층된 하나 이상의 투명 디스플레이 패널을 상기 투명 디스플레이 패널의 적층 방향을 따라 상기 거리만큼 왕복 운동시키는 단계; 및 상기 왕복 운동 중에 3차원 영상 데이터의 깊이 정보 및 상기 투명 디스플레이 패널의 위치 정보를 기반으로 상기 3차원 영상 데이터를 각각의 상기 투명 디스플레이 패널에 2차원 영상 데이터로 분배하여 출력하는 단계를 포함한다.
투명 디스플레이, 3차원 영상-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101403409B1
公开(公告)日：2014-06-03
申请号：KR1020100039411
申请日：2010-04-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L29/78648
Abstract: 본 발명은 이중 게이트 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 장치에 있어서, 하부 게이트 전극; 상기 하부 게이트 전극 상의 상부 게이트 전극; 상기 하부 게이트 전극과 상기 상부 게이트 전극 사이에 개재되어 상기 하부 게이트 전극과 상기 상부 게이트 전극을 연결하는 콘택플러그; 및 상기 상부 게이트 전극과 동일한 높이에 상기 상부 게이트 전극으로부터 이격되어 형성된 기능 전극을 포함한다. 본 발명에 따르면, 전계 효과 이동도가 높은 이중 게이트 트랜지스터를 반도체 장치에 적용시킴으로써, 반도체 장치의 특성을 개선할 수 있다. 특히, 본 발명에 따르면, 별도의 마스크 공정이나 증착 공정을 추가할 필요가 없으므로, 공정 단가의 상승이나 수율 감소 없이 대면적·고화질의 반도체 장치를 대량 생산할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140002252A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：KR1020120070280
申请日：2012-06-28
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B26/005 , B01L2400/0427 , B32B2307/728 , B32B2307/73 , G02B2207/115 , G02F1/167 , G09G3/348
Abstract: The present invention relates to an electrofluidic display. The electrofluidic display comprises: a substrate; a plurality of electrodes present on the upper part of the substrate with a certain interval; a hydrophilic or hydrophobic insulation film coating the upper part of the substrate including the plurality of electrodes; a light guide plate placed to oppose the upper part of the substrate; and a plurality of water and oil containing pixels, placed in between the insulation film and the light guide plate, defined by a barrier rib which separates each electrode from a neighboring electrode.
Abstract translation: 本发明涉及一种电流体显示器。 电流体显示器包括：基底; 多个电极以一定的间隔存在于衬底的上部; 涂覆包括所述多个电极的所述基板的上部的亲水或疏水绝缘膜; 放置成与基板的上部相对的导光板; 以及放置在绝缘膜和导光板之间的多个含油和油的像素，其由隔离每个电极与相邻电极的隔板限定。
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公开(公告)号：KR101283686B1
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020090111657
申请日：2009-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원 , 주식회사 나노신소재
IPC: H01B1/22 , H01B1/02 , H01L21/203
Abstract: 본 발명은 열안정성 투명 도전막 및 투명 도전막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명 도전막은 산화인듐 및 산화주석에 티타늄을 포함시킴으로써 비교적 낮은 온도에서의 열처리에도 결정화되고, 안정적인 비저항값을 가져 열안정성을 이룰 수 있다.
열안정성, 투명, 도전막, 티타늄-
公开(公告)号：KR1020120127166A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020110094568
申请日：2011-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66742 , H01L29/78606
Abstract: PURPOSE: An oxide thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve reliability of a photovoltage by forming a diffusion preventing layer which prevents a hole and an ionized oxygen vacancy from moving in a low temperature of 50°C-200°C. CONSTITUTION: A gate electrode(20) is formed on a substrate(10). A gate insulating layer(30) is formed on the upper side of the substrate including the gate electrode. A source electrode(40a) and a drain electrode(40b) are formed on both sides of the gate insulating layer. An active layer(50) and a protective layer(60) are formed on the top of the substrate including a part of the drain electrode and the source electrode. The active layer comprises an oxide semiconductor and a diffusion preventing layer.
Abstract translation: 目的：提供一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，以通过形成防止空穴和电离氧空位在50℃-200℃的低温下移动的扩散防止层来提高光电压的可靠性。 构成：在基板（10）上形成栅电极（20）。 在包括栅电极的基板的上侧形成栅极绝缘层（30）。 源极电极（40a）和漏电极（40b）形成在栅极绝缘层的两侧。 在包括漏电极和源电极的一部分的衬底的顶部上形成有源层（50）和保护层（60）。 有源层包括氧化物半导体和扩散防止层。
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公开(公告)号：KR101182403B1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：KR1020080131647
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명에 따른 투명 트랜지스터는 기판, 하부 투명층, 금속층 및 상부 투명층의 다층 구조를 가지며, 상기 기판 위에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되어 있는 채널, 그리고 상기 채널과 정렬되어 있는 게이트 전극을 포함하며, 상기 하부 투명층 또는 상부 투명층이 상기 채널과 동일한 투명 반도체층으로 형성되어 있다. 따라서, 다층 투명전도막을 활용하여 투명도 및 전도도를 확보하면서, 소스/드레인 전극과 반도체의 접촉 저항 문제를 해결하고, 박막 증착 시에 추가되는 공정에 비하여 패터닝 공정의 감소로 공정의 효율성이 높아질 수 있다.
투명 소자, 투명 트랜지스터, 투명 전도막
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