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公开(公告)号：KR102229140B1
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：KR1020140120051A
申请日：2014-09-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H02N2/186 , H01L41/1136 , H02N2/22
Abstract: 본 발명은 에너지 하베스팅 소자, 그의 제조 방법, 및 그를 포함하는 무선 장치를 개시한다. 그의 소자는, 지지 체와, 상기 지지 체에 연결된 제 1 캔틸레버와, 상기 제 1 캔틸레버 상의 기전 층을 포함할 수 있다. 제 1 캔틸레버는 지지 체로부터 멀어질수록 점진적으로 두꺼워질 수 있다.
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公开(公告)号：KR102013226B1
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：KR1020120130550
申请日：2012-11-16
Applicant: 한국전자통신연구원 , 단국대학교 산학협력단
IPC: H01L29/739 , H01L29/66 , H01L21/31
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公开(公告)号：KR101858234B1
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：KR1020110116256
申请日：2011-11-09
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H02K5/04 , H02K41/031 , H02K2201/18
Abstract: 본발명은구형휠 모터에관한것으로서, 주위의자화방향에따라회전의자유도를가지는구 형태의회전자; 상기회전자를감싸는돔 형태로이루어지고, 내부에분포된다수의코일이다양한각도에서자화를내어상기회전자에회전의자유도를부여하는고정자; 및상기회전자의위치를식별하고, 상기회전자의위치에따라상기고정자의각각의코일에전류를공급하여상기회전자를구동시키는구동부를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101854395B1
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：KR1020110124212
申请日：2011-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H02M1/088 , H02M7/5387 , H02M2001/0012
Abstract: 본발명은전력제어구동장치및 그방법에관한것이다. 본발명의전력제어구동장치는정현파신호발생부, 상기정현파신호발생부로부터입력된정현파를멀티비트제어신호로변환하는제어신호변환부및 상기제어신호변환부로부터입력된멀티비트제어신호에의해변화되는전압을출력하는 3상인버터회로를포함하며, 상기제어신호변환부는아날로그정현파를디지털신호로변환하는멀티비트시그마-델타변조기를포함하고, 상기 3상인버터회로는상기제어신호변환부로부터입력된멀티비트제어신호에의해온-오프상태가변화되는복수개의스위치부를포함한다. 따라서본 발명의전력제어구동장치및 그방법은감소된출력잡음을가지는전력제어를가능하게할 것이다.
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公开(公告)号：KR1020170083866A
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：KR1020160003295
申请日：2016-01-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H02M3/158 , H02M1/08 , H02M2001/009
Abstract: 본발명의실시예에따른변환기는입력에너지를저장하는단일인덕터, 인덕터의접지경로를제공하는접지스위치, 인덕터에저장된에너지를유지하는인덕터스위치, 인덕터에저장된에너지를다중출력으로전달하는출력스위치들, 및상기스위치들의컨트롤러를포함할수 있다. 상기스위치컨트롤러는다중출력간간섭을판단하여다중출력간의간섭을줄일수 있도록, 스위치제어신호들을생성할수 있다. 본발명에의하면, 다중출력간의간섭을감소시키는단일인덕터다중출력직류-직류변환기를제공할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的转换器，输出开关将存储在电感器开关能量，以保持存储在所述接地开关的能量的电感器，所述电感器以提供单个电感器的接地路径，电感器相对于输入能量存储为多输出 以及开关的控制器。 开关控制器可产生开关控制信号以确定多个输出之间的干扰以减少多个输出之间的干扰。 根据本发明，可以提供减少多个输出之间的干扰的单电感器多输出DC-DC转换器。
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公开(公告)号：KR101753738B1
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020110095886
申请日：2011-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03M1/12
Abstract: 아날로그디지털변환기는표본화된아날로그입력신호와기준신호간의비교결과를출력하고, 전력제어신호에응답하여전력공급동작을제어하는전처리증폭기, 비교결과에근거하여디지털신호를생성하는디지털신호처리기, 전처리증폭기의동작을제어하기위한증폭기동작클럭신호를생성하는전력제어기, 및증폭기동작클럭신호의하강에지의개수를카운팅하고, 카운팅된하강에지의개수에따라전처리증폭기의전력차단시점을검출하는카운터를포함하고, 전력제어기는카운터의전력차단시점의검출에응답하여전처리증폭기로공급되는전력을차단하기위한전력제어신호를생성한다.
Abstract translation: 模拟 - 数字转换器采样的模拟输入信号和用于输出信号之间的比较结果的参考数字信号处理器，预处理放大器，并生成基于该前置放大器，用于响应于所述功率控制信号控制所述电源的操作的比较结果的数字信号 以及计数器，用于计数放大器操作时钟信号的下降沿的数量，并根据计数的下降沿数量检测预处理放大器的电源切断时间 并且功率控制器响应于检测到计数器的功率切断定时而生成功率控制信号，用于切断提供给预处理放大器的功率。
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公开(公告)号：KR101739911B1
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：KR1020110036187
申请日：2011-04-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H02P6/10
Abstract: 아날로그연산에의해역기전력을계산하는전처리부를구비한전동기제어장치가제공된다. 그러한전동기제어장치는오프셋보상부및 역기전력계측부를포함할수 있다. 오프셋보상부는전동기로부터 3상전류신호를수신하고, 그것의오프셋을보상한다. 역기전력계측부는상기보상된전류신호및 전동기로부터의 3상전압신호를수신하고, 아날로그연산에의해상기수신된전류신호및 전압신호에대응하는역기전력을계산하여제공한다.
Abstract translation: 提供了一种电动机控制装置，其包括用于通过模拟计算来计算反电动势的预处理部分。 这种电动机控制设备可以包括偏移补偿部分和反电动势测量部分。 偏移补偿部分接收来自电机的三相电流信号并补偿其偏移。 反电动势测量单元从电机接收补偿电流信号和三相电压信号，并通过模拟计算来计算并提供与接收的电流信号和电压信号相对应的反电动势。
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公开(公告)号：KR1020150086752A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020140006794
申请日：2014-01-20
Applicant: 한국전자통신연구원 , 단국대학교 산학협력단
IPC: H01L27/04
Abstract: 본발명은정전기방전보호회로에관한것이다. 본발명의정전기방전보호회로는기판상에형성된 N 베리드영역, N 베리드영역상에형성된딥 N웰, 딥 N웰좌측에형성되는제 1 싱크영역, 딥 N웰내에형성되고, 양의단자에연결된제 1 P+도핑영역과제 1 N+도핑영역을포함하는제1 N웰, 딥 N웰내에형성되고, 외부저항을통해서음의단자에연결된제 2 P+도핑영역, 제 3 P+도핑영역, 및제 4 P+도핑영역과, 음의단자에연결된제 2 N+도핑영역및 제 3 N+도핑영역을포함하는 P웰, 딥 N웰내에형성되고, 양의단자에연결된제 5 P+도핑영역과제4 N+도핑영역을포함하는제 2 N웰, 딥 N웰우측에형성되는제2 싱크영역, 제 1 N+도핑영역과제 1 N웰사이에형성된제 1 N웰저항, P웰과, 제 2 P+도핑영역, 제 3 P+도핑영역, 및제 4 P+도핑영역사이에형성된 P웰저항, 제 4 N+도핑영역과제 2 N웰사이에형성된제 2 N웰저항, 딥 N웰과 N 베리드영역사이에형성되고, N 베리드영역에형성된일측이제 1 N+도핑영역과연결된제 1 딥 N웰저항, 및딥 N웰과 N 베리드영역사이에형성되고, N 베리드영역에형성된일측이제 4 N+도핑영역과연결된제2 딥 N웰저항을포함한다.
Abstract translation: 静电放电保护电路技术领域本发明涉及静电放电保护电路。 本发明的静电放电保护电路包括：形成在基板上的N掩埋区域; 在N埋地区形成深N井; 在深N井左侧形成的第一个水槽区; 在深N阱中形成的第一N阱，其包括连接到正极端子的第一N +掺杂区域和第一P +掺杂区域; 在深N阱中形成的P阱，其包括通过外部电阻连接到负极端子的第二P +掺杂区域，第三P +掺杂区域和第四P +掺杂区域，并且包括第二N +掺杂区域和 连接到负极的第三N +掺杂区域; 在深N阱中形成的第二N阱，其包括连接到正极端子的第四N +掺杂区域和第五P +掺杂区域; 形成在深N井右侧的第二个水槽区; 形成在N +掺杂区域和第一N阱之间的第一N阱电阻; 在P阱和具有第二P +掺杂区域的区域，第三P +掺杂区域和第四P +掺杂区域之间形成P阱电阻; 形成在第四N +掺杂区和第二N阱之间的第二N阱电阻; 形成在深N阱和N掩埋区之间的第一深N阱电阻，其中形成在N掩埋区中的一侧连接到第一N +掺杂区; 以及形成在深N阱和N掩埋区域之间的第二深N阱电阻，其中形成在N掩埋区域的一侧连接到第四N +掺杂区域。
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