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公开(公告)号：KR100949546B1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：KR1020070126345
申请日：2007-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N27/12 , G01N27/407
Abstract: 본 발명은 초고감도 금속산화물 가스센서의 제조방법에 관한 것으로 고분자 비드를 미세 패터닝 간격 사이에 정열된 단층으로 배열시키는 방법과 가스센싱의 감도를 저하시키는 금속센서전극과 금속 산화물 사이의 저항성분을 효과적으로 제거시키는 계단형 금속센서전극의 구조를 포함한다.
이에 따라, 본 발명으로 다공성 금속산화물 단층정열막을 형성할 수 있으며, 금속센서전극과 금속산화물간의 전기적 접촉의 저항제거로 금속산화물 표면에서의 가스 흡착 또는 산화/환원으로 발생되는 저항 또는 유전 등 전기적 특성 변화를 정밀하게 측정하여 초고감도 센서를 제조할 수 있다.
가스 센서, 비드, 금속 산화물, 전극-
公开(公告)号：KR1020090119210A
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：KR1020080045107
申请日：2008-05-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S3/0675 , H01S3/07 , H01S3/08086 , H01S3/082 , H01S3/0826 , H01S3/094042 , H01S3/1086 , H01S3/1603 , H01S3/1608 , H01S3/1616 , H01S3/1618 , H01S3/2375 , H01S3/302
Abstract: PURPOSE: A multi-resonance fiber laser system is provided to perform a laser of a wavelength range over a wavelength range of a rare earth element by using Raman effect. CONSTITUTION: A pump light source(110) oscillates a pump light. A first gain medium optical fiber(128) includes a rare earth element. A first reflective member(121) and a second reflective member(122) are faced about the first gain medium optical fiber. A first resonant part(120c) converts the pump light through the first gain medium optical fiber. The first resonant part oscillates a first laser having a first wavelength. A second gain medium optical fiber(138) generates an induced Raman effect. A third reflective member(133) and a fourth reflective member(134) are faced about the second gain medium optical fiber. A second resonant part(130c) converts the first laser by using the second gain medium optical fiber. The second resonant part oscillates a second laser having a second wavelength.
Abstract translation: 目的：提供一种多谐振光纤激光系统，通过使用拉曼效应，在稀土元素的波长范围内进行波长范围的激光。 构成：泵浦光源（110）振荡泵浦光。 第一增益介质光纤（128）包括稀土元素。 第一反射构件（121）和第二反射构件（122）围绕第一增益介质光纤面对。 第一谐振部件（120c）通过第一增益介质光纤转换泵浦光。 第一谐振部件振荡具有第一波长的第一激光器。 第二增益介质光纤（138）产生诱导拉曼效应。 第三反射构件（133）和第四反射构件（134）围绕第二增益介质光纤面对。 第二谐振部件（130c）通过使用第二增益介质光纤转换第一激光器。 第二谐振部件振荡具有第二波长的第二激光器。
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公开(公告)号：KR100651728B1
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020040091576
申请日：2004-11-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C07D311/86 , C07D311/80
CPC classification number: H01L51/0071 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0065 , H01L51/0595 , H01L51/4206
Abstract: 로즈 벤갈 (Rose Bengal) 분자에 정착기로서 티올기를 도입한 화합물 및 그 제조 방법과, 그 화합물이 자기조립 방법에 의하여 전극에 고정된 전자 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 전자 소자용 화합물은 다음 식으로 표시된다.
식중, R은 C
2 ∼ C
20 의 포화 또는 불포화 탄화수소기이다. 분자 스위치/메모리 특성을 제공할 수 있는 본 발명에 따른 화합물들은 분자 전자 소자 제작에 있어서 자기 조립 방식에 의하여 단일 분자층을 형성할 수 있다.
분자 전자 소자, 분자 스위치/메모리, 자기조립, 로즈 벤갈, 티올Abstract translation: 提供了引入玫瑰红分子中具有硫醇基作为锚定基团的化合物，制备该化合物的方法，包含通过自组装方法固定在电极上的化合物的电子器件，以及制造电子器件的方法 。 化合物具有下式：其中R是不饱和或饱和的C 2 -C 20烃基。 该化合物可以提供开关/记忆性质，并在制造分子电子器件时通过自组装形成单一分子层。
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公开(公告)号：KR100626660B1
公开(公告)日：2006-09-22
申请号：KR1019990024566
申请日：1999-06-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 발광 고분자를 이용한 고분자 발광 소자의 발광 효율을 획기적으로 높이기 위해 고분자의 상분리(Phase separation) 현상을 이용한 발광소자가 개시된다. 본 발명은 서로 다른 성질을 갖는 발광 고분자와 절연 고분자를 섞어 투명 기판에 도포한 후, 상 분리를 통해 발광 고분자의 사슬 굵기를 전자와 정공의 상호작용에 의한 충돌 단면적(collisional cross section)보다 좁거나 비슷하게 유지하게 함으로써 서로 반대방향으로 진행하는 전자와 정공이 효율적으로 결합하게 되고, 이에 따라 발광효율을 극대화 할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 절연 물질을 열 안정성이 높은 물질로 선택을 하여 열화에 의한 소자의 퇴화도 막을 수 있으며, 절연성이 좋은 물질을 이용하여 상분리를 유도하므로 국소 방전에 의해 성장하는 빛이 나지 않는 어두운 부분(dark spot and/or black spot)의 성장도 막을 수 있는 부수적 효과도 있다.
발광소자, 고분자, 상분리-
45.发明授权
公开(公告)号：KR100600827B1
公开(公告)日：2006-07-14
申请号：KR1019990039629
申请日：1999-09-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 강유전체를 이용한 유기물 반도체 전계효과 트랜지스터와 그를 사용한 능동구동형 디스플레이의 화소 구동회로에 관한 것이다. 구동 전압을 낮추고, 반도체층 내의 전하 운반자의 전계효과 이동도를 높이며, 안정한 물질로 구성된 유기물 반도체 전계효과 트랜지스터를 제공하고, 그 내부의 축전지에 전하를 빠르고 효율적으로 축적할 수 있는 능동구동형 디스플레이의 화소 구동회로을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 소자 내의 유전층으로 강유전체를 사용하여 유기물을 이용한 전계효과 트랜지스터의 구동 전압을 낮추고 유기물 내의 전하 운반자의 전계효과 이동도를 높인다. 또한, 이처럼 유전층으로 강유전체를 사용한 전계효과 트랜지스터를 능동구동형 디스플레이의 화소 구동회로에 적용하되, 강유전층의 자발분극의 반전 전류를 이용하여 능동구동형 디스플레이의 화소 구동회로 내의 축전지에 전하를 빠르고 효율적으로 축적할 수 있다.
유기물 전계효과 트랜지스터, 유기물 반도체층, 강유전체층, 능동구동형 디스플레이 화소 구동 회로, 축전지-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060064990A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103691
申请日：2004-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L51/0021 , H01L51/0024 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 유기 전기발광소자와 유기 전계효과 트랜지스터의 집적방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 기판 상에 적어도 하나의 제1 전극 및 유기 반도체가 포함된 유기 전계효과 트랜지스터를 마련하는 단계와, 제2 기판 상에 적어도 하나의 제2 전극 및 유기 발광층이 포함된 유기 전기발광소자를 마련하는 단계와, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 서로 대향되도록 상기 유기 전계효과 트랜지스터와 상기 유기 전기발광소자를 배치시키는 단계와, 상기 유기 전계효과 트랜지스터와 상기 유기 전기발광소자의 사이에 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결하기 위한 소정의 금속 접촉선이 고정 결합된 절연층을 삽입하는 단계와, 상기 유기 전계효과 트랜지스터와 상기 유기 전기발광소자가 하나의 소자로 집적되도록 접합하는 단계를 포함함으로써, 능동 구동을 효과적으로 할 수 있으며, 개구율이 높아 수명을 더욱 연장시킬 뿐만 아니라 공정이 간단하여 저가격으로 생산할 수 있는 효과가 있다.
라미네이션, 유기 전기발광소자(OLED), 유기 전계효과 트랜지스터(OFET), 집적, 절연층, 금속 접촉선-
公开(公告)号：KR100508545B1
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR1020020079990
申请日：2002-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/057 , H01L29/41733 , H01L29/78642 , H01L29/78696 , H01L51/0036 , H01L51/0041 , H01L51/0052 , H01L51/0516
Abstract: 본 발명은 반도체 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 특히 전류가 반도체 박막 면에 수직인 방향으로 흐르도록 구조를 변경한 것이다. 반도체 박막 면에 수직하게 전류가 흐르므로 전류밀도가 낮은 소재로 된 반도체 박막을 사용하더라도 총전류가 크고, 트랜지스터의 동작 속도를 획기적으로 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050064109A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030095391
申请日：2003-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/025 , G11C2213/17
Abstract: 나노 미터 크기의 분자 스위치 소자를 제공한다. 본 발명의 분자 스위치 소자는 전자가 흐를 수 있는 전자 채널을 구성하는 채널부와, 상기 채널부의 양단에 접촉된 전극과, 상기 채널부와 연결부를 통하여 연결되고 상기 전극을 통합 전압 인가에 따라 산화 상태 또는 전자 밀도가 달라져서 채널부의 전기 전도도를 변화시킬 수 있는 조절부를 포함한다. 본 발명의 분자 스위치 소자는 고속 동작이 가능하고, 분자 소자 제작 공정을 활용할 경우 고집적화가 가능하다.
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公开(公告)号：KR100496432B1
公开(公告)日：2005-06-21
申请号：KR1020030033954
申请日：2003-05-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 자기조립 단분자막 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 자기조립 단분자막으로 이루어진 채널층을 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 형성하면서 소오스 전극 및 드레인 전극과 접하지 않는 자기조립 단분자막의 모든 부분이 절연막을 통해 게이트 전극과 중첩되도록 하거나, 채널층에서 흐르는 전류의 방향과 게이트 전극에 인가된 전압에 의해 발생되는 전기장의 방향을 평행하게 만듦으로써, 게이트 전압의 증감에 따른 소오스-드레인 전류의 변화율을 증가시켜 전류 변화 특성을 향상시킬 수 있는 자기조립 단분자막 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR100475849B1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：KR1020020020908
申请日：2002-04-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L51/5253 , Y10S428/917 , Y10T428/23 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/2998 , Y10T428/31855
Abstract: 습식 공정에 의하여 형성된 엔캡슐레이션 박막을 갖춘 유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 유기 전기발광 소자는 기판상에 차례로 적층된 양극, 유기 발광층 및 음극을 포함하는 적층 구조와, 상기 적층 구조를 덮는 비닐 모노머의 중합 생성물로 이루어지는 고분자막을 포함하는 엔캡슐레이션 박막을 포함한다. 상기 유기 전기발광 소자를 제조하기 위하여 먼저 기판상에 양극, 유기 발광층 및 음극이 차례로 적층된 적층 구조를 형성한 후, 그 위에 비닐 모노머 및 중합 개시제를 함유하는 유기 용액을 코팅한다. 상기 적층 구조 위에 코팅되어 있는 유기 용액의 중합 반응을 유도하여 상기 적층 구조 위에 고분자막으로 이루어지는 엔캡슐레이션 박막을 형성한다.
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