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公开(公告)号：KR1020000010388A
公开(公告)日：2000-02-15
申请号：KR1019980031282
申请日：1998-07-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: A method for removing metal contaminant formed on surface of silicon substrate is provided to easily remove metal contaminant without damage of the silicon substrate. CONSTITUTION: The method comprises the steps of an UV(ultraviolet)/O3 cleaning(S100) and an RHP(remote hydrogen plasma) cleaning(S200). The UV/O3 cleaning step(S100) further comprises the sub-steps of irradiating UV and O3 to a silicon substrate having metal contaminant; exiting the metal contaminant to an atom state using the UV light and exiting oxygen molecular to atom state according to the ozone(O3); and generating a metal oxide by reacting the exited metal contaminant and the oxygen atom. The RFP cleaning step(S200) further comprises the sub-steps of generating a hydrogen atom from the hydrogen plasma; creating a hydride by reaction the metal oxide and the hydrogen atom; and removing the hydride by lift-off.
Abstract translation: 目的：提供一种去除在硅衬底表面形成的金属污染物的方法，以便容易地去除金属污染物而不损坏硅衬底。 构成：该方法包括UV（紫外）/ O3清洗（S100）和RHP（远程氢等离子体）清洗（S200）的步骤。 UV / O 3清洗步骤（S100）还包括将UV和O 3照射到具有金属污染物的硅衬底上的子步骤; 使用UV光将金属污染物排出到原子状态，并根据臭氧（O3）离开氧分子到原子状态; 以及通过使退出的金属污染物和氧原子反应而生成金属氧化物。 RFP清洗步骤（S200）还包括从氢等离子体产生氢原子的子步骤; 通过使金属氧化物和氢原子反应形成氢化物; 并通过剥离除去氢化物。
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公开(公告)号：KR101246137B1
公开(公告)日：2013-03-25
申请号：KR1020080130468
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/43 , G02B6/4214 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 발광 소자 및 광결합 모듈을 제공한다. 이 소자는 기판, 상기 기판에 형성된 발광부, 판의 하부면에 형성된 반사부를 포함한다. 발광부는 기판 상에 배치된 활성 패턴, 활성 패턴의 상에 배치된 상부 전극, 활성 패턴 하부에 배치된 하부 전극, 활성 패턴의 상부에 배치된 상부 거울, 및 활성 패턴의 하부에 배치된 하부 거울을 포함한다. 상기 발광부는 기판에 수직하게 방출광을 제공하고, 반사부는 방출광의 광 경로를 변경하여 기판의 측면에 제공할 수 있다.
수광소자, 발광소자, 반사부, 광결합 모듈-
公开(公告)号：KR101173983B1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：KR1020080131865
申请日：2008-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/10
CPC classification number: G02B6/1226 , B82Y20/00 , G02B6/43
Abstract: 유연성도파로및 광연결어셈블리가제공된다. 유연성도파로는서로대향하는제 1 면및 제 2 면을가지며금속물질로이루어진박막띠 코어(thin film strip core), 박막띠 코어의제 1 면및 제 2 면중 하나이상을덮는내부클래딩층, 및내부클래딩층을덮는외부클래딩층을포함하되, 내부클래딩층은외부클래딩층의굴절률보다높은굴절률을가진다.
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公开(公告)号：KR1020110070747A
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020100060523
申请日：2010-06-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A chemical sensor using nano metal particles and a method for manufacturing the same are provided to achieve small size and excellent sensitivity and durability of a chemical sensor. CONSTITUTION: A chemical sensor comprises metal nano particles(110), ligand organic single-molecules(130), substrate joint functional groups(140), a substrate(150), electrodes(160), and substrate functional groups(170). The ligand organic single-molecules are combined with the metal nano particles through metal joint functional group. The ubstrate joint functional groups are formed in the combined metal nano particles and ligand organic single-molecules. The electrodes are formed as an IDT(Interdigitate Structure) on the substrate. The substrate functional groups are formed between the electrodes on the substrate and covalently bond with the ubstrate joint functional groups.
Abstract translation: 目的：提供使用纳米金属颗粒的化学传感器及其制造方法，以实现化学传感器的小尺寸和优异的灵敏度和耐久性。 构成：化学传感器包括金属纳米颗粒（110），配体有机单分子（130），基底接合官能团（140），基底（150），电极（160）和底物官能团（170）。 配体有机单分子通过金属接头官能团与金属纳米颗粒结合。 组合的金属纳米颗粒和配体有机单分子中形成了基底结合官能团。 电极在基板上形成为IDT（叉指结构）。 衬底官能团形成在衬底上的电极之间并与基板接合官能团共价键合。
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公开(公告)号：KR1020100071668A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080130468
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/43 , G02B6/4214 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: An emitting device and an optical coupling module efficiently can offer the optical coupling between the optical waveguide and the emitting device. CONSTITUTION: An activity pattern(140) is arranged on the top of the substrate(100). The upper electrode(114) is arranged on the top of the activity pattern. The top mirror is arranged on the top of the activity pattern. The bottom mirror is arranged in the lower part of the activity pattern. The lighting-emitting area(180) perpendicularly offers the emission light(11) to substrate.
Abstract translation: 目的：发射装置和光耦合模块有效地提供光波导和发射装置之间的光耦合。 构成：活性图案（140）布置在基底（100）的顶部。 上电极（114）布置在活动图案的顶部。 顶部的镜子安排在活动模式的顶部。 下反射镜布置在活动图案的下部。 发光区域（180）垂直地向衬底提供发射光（11）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100918379B1
公开(公告)日：2009-09-22
申请号：KR1020070128259
申请日：2007-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/10
Abstract: 광 도파로 구조체 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 전이 영역을 갖는 기판을 준비하고, 기판 상에 전이 영역을 가로지르는 고굴절률 패턴을 형성하고, 기판 상에 전이 영역에서 예각을 이루면서 고굴절률 패턴을 가로지르는 저굴절률 패턴을 형성한 후, 저굴절률 패턴에 의해 노출되는 고굴절률 패턴을 식각하여, 전이 영역에서 저굴절률 패턴과 평행한 일 측벽을 갖는 고굴절률 코어를 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100907251B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：KR1020070104920
申请日：2007-10-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/12007
Abstract: 다채널 링 공진기 기반 파장분할다중화 광학 소자를 제공한다. 이 소자는 입력 도파관, 입력 도파관 주위에 배치된 복수개의 링 공진기들, 링 공진기들 각각의 주위에 배치된 출력 도파관들 및 링 공진기들 중의 적어도 하나에 인접하게 형성되어 해당 링 공진기의 표면 일부를 덮는 적어도 하나의 변조 클래드 패턴을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020070040941A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：KR1020050096517
申请日：2005-10-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/1032 , G02B6/1245 , H01S3/083
Abstract: 본 발명은 초소형 레이저 컬러 디스플레이 용도의 청색 혹은 녹색 광원의 구현을 위해 레이저 다이오드와 QPM-SHG(Quasi Phase Matching-Second Harmonic Generation) 도파로 소자를 결합시킴에 있어서, TE(Transverse Electric)-모드 편광을 90°회전시켜서 TM(Transverse Magnetic) 편광으로 변환시키는 반파장판(Half-Wave-Plate) 소자를 사용하되, 특히 반파장판 소자의 절단 방향을 X-축 방향과 45°각도로 절단된 비선형 매질 기판을 Z-컷(cut) 비선형 매질 기판과 결합한 후에 두 기판에 걸쳐서 한번에 광도파로를 형성하여 앞단의 45° X-cut 기판은 TE 편광을 TM 편광으로 전환하는 역할을 하고 뒤의 Z-컷 기판은 QPM-SHG 도파로 소자 역할을 하도록 한다. 본 발명에 의한 파장변환 광소자는 기존의 반파장판 결합에 의해 생기는 손실을 최소화하여 청색 및 녹색 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100559469B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020030079906
申请日：2003-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/291
CPC classification number: H01S5/50 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/0078 , H01S5/5045 , H01S5/5072
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기 및 광섬유 광증폭기의 입력단 또는 출력단에 광섬유 브래그 격자 등의 반사수단을 사용하여 광증폭기의 이득을 고정시키는 이득고정형 광증폭기에 관한 것이다.
본 발명에서는 레이저 공진기가 없이도 이득고정이 가능한 새로운 구조의 이득고정형 광증폭기를 제안하고자 한다. 그 구조는 SOA의 입력단 또는 출력단에 광섬유 브래그 격자 등의 반사수단을 장착한 형태이다. 이득매질에서 나온 증폭된 자발방출광(ASE:amplified spontaneous emission)의 일부가 광섬유 브래그 격자 등의 반사수단에 의해 반사되고 이득매질로 입사되어 증폭된다. 이때 입력광신호와 반사된 ASE가 이득매질의 이득을 적절히 공유하게 됨으로써 입력광신호는 그 크기에 무관하게 일정한 이득을 얻을 수 있다.
반도체 광증폭기, 광섬유 브래그 격자, 광섬유, 광고립기, 파장분할 다중광결합기-
公开(公告)号：KR100541845B1
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：KR1020020032843
申请日：2002-06-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/06
CPC classification number: H01S5/125 , H01S5/0601 , H01S5/1014 , H01S5/1071 , H01S5/146 , H01S5/147 , H01S5/5063 , H01S5/5072 , H01S5/509
Abstract: 직접광변조형 파장변환기를 개시한다. 본 발명에 따른 파장변환기는 연속발진 신호가 필요없는 이득고정형 반도체 광증폭기 또는 반도체 레이저 자체이면서, 이들과 광섬유간의 결합손실을 줄이고 레이저의 발진 문턱값을 높게 한 것이다. 본 발명에 따르면, 파장변환이 일어나는 입력신호광의 세기를 조절할 수 있어 상대적으로 약한 세기의 입력신호광에 대해서도 파장변환이 가능하다.
Abstract translation: 公开了一种直接调制型波长转换器。 根据本发明的波长转换器是不需要连续振荡信号的增益固定型半导体光学放大器或半导体激光器，并且减小了光纤和光纤之间的耦合损耗并且提高了激光器的振荡阈值。 根据本发明，可以调整执行波长转换的输入信号光的强度，并且可以对强度相对较弱的输入信号光执行波长转换。
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