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公开(公告)号：KR1020090058731A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：KR1020070125467
申请日：2007-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
CPC classification number: G01L9/0042 , Y10T29/42 , Y10T29/49
Abstract: A micro piezoresistive pressure sensor and a manufacturing method thereof are provided to simplify a manufacturing process by forming a semiconductor integrated circuit for processing a sensing signal and a pressure sensor structure in one silicon board. A micro piezoresistive pressure sensor includes a silicon board(100), a cavity(110), a membrane layer(120) and a sensing layer(130). The cavity is buried in the silicon board. The membrane layer has a laminate structure of a multi layer and seals the cavity. The sensing layer is formed in the upper part of the membrane layer. One or more semiconductor integrated circuits are positioned in the part except for the cavity of the silicon board.
Abstract translation: 提供一种微压阻式压力传感器及其制造方法，以通过形成用于处理一个硅板中的感测信号的半导体集成电路和压力传感器结构来简化制造过程。 微压阻压力传感器包括硅板（100），空腔（110），膜层（120）和感测层（130）。 空腔埋在硅板上。 膜层具有多层的层叠结构并且密封空腔。 传感层形成在膜层的上部。 一个或多个半导体集成电路位于除了硅板的空腔之外的部分中。
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公开(公告)号：KR1020090022155A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087261
申请日：2007-08-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01P15/125 , G01P13/04 , G01H11/06 , H03D2200/007
Abstract: A bipolar driver circuit for detecting the vibration polarity or size of a capacitance type MEMS vibration sensor is provided to sense size or polarity of vibration with a polarity sense circuit using the electrostatic capacity - time variation operation. A bipolar driver circuit for detecting the vibration polarity or size of a capacitance type MEMS vibration sensor comprises an electrostatic capacity - time conversion unit(20) producing an enable signal having the amount of time change corresponding to the capacitance variation of the capacitance type MEMS vibration sensor(10); a vibration detection part(30) detecting polarity and size of vibration by using the enable signal; and an output unit(40) outputting polarity and size of the sensed vibration as the digital value.
Abstract translation: 提供用于检测电容式MEMS振动传感器的振动极性或尺寸的双极性驱动器电路，以使用静电容量 - 时间变化操作来利用极性感测电路感测振动的尺寸或极性。 用于检测电容型MEMS振动传感器的振动极性或尺寸的双极驱动电路包括静电电容 - 时间转换单元（20），产生具有对应于电容型MEMS振动的电容变化的时间变化量的使能信号 传感器（10）; 振动检测部（30），利用所述使能信号检测振动的极性和大小; 以及输出单元（40），其输出感测振动的极性和大小作为数字值。
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公开(公告)号：KR100833508B1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：KR1020060124132
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/00
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81C2203/0118 , H01L2224/13
Abstract: A MEMS(Micro Electro-Mechanical System) package and a method thereof are provided to improve yield by bonding the MEMS device and a driving electronic device directly. A MEMS package comprises an MEMS device(100) and a driving electronic device(200). The MEMS device is made up of an MEMS structure(114) formed on a substrate; a first pad electrode(116) for driving the MEMS structure; a first sealing unit(118) formed at the edge portion of the substrate; and a connection unit(120) formed on the first pad electrode and the first sealing unit. The driving electronic device comprises a second pad electrode(206) and a second sealing unit(208) corresponding to the first pad electrode and the first sealing unit respectively. And the driving electronic device is bonded with the MEMS device.
Abstract translation: 提供MEMS（微机电系统）封装及其方法，以通过直接连接MEMS器件和驱动电子器件来提高产量。 MEMS封装包括MEMS器件（100）和驱动电子器件（200）。 MEMS器件由形成在衬底上的MEMS结构（114）组成; 用于驱动MEMS结构的第一焊盘电极（116）; 形成在所述基板的边缘部的第一密封单元（118） 以及形成在所述第一焊盘电极和所述第一密封单元上的连接单元（120）。 驱动电子设备包括分别对应于第一焊盘电极和第一密封单元的第二焊盘电极（206）和第二密封单元（208）。 并且驱动电子器件与MEMS器件结合。
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公开(公告)号：KR1020110054710A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090111462
申请日：2009-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/043 , B81B7/00
CPC classification number: H01L21/6835 , B81B2207/093 , B81B2207/097 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/0127 , B81C2203/019 , B81C2203/032 , B81C2203/035 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/16235 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A device package and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a small device package with low costs by sealing a MEMS(Micro Electro Mechanical System) or sensor device structure with a micro metal cover. CONSTITUTION: A device structure is positioned on the active surface of a substrate. An input pad(111i) and an output pad(111o) are located on the active surface of the substrate. A metal cover(214) has an internal space to seal the device structure on the active surface of the substrate. A junction pattern is interposed between the active surface of the substrate and the metal cover. The junction pattern includes nonconductive adhesive materials. Input and output pads are interposed between the active surface of the substrate and the junction pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种器件封装及其制造方法，通过用微金属覆盖物密封MEMS（微机电系统）或传感器器件结构来制造低成本的小器件封装。 构成：器件结构位于衬底的有源表面上。 输入焊盘（111i）和输出焊盘（111o）位于基板的有效表面上。 金属盖（214）具有用于密封衬底的有源表面上的器件结构的内部空间。 接合图案插入在基板的有效表面和金属盖之间。 连接图案包括非导电粘合剂材料。 输入和输出焊盘介于衬底的有源表面和接合图案之间。
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公开(公告)号：KR1020110024964A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090083162
申请日：2009-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/73104 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A stacked semiconductor device packages and a method for fabricating the same are provided to stack semiconductor devices using an adhesive material film with a function which removes an oxidization film of a penetration electrode or/and a bump, thereby simplifying complex processes while increasing mechanical reliability. CONSTITUTION: A penetration hole penetrates at least a part of a semiconductor device(120a,120b). The penetration hole is filled with a penetration electrode(140a,140b). The penetration electrode is formed of a compound of metals. A solder bump(175a,175b) is formed on at least one end of the penetration electrode. An insulating layer(125a,125b) is interposed between a sidewall of the penetration hole and the penetration electrode.
Abstract translation: 目的：提供叠层半导体器件封装及其制造方法，使用具有去除穿透电极或/和凸块的氧化膜的功能的粘合材料膜堆叠半导体器件，从而简化复杂工艺，同时增加机械 可靠性。 构成：穿透孔穿透半导体器件（120a，120b）的至少一部分。 穿透孔填充有穿透电极（140a，140b）。 穿透电极由金属化合物形成。 在穿透电极的至少一端上形成焊料凸块（175a，175b）。 绝缘层（125a，125b）插入在穿透孔的侧壁和穿透电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070061106A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060046282
申请日：2006-05-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H59/00
Abstract: A piezoelectric micro electro-mechanical system switch, an array of the switches, and a method for fabricating the same are provided to improve the signal isolation through the separation of an RF transmission line by controlling a contact connection portion by using the at least two cantilevers. A semiconductor substrate(100) has a groove(105), and a support(115) is formed on the semiconductor substrate and the groove. An actuator(150b) is formed on the support, and has a piezoelectric layer(125). A switching unit is formed on the support on one side of the actuator and the height of the switching unit is changed by the variation of the piezoelectric layer of the actuator. Radio frequency transfer lines(230a) are arranged at a predetermined distance on the switching unit, and are separated by a predetermined interval from each other. The actuator has at least two cantilevers.
Abstract translation: 提供压电微机电系统开关，开关阵列及其制造方法，以通过使用至少两个悬臂控制接触连接部分来改善通过RF传输线分离的信号隔离 。 半导体衬底（100）具有沟槽（105），并且在半导体衬底和沟槽上形成有支撑体（115）。 致动器（150b）形成在支撑件上，并具有压电层（125）。 切换单元形成在致动器的一侧上的支撑件上，并且切换单元的高度由致动器的压电层的变化而改变。 射频传输线（230a）在开关单元上以预定距离布置，并且彼此隔开预定的间隔。 执行器至少有两个悬臂。
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公开(公告)号：KR100531218B1
公开(公告)日：2006-01-10
申请号：KR1020030059604
申请日：2003-08-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01Q1/38
Abstract: 본 발명은 슬롯 안테나에 관한 것으로, 슬롯 안테나의 슬롯을 유전체 기판의 양면에 형성하고 상면과 하면 슬롯에서의 전계가 대체적으로 같은 방향으로 형성되도록 하는 슬롯 안테나를 제공한다. 이러한 구성을 통하여, 안테나의 소형 및 경량의 구성이 가능함과 동시에 기존의 미앤더드 슬롯 안테나에 비해 높은 이득 및 방사효율 특성을 얻을 수 있는 효과가 있다.
슬롯 안테나, 슬롯, 이득효율, 방사효율-
公开(公告)号：KR100492004B1
公开(公告)日：2005-05-30
申请号：KR1020020067556
申请日：2002-11-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01P1/127
Abstract: 본 발명은 동작 전압을 낮추면서도 동작 속도를 향상시킬 수 있어 이동통신 분야에 적용이 가능한 미세전자기계적 시스템 기술을 이용한 고주파 소자를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 표면 일부가 식각되어 동공이 형성된 기판; 상기 기판 상에 지지되며, 그 일부가 상기 동공 상부에 배치되어 상기 기판과 비접촉 상태를 유지하며 엑츄에이터를 이루는 제1전극; 및 상기 기판의 주면과 일정 간격 만큼 이격된 채로 상기 제1전극과 그 일부가 오버랩되어 엑츄에이터를 이루는 제2전극을 구비하며, 상기 제1전극과 상기 제2전극 간에 유발된 정전기적 인력에 의해 상기 제1전극과 상기 제2전극의 접점을 이루는 MEMS 기술을 이용한 고주파 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은, 표면 일부가 식각되어 동공이 형성된 기판; 상기 기판 상에 지지되며, 그 일부가 상기 동공 상부에 배치되어 상기 기판과 비접촉 상태를 유지하며 엑츄에이터를 이루는 제1전극; 상기 기판의 주면과 일정 간격 만큼 이격된 채로 상기 제1전극과 그 일부가 오버랩되어 엑츄에이터를 이루는 제2전극; 및 상기 기판의 주면과 일정 간격 만큼 이격된 채로 상기 제2전극과 그 일부가 오버랩되어 엑츄에이터를 이루는 제3전극을 구비하며, 상기 제1전극과 상기 제2전극 간의 유발된 정전기적 인력과 상기 제2전극과 상기 제3전극 간의 정전기적 척력에 의해 상기 제1전극과 상기 제2전극의 접점을 이루는 MEMS 기술을 이용한 고주파 소자를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020050021226A
公开(公告)日：2005-03-07
申请号：KR1020030059604
申请日：2003-08-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01Q1/38
Abstract: PURPOSE: A slot antenna is provided to achieve improved gain and radiation efficiency by forming slots on both sides of a dielectric substrate and connecting the slots and ground surfaces through conductor walls or conducting via holes. CONSTITUTION: A slot antenna comprises the first dielectric substrate(101) and the second dielectric substrate(102) laminated on the first dielectric substrate. The first dielectric substrate includes slots(103) formed on upper and lower surfaces of the first dielectric substrate; ground surfaces(104) formed on the upper and lower surfaces of the first dielectric substrate so as to define the slots; and the first connection portion for connecting the ground surfaces formed on the upper and lower surfaces of the first dielectric substrate. The second dielectric substrate includes a feeder line(105) formed at a lower surface of the second dielectric substrate so as to feed electromagnetic field energy; and the second connection portion for connecting the feeder line and the ground surfaces formed at the lower surface of the first dielectric substrate. The first connecting portion and/or the second connecting portion include one or more conducting via holes(106) formed in the dielectric substrates, or conductor walls(107) arranged at side surfaces of the dielectric substrates.
Abstract translation: 目的：通过在电介质基板的两侧形成槽并通过导体壁或导通孔连接槽和接地表面，提供槽缝天线以实现改进的增益和辐射效率。 构成：缝隙天线包括层叠在第一电介质基片上的第一电介质基片（101）和第二电介质基底（102）。 第一电介质基板包括形成在第一电介质基板的上表面和下表面上的槽（103） 形成在所述第一电介质基板的上表面和下表面上的接地表面（104），以限定所述槽; 以及用于连接形成在第一电介质基板的上表面和下表面上的接地表面的第一连接部分。 第二电介质基板包括形成在第二电介质基板的下表面处的馈电线（105），以便馈送电磁场能; 以及用于连接馈电线和形成在第一介电衬底的下表面处的接地表面的第二连接部分。 第一连接部分和/或第二连接部分包括形成在电介质基板中的一个或多个导电通孔（106）或布置在电介质基板的侧表面处的导体壁（107）。
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公开(公告)号：KR101232208B1
公开(公告)日：2013-02-12
申请号：KR1020090083162
申请日：2009-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/73104 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 반도체 소자 적층 패키지가 제공된다. 이 패키지는 각각 적어도 하나의 관통 홀 및 적어도 관통 홀을 채우는 관통 전극을 포함하되, 관통 전극들에 의해 서로 전기적으로 연결되는 적층된 반도체 소자들, 관통 전극들의 연결 부위를 제외한 적층된 반도체 소자들 사이에 제공된 접착 물질막, 및 적층된 반도체 소자들이 실장되고 본딩 전극을 갖는 상부면 및 상부면에 대향하는 하부면을 갖는 인쇄 회로 기판을 포함한다. 관통 전극은 금속간 화합물이고, 그리고 적층된 반도체 소자들 중 최하부 반도체 소자의 관통 전극과 인쇄 회로 기판의 본딩 전극은 서로 전기적으로 연결된다.
반도체, 실리콘, 관통 전극, 금속간 화합물, 적층Abstract translation: 目的：提供叠层半导体器件封装及其制造方法，使用具有去除穿透电极或/和凸块的氧化膜的功能的粘合材料膜堆叠半导体器件，从而简化复杂工艺，同时增加机械 可靠性。 构成：穿透孔穿透半导体器件（120a，120b）的至少一部分。 穿透孔填充有穿透电极（140a，140b）。 穿透电极由金属化合物形成。 在穿透电极的至少一端上形成焊料凸块（175a，175b）。 绝缘层（125a，125b）插入在穿透孔的侧壁和穿透电极之间。
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