公开(公告)号：KR1020120043318A

公开(公告)日：2012-05-04

申请号：KR1020100104557

申请日：2010-10-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기현 ,  이원재

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/167

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133305 ,  G02F2202/28

Abstract: PURPOSE: An electronic device and a manufacturing method thereof are provided to bond first and second substrates with air bubbles in an optical shutter, thereby facilitating processes. CONSTITUTION: A second substrate(200) is separated from a first substrate(100). A first bonding part(112) bonds the first and second substrates between the first substrate and the second substrate. The first bonding part includes an opening(107). A second bonding part(114) bonds the first and second substrates. The second bonding part surrounds the first bonding part. The second bonding part includes a closed loop.

Abstract translation: 目的：提供一种电子设备及其制造方法，用于在光学快门中将气泡粘合在第一和第二基板上，从而便于加工。 构成：第二衬底（200）与第一衬底（100）分离。 第一接合部分（112）在第一基板和第二基板之间结合第一和​​第二基板。 第一结合部分包括开口（107）。 第二接合部分（114）结合第一和​​第二基底。 第二接合部包围第一接合部。 第二结合部包括闭环。

公开(公告)号：KR1020110070634A

公开(公告)日：2011-06-24

申请号：KR1020090127524

申请日：2009-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이원재 ,  이지현 ,  오병택 ,  김원영 ,  원희선 ,  허성진

IPC: G06F9/45 ,  G06F11/36

CPC classification number: G06F8/44 ,  G06F8/71 ,  G06F11/3624

Abstract: PURPOSE: A software development system in an SaaS environment is provided to enable software customization for an independent company by developing and saving software in a replaceable element unit. CONSTITUTION: A software editor(30) supports the editing of software in a replaceable software component unit. A version manager(50) stores the software source code passing through verification to a database by versions. A compiler(60) stores the database by compiling the stored software source code. A test manager(70) tests the compiled software source code according to SaaS(Software as a Service) platform version.

Abstract translation: 目的：提供SaaS环境中的软件开发系统，通过在可更换单元中开发和保存软件，为独立公司实现软件定制。 规定：软件编辑器（30）支持在可替换的软件组件单元中编辑软件。 版本管理器（50）通过版本将通过验证的软件源代码存储到数据库。 编译器（60）通过编译存储的软件源代码来存储数据库。 测试经理（70）根据SaaS（软件即服务）平台版本测试编译的软件源代码。

公开(公告)号：KR100797389B1

公开(公告)日：2008-01-28

申请号：KR1020060036280

申请日：2006-04-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박유현 ,  정진환 ,  이용주 ,  우상민 ,  이원재 ,  김창수 ,  김학영

IPC: H04N21/238 ,  G06Q50/10 ,  H04N21/432 ,  H04N21/44 ,  H04N21/234 ,  H04L29/06

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 다중 디스크립션 코딩을 이용한 클러스터 기반의 스트리밍 시스템 및 그 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 스트리밍 서비스를 위한 멀티미디어 데이터를 다중 디스크립션 코딩(Multiple Description Coding)을 이용하여 각각 인코딩 및 저장하고, 인터넷을 통해 클라이언트로 상기 멀티미디어 데이터를 전송할 때 디스패처 및 다수의 스트리밍 서버를 통해 각 디스크립션을 스트리밍 함으로써, 클러스터 내 서버 간의 부하를 균등하게 함과 동시에 클라이언트/네트워크 상태에 적응 가능한 서비스를 제공할 뿐만 아니라 일부 서버의 고장 시에도 지속적으로 서비스를 제공하기 위한, 다중 디스크립션 코딩을 이용한 클러스터 기반의 스트리밍 시스템 및 그 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 클러스터 기반의 스트리밍 시스템에 있어서, 각 콘텐츠의 디스크립션 정보, 해당 디스크립션을 저장하고 있는 스트리밍 서버 정보, 서버 부하 정보, 현재 서비스 중인 스트림 정보와 같은 메타데이터를 저장하고 있는 메타데이터 데이터베이스; 클라이언트로부터의 스트리밍 서비스 요청에 따라 해당되는 콘텐츠의 디스크립션 정보, 해당 디스크립션을 저장하고 있는 스트리밍 서버 정보, 서버 부하 정보, 현재 서비스 중인 스트림 정보와 같은 메타데이터를 상기 메타데이터 데이터베이스로부터 전달받고, 상기 전달받은 정보(메타데이터)를 기반으로 결정한 스트리밍 서버 정보를 상기 클라이언트로 회신하기 위한 디스패처; 및 콘텐츠의 디스크립션을 저장하고 있고, 상기 디스패처로부터 클라이언트 정보 및 디스크립션 파일명을 전달받음에 따라 해당되는 디스크립션을 상기 클라이언트 정보를 이용하여 전송하기 위한 스트리밍 서버를 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 스트리밍 시스템 등에 이용됨.
멀티미디어 데이터 스트리밍, 클러스터, 다중 디스크립션 코딩

公开(公告)号：KR100594951B1

公开(公告)日：2006-06-30

申请号：KR1020040091045

申请日：2004-11-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박유현 ,  배승조 ,  김진미 ,  김창수 ,  우상민 ,  전승협 ,  이원재 ,  김학영 ,  김명준

IPC: G06Q50/10 ,  G06F3/06

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 NS(Network Storage) 카드를 이용한 컨텐츠 전송 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 NS 카드를 이용한 서버를 대용량 저장 장치와 연동시킴으로써 사용자가 요구하는 대용량 컨텐츠를 사용자에게 고속으로 제공하기 위한, NS 카드를 이용한 컨텐츠 전송 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 하나의 서버에서 NS 카드를 이용한 컨텐츠 전송 방법에 있어서, 단말로부터의 컨텐츠 요구에 따라 상기 사용자와 최근접된 서버가 자신의 NS 카드에 장착된 소용량 저장 장치에 해당 컨텐츠가 존재하는지를 검사하는 제 1 컨텐츠 유무 검사 단계; 상기 제 1 컨텐츠 유무 검사 결과, 상기 해당 컨텐츠가 존재하는 경우, 상기 해당 컨텐츠의 완결성을 분석하는 컨텐츠 완결성 분석 단계; 상기 컨텐츠 완결성 분석 결과, 상기 NS 카드에 장착된 소용량 저장 장치에 상기 해당 컨텐츠 전체가 존재하는 경우, 상기 해당 컨텐츠 전체를 상기 단말로 전송하는 단계; 상기 컨텐츠 완결성 분석 결과, 상기 NS 카드에 장착된 소용량 저장 장치에 상기 해당 컨텐츠의 일부분이 존재하고 상기 서버의 대용량 저장 장치에 상기 해당 컨텐츠의 나머지 부분이 존재함에 따라 상기 해당 컨텐츠 일부분을 상기 단말로 전송하 고, 상기 해당 컨텐츠의 나머지 부분을 상기 해당 컨텐츠 일부분이 저장되어 있는 NS 카드에 장착된 소용량 저장 장치에 저장한 후 메타테이블 갱신 및 상기 단말로 전송하는 단계; 및 상기 제 1 컨텐츠 유무 검사 결과, 상기 서버의 NS 카드에 장착된 소용량 저장 장치에 상기 해당 컨텐츠가 존재하지 않고 상기 서버의 대용량 저장 장치에 상기 해당 컨텐츠가 존재함에 따라 상기 해당 컨텐츠를 저장할 NS 카드를 지정하고, 상기 지정된 NS 카드에 장착된 디스크로 상기 해당 컨텐츠를 저장한 후 메타테이블 갱신 및 상기 단말로 전송하는 단계를 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 컨텐츠 분배 시스템 등에 이용됨.
NS 카드, 컨텐츠 전송, 대용량 저장 장치

公开(公告)号：KR1020060070287A

公开(公告)日：2006-06-23

申请号：KR1020040108973

申请日：2004-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김창수 ,  배승조 ,  김진미 ,  박유현 ,  우상민 ,  전승협 ,  이원재 ,  김학영

IPC: G06Q50/10 ,  G06F15/16

CPC classification number: G06F17/30132 ,  G06F17/30094 ,  G06F17/30194

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 다중 서비스 타입 관리 기능을 가지는 컨텐츠 분배 관리 시스템 및 그 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 컨텐츠를 테이블의 형태로 관리함으로써 컨텐츠를 제공하기 위한 다수의 광역 서버를 지원하고 광역 서버 및 서비스 타입에 따라 상이한 정책을 적용하여 컨텐츠를 관리하기 위한 컨텐츠 분배 관리 시스템 및 그 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 다중 서비스 타입 관리 기능을 가지는 컨텐츠 분배 관리 시스템에 있어서, 대용량 컨텐츠 라이브러리를 구비하고 광역 통신망을 통해 지역 서버에 필요한 컨텐츠를 공급하기 위한 다수의 광역 서버; 광역 통신망을 통해 연결되어 있는 상기 다수의 광역 서버로부터의 컨텐츠를 광역 서버 및 서비스 타입별로 관리하고, 지역 컨텐츠 캐쉬를 구비하며 근거리 통신망을 통해 연결되어 있는 최종 단말의 컨텐츠 스트리밍 서비스 요청에 대응하여 컨텐츠 서비스를 수행하는 다수의 상기 지역 서버를 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 컨텐츠 분배 관리 시스템 등에 이용됨.
컨텐츠 분배 관리 시스템, 광역 컨텐츠 테이블, 지역 컨텐츠 테이블, 컨텐츠 스토리지 정책 테이블, 스토리지 관리 테이블

公开(公告)号：KR100489800B1

公开(公告)日：2005-05-16

申请号：KR1020020074016

申请日：2002-11-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용의 ,  강승열 ,  안성덕 ,  서경수 ,  이원재

IPC: H01L27/108 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 메모리 소자를 구성하는 캐패시터에 있어서, 나노미터 혹은 마이크로미터의 지름을 가지는 전도성 와이어를 이용하고 상기 전도성 와이어 상에 유전층을 형성함으로써 획기적으로 증가된 충전용량을 가진 초고밀도 메모리 소자의 구현이 가능한 캐패시터 및 그 제조방법을 개시한다.

公开(公告)号：KR100449072B1

公开(公告)日：2004-09-18

申请号：KR1020020028064

申请日：2002-05-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이원재 ,  류상욱 ,  유인규 ,  유병곤

IPC: H01L27/04

Abstract: PURPOSE: A ferroelectric device and a fabricating method therefor are provided to form a Pb(Zr,Ti)O3 layer having a high state of remnant polarization and the low leakage current by using a silicon nitride layer in a bottom electrode structure. CONSTITUTION: A silicon nitride layer(13) is formed on an upper portion of a silicon substrate(11) in order to change a characteristic of a ferroelectric layer(16). A bottom electrode(15) is formed on an upper portion of the silicon nitride layer(13). The ferroelectric layer(16) is formed on an upper portion of the bottom electrode(15). An upper electrode(17) is formed on an upper portion of the ferroelectric layer(16). The ferroelectric layer(16) includes a red zirconium titanium oxide layer. A composition ratio of Zr and Ti of the red zirconium titanium oxide layer is 25:75 to 30:70.

Abstract translation: 目的：提供铁电器件及其制造方法，以通过在底部电极结构中使用氮化硅层来形成具有高剩余极化状态和低漏电流的Pb（Zr，Ti）O 3层。 构成：为了改变铁电层（16）的特性，在硅衬底（11）的上部形成氮化硅层（13）。 底部电极（15）形成在氮化硅层（13）的上部上。 铁电层（16）形成在底部电极（15）的上部。 上电极（17）形成在铁电层（16）的上部。 铁电层（16）包括红色锆钛氧化物层。 红色锆钛氧化物层的Zr和Ti的组成比为25:75至30:70。

公开(公告)号：KR100419571B1

公开(公告)日：2004-02-19

申请号：KR1020000087031

申请日：2000-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병곤 ,  유종선 ,  유인규 ,  이원재 ,  양일석

IPC: G11C11/22

Abstract: PURPOSE: A single transistor ferroelectric memory device is provided, which minimizes a capacitance coupling by reducing a capacitance between adjacent wells, and minimizes an RC delay time by reducing a resistance of the well. CONSTITUTION: A p+ doped layer(402) is formed on an n silicon substrate(401), and a p well(403) is formed thereon. An n+ source/drain(404) is formed on a surface of the p well, and a ferroelectric transistor is constituted by stacking a ferroelectric thin film and a gate electrode on the p well between the source and the drain. And a p+ diffusion layer(408) is formed by being separated from the source/drain by a field oxide(407b) on the surface of the p well. A metal layer(410) is contacted to the n+ source/drain and the p+ diffusion layer through an interlayer insulation film(409) respectively. A trench oxide(411) is formed into a fixed depth of the n silicon substrate by penetrating the p+ doped layer from the surface of the p well. Because a pulse voltage is applied to each port independently by the trench oxide, an electrical disturb from a device array of an adjacent column is prevented during a read/write operation.

Abstract translation: 目的：提供单晶体管铁电存储器件，其通过减小相邻阱之间的电容来最小化电容耦合，并通过减小阱的电阻来最小化RC延迟时间。 构成：在n硅衬底（401）上形成p +掺杂层（402），并在其上形成p阱（403）。 在p阱的表面上形成n +源极/漏极（404），并且通过在源极和漏极之间的p阱上堆叠铁电薄膜和栅电极来构成铁电晶体管。 并且通过在p阱的表面上通过场氧化物（407b）与源极/漏极分离来形成p +扩散层（408）。 金属层（410）分别通过层间绝缘膜（409）与n +源极/漏极和p +扩散层接触。 通过从p阱的表面穿透p +掺杂层，将沟槽氧化物（411）形成为n型硅衬底的固定深度。 由于沟槽氧化物独立地向每个端口施加脉冲电压，因此在读取/写入操作期间防止来自相邻列的器件阵列的电气干扰。

公开(公告)号：KR1020030073224A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020020012670

申请日：2002-03-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유인규 ,  유병곤 ,  이원재 ,  류상욱

IPC: H01L21/8242

Abstract: PURPOSE: A method for etching a thin film and a method for manufacturing a transistor and a capacitor of a semiconductor device using the same are provided to be capable of simplifying manufacturing processes and preventing the damage of a lower layer and the generation of residues by simultaneously patterning a metal thin film and a ferroelectric thin film using a helicon plasma etching process. CONSTITUTION: After forming a lower structure at the upper portion of a semiconductor substrate(201), an SBT(SrxBi1-xTa2O9) thin film(202), a metal thin film(203), and a metal mask(204) are sequentially formed on the resultant structure. Then, the metal thin film and the SBT thin film are simultaneously patterned by carrying out a helicon plasma etching process using the metal mask as an etching mask.

Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻薄膜的方法以及使用其制造半导体器件的晶体管和电容器的方法，以能够简化制造工艺并防止下层的损坏和同时产生残留物 使用螺旋等离子体蚀刻工艺构图金属薄膜和铁电薄膜。 构成：在半导体基板（201）的上部形成下部结构后，依次形成SBT（SrxBi1-xTa2O9）薄膜（202），金属薄膜（203）和金属掩模（204） 在结果结构上。 然后，通过使用金属掩模作为蚀刻掩模进行螺旋等离子体蚀刻工艺，同时构图金属薄膜和SBT薄膜。

公开(公告)号：KR1020030069242A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：KR1020020008664

申请日：2002-02-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 류상욱 ,  이원재 ,  유인규 ,  유병곤

IPC: H01L27/10

Abstract: PURPOSE: A ferroelectric device is provided to improve an electrical characteristic of a ferroelectric memory device and a non-cooling infrared sensor using a ferroelectric by forming a bismuth oxide layer having relatively high leakage current through an atomic layer deposition(ALD) method using plasma so that a buffer layer is formed. CONSTITUTION: A lower electrode is formed on a silicon substrate(1). The bismuth oxide layer(15) is formed on the substrate including the lower electrode. A ferroelectric layer(16) is formed on the bismuth oxide layer. An upper electrode is formed on the substrate including the ferroelectric layer.

Abstract translation: 目的：通过使用等离子体的原子层沉积（ALD）方法，通过形成具有相对较高的漏电流的氧化铋层，提供铁电存储器件和使用铁电体的非冷却红外传感器的电特性的铁电体 形成缓冲层。 构成：在硅衬底（1）上形成下电极。 在包括下电极的基板上形成氧化铋层（15）。 在氧化铋层上形成铁电体层（16）。 在包含铁电层的基板上形成上电极。