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公开(公告)号：KR100833491B1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：KR1020060038331
申请日：2006-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/0635 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , G11C2213/79 , H01L21/8249 , H01L27/2445 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , Y10S438/947
Abstract: 고기능 및 다기능의 SOC의 구현에 필요한 임베디드 메모리 및 그 제조방법에 대해 개시한다. 그 메모리 및 방법은 기판에 각각 인접하여 배치되고 전기적으로 연결된 바이폴라 트랜지스터, 상변화 메모리 소자 및 MOS 트랜지스터를 포함한다. 이때, 바이폴라 트랜지스터는 콜렉터 상에 배치된 SiGe으로 이루어진 베이스를 포함한다. 상변화 메모리 소자는 전류에 의하여 비정질 상태와 결정 상태로 가역적으로 변환되는 상변화 재료층 및 상변화 재료층의 하부에 콘택되며 SiGe으로 이루어진 발열층을 포함할 수 있다.
SOC, 임베디드 메모리, SiGe, 베이스, 상변화 메모리, BiCMOS-
公开(公告)号：KR100687709B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020040089162
申请日：2004-11-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C11/5692 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 복수의 개별적인 단위 상변화 메모리 소자가 수평 또는 수직으로 배치되어 있는 멀티비트형 상변화 메모리 소자 및 그 구동 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 멀티비트형 상변화 메모리 소자는 발열성 전극과 각각 접촉하는 복수개의 접촉부로 이루어지고 각각 단위 상변화 메모리 소자를 구성하는 복수개의 활성 영역을 가지는 상변화 재료층을 구비한다. 상기 상변화 재료층은 복수개의 상기 활성 영역이 복수개의 어레이 형태로 배열되어 있는 하나의 재료층으로 구성될 수 있다. 또는, 상기 상변화 재료층은 1개 또는 복수개의 상기 활성 영역이 각각 하나의 어레이 형태로 배열되어 있는 복수개의 상변화 재료층으로 구성될 수도 있다. 이 때, 상기 복수의 상변화 재료층은 각각 동일한 수평면상에 형성될 수도 있고, 각각 동일한 수직선상에서 서로 다른 수평면상에 형성될 수도 있다.
멀티비트, 상변화 메모리, 어레이, 수평, 수직-
公开(公告)号：KR1020060070290A
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1020040108976
申请日：2004-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1691 , H01L21/28123 , H01L45/1675
Abstract: 상변화 메모리 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 리소그래피 장비를 폴리실리콘층을 패터닝하여 폴리실리콘 패턴을 형성하고, 폴리실리콘 패턴을 산화시켜 임계선폭이 작은 폴리실리콘 패턴을 형성한다. 상기 임계선폭이 작은 폴리실리콘 패턴을 이용하여 금속 마스크막에 미세홀을 형성할 수 있고, 상기 미세홀에 의해 절연층에 미세 접점을 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명은 상기 미세 접점 형성 공정을 이용하여 저소비전력형 고밀도 상변화 메모리 소자를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100538996B1
公开(公告)日：2005-12-27
申请号：KR1020030039661
申请日：2003-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09
Abstract: 본 발명은 멤스(MEMS) 공정을 적용한 초전형 적외선 센서에 관한 것으로, 적외선 센서 구조체의 최상부에 위치하는 적외선 흡수층을 실리콘 산화막(SiO
2 )으로 형성하여 약 8 내지 12㎜ 대역의 적외선 파장에 대하여 뛰어난 흡수 효과를 보이고, 센서 픽셀(pixel)의 보호막 역할을 할 수 있게 한다. 또한, 적외선 흡수층, 지지아암 및 기둥을 일체형으로 형성하여 센서 구조체의 구조를 견고하게 하고, 제작 공정의 단계를 획기적으로 감소시켜 공정 수율을 높인다.-
公开(公告)号：KR100491978B1
公开(公告)日：2005-05-27
申请号：KR1020030023213
申请日：2003-04-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L45/1691
Abstract: 저 전력 동작이 가능한 상 변화 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 상변화 메모리 소자는 가열층으로 사용되는 제1전극과, 제1전극과 측방향으로 대향되는 제2전극, 및 제1전극과 제2전극의 사이에 도입되고 적어도 제1전극의 측면에 접촉하는 상변화 물질로 이루어진 메모리층을 포함하여 구성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100461506B1
公开(公告)日：2004-12-14
申请号：KR1020020012670
申请日：2002-03-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8242
Abstract: PURPOSE: A method for etching a thin film and a method for manufacturing a transistor and a capacitor of a semiconductor device using the same are provided to be capable of simplifying manufacturing processes and preventing the damage of a lower layer and the generation of residues by simultaneously patterning a metal thin film and a ferroelectric thin film using a helicon plasma etching process. CONSTITUTION: After forming a lower structure at the upper portion of a semiconductor substrate(201), an SBT(SrxBi1-xTa2O9) thin film(202), a metal thin film(203), and a metal mask(204) are sequentially formed on the resultant structure. Then, the metal thin film and the SBT thin film are simultaneously patterned by carrying out a helicon plasma etching process using the metal mask as an etching mask.
Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻薄膜的方法，以及使用该方法制造半导体器件的晶体管和电容器的方法，以能够简化制造工艺并且同时防止下层的损坏和残留物的产生 使用螺旋等离子体蚀刻工艺图案化金属薄膜和铁电薄膜。 构成：在半导体基板（201）的上部形成下部结构后，依次形成SBT（SrxBi1-xTa2O9）薄膜（202），金属薄膜（203）和金属掩模（204） 在所得到的结构上。 然后，通过使用金属掩模作为蚀刻掩模进行螺旋等离子体蚀刻工艺，同时对金属薄膜和SBT薄膜进行构图。
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公开(公告)号：KR1020040041262A
公开(公告)日：2004-05-17
申请号：KR1020020069434
申请日：2002-11-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A pixel array for a detector having a TFT(Thin Film Transistor) structure and a manufacturing method thereof are provided to be capable of preventing the attenuation of detected gas or infrared ray information in short time due to thermal conductivity. CONSTITUTION: A pixel array for a detector is provided with a semiconductor substrate(31) having an IC(Integrated Circuit) for reading, a detecting part separated from the semiconductor substrate as much as the height of an air gap, an insulating pillar(35a) for physically connecting the detecting part with the semiconductor substrate. Preferably, the pixel array further includes a protecting layer for enclosing the detecting part. Preferably, the insulating pillar and the protecting layer are made of a silicon nitride layer. Preferably, the detecting part includes a silicon layer, a gate isolating layer(38) on the silicon layer, a gate made of a detecting layer and an absorbing layer(40), a channel region(44) in the silicon layer, and a source/drain region(41a,42a) at both sides of the gate in the silicon layer.
Abstract translation: 目的：提供一种具有TFT（薄膜晶体管）结构的检测器的像素阵列及其制造方法，其能够防止由于导热性而在短时间内检测到的气体或红外线信息的衰减。 构成：用于检测器的像素阵列设置有半导体衬底（31），该半导体衬底（31）具有用于读取的IC（集成电路），与半导体衬底分开的与气隙高度相隔的检测部分，绝缘柱（35a ），用于将检测部件与半导体基板物理连接。 优选地，像素阵列还包括用于封装检测部分的保护层。 优选地，绝缘柱和保护层由氮化硅层制成。 优选地，检测部分包括硅层，硅层上的栅极隔离层（38），由检测层制成的栅极和吸收层（40），硅层中的沟道区（44）和 源极/漏极区（41a，42a），位于硅层的栅极两侧。
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公开(公告)号：KR100753842B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020060085826
申请日：2006-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 상변화 메모리 소자를 제공한다. 본 발명은 상변화층 패턴을 포함하는 상변화 메모리부와, 상기 상변화 메모리부의 상변화층 패턴에 레이저빔을 국부적으로 집속하는 레이저빔 집속부와, 상기 레이저빔을 발생시켜 상기 레이저빔 집속부로 상기 레이저빔을 방출하는 반도체 레이저부를 포함하여 이루어진다. 이에 따라, 본 발명의 상변화 메모리 소자는 셋 및 리셋 동작시 국부적으로 인가되는 레이저빔을 이용하기 때문에, 소비 전력을 줄이면서도 단위 셀의 동작시에 발생한 열이 인접 셀에 영향을 주어 인접 메모리 셀에 저장된 정보를 파괴하거나 변경시키지 않는다.
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公开(公告)号：KR100723839B1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020050081314
申请日：2005-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
Abstract: 저소비전력형 상변화 메모리소자의 제작을 위한 발열성 관통전극 구조를 포함하는 상변화 메모리소자 및 그 제조방법을 제공한다. 그 소자 및 방법은 소정의 영역을 관통한 관통전극 구조를 내재한 제1 상변화 박막층과, 관통전극 구조에 매립된 발열성 금속전극을 포함한다. 발열성 금속전극에 의해 가해진 열에너지에 의해 결정상태가 변화하고, 변화된 영역이 상기 제1 상변화 박막층에 제한된다.
상변화 메모리소자, 관통전극 구조, 상변화 박막층 -
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