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公开(公告)号：KR100560431B1
公开(公告)日：2006-03-13
申请号：KR1020030095391
申请日：2003-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/025 , G11C2213/17
Abstract: 나노 미터 크기의 분자 스위치 소자를 제공한다. 본 발명은 전자가 흐를 수 있는 전자 채널을 구성하고, 카본 나노튜브, 반도체성 나노와이어, 금속성 나노와이어, 고분자 나노화이버 또는 전도성 유기분자로 이루어진 채널부와, 상기 채널부의 양단에 접촉된 전극과, 상기 채널부와 연결부를 통하여 연결되고, 상기 전극을 통해 전압을 인가하면 산화 상태 또는 전자 밀도가 달라져서 상기 채널부의 전기 전도도를 변화시킬 수 있게 전자 친화력(electron affinity)이 큰 전자 받게 분자로 구성된 조절부를 포함하여 이루어지고, 상기 연결부는 상기 채널부와 조절부를 물리적 결합 또는 화학적 결합으로 연결하는 나노 미터 크기의 물질로 구성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 분자 스위치 소자는 고속 동작이 가능하고, 분자 소자 제작 공정을 활용할 경우 고집적화가 가능하다.
분자 스위치 소자, 전자 채널,-
公开(公告)号：KR100714924B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050091288
申请日：2005-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/105 , B82Y10/00 , H01L51/0023 , H01L51/0595
Abstract: 본 발명은 수 나노미터(nm) 이하의 폭을 갖는 나노갭(nano-gap)을 사이에 두고 두 개의 전극이 접해 있는 나노갭 전극소자의 제작 방법에 관한 것으로, 서로 다른 식각비를 갖는 반도체층들을 이용하여 공기중에 부양된 구조의 나노 구조물을 형성하고, 반도체층으로부터 나노 구조물까지의 높이, 나노 구조물의 폭 및 금속의 증착 각도를 조절하여 나노갭을 형성한다. 나노갭의 위치와 폭을 용이하게 조절할 수 있고 반복되는 구조를 갖는 어레이 형태의 나노갭을 동시에 형성할 수 있다.
나노 구조물, 증착 각도, 나노갭, 전극소자, 어레이-
公开(公告)号：KR1020060055668A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020040094585
申请日：2004-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/0545 , H01L51/0595 , Y10S977/936 , Y10S977/937 , Y10S977/938
Abstract: 본 발명은 쓰리-게이트 전계효과 분자트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 형성되며 그 상면에 소오스/드레인 영역의 홈과 상기 홈 사이를 연결하기 위한 소정의 폭을 갖는 연결홈이 구비된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 전체 상부면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 연결홈에 형성된 소정의 폭을 갖는 갭을 중심으로 상기 소오스/드레인 영역의 홈 및 상기 연결홈 일부분의 게이트 절연막 상에 형성된 소오스/드레인 전극과, 상기 게이트 전극에 둘러싸이도록 상기 갭에 삽입되며 상기 소오스/드레인 전극을 연결하기 위한 적어도 하나의 분자로 구성된 채널영역을 포함함으로써, 채널을 통과하는 전자들에 대한 게이트전압의 영향을 극대화할 수 있으며, 게이트 전압의 증감에 따른 소오스/드레인 간 전류의 변화이득을 크게 증가시킬 수 있어 종래의 소자에 비해 높은 기능성과 신뢰성을 가지는 분자전자회로를 구현할 수 있는 효과가 있다.
분자트랜지스터, 쓰리-게이트, 전계효과, 분자전자회로, 소오스/드레인 전극, 채널영역-
公开(公告)号：KR1020070036355A
公开(公告)日：2007-04-03
申请号：KR1020050091288
申请日：2005-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/105 , B82Y10/00 , H01L51/0023 , H01L51/0595
Abstract: 본 발명은 수 나노미터(nm) 이하의 폭을 갖는 나노갭(nano-gap)을 사이에 두고 두 개의 전극이 접해 있는 나노갭 전극소자의 제작 방법에 관한 것으로, 서로 다른 식각비를 갖는 반도체층들을 이용하여 공기중에 부양된 구조의 나노 구조물을 형성하고, 반도체층으로부터 나노 구조물까지의 높이, 나노 구조물의 폭 및 금속의 증착 각도를 조절하여 나노갭을 형성한다. 나노갭의 위치와 폭을 용이하게 조절할 수 있고 반복되는 구조를 갖는 어레이 형태의 나노갭을 동시에 형성할 수 있다.
나노 구조물, 증착 각도, 나노갭, 전극소자, 어레이-
公开(公告)号：KR100565174B1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：KR1020030082418
申请日：2003-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/0023 , B82Y10/00 , H01L51/0595 , Y10S977/78 , Y10S977/781 , Y10S977/784 , Y10S977/932
Abstract: 본 발명은 나노갭 전극소자의 제작 방법에 관한 것으로, 기판 위에 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 전극의 일측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 스페이서 일측부의 노출된 기판 상에 제 2 전극을 형성하는 단계와, 상기 스페이서를 제거하여 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 나노갭이 형성되도록 하는 단계를 포함한다. 본 발명을 이용하면 나노갭의 위치와 폭, 형상 등을 재현성 있게 제어할 수 있을 뿐만 아니라 한번의 공정으로 다수의 나노갭 전극소자를 동시에 형성할 수 있으며, 높은 신뢰성을 가지는 분자전자회로를 용이하게 구현할 수 있다.
전극소자, 나노갭, 스페이서, 분자소자, 분자전자회로-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060070716A
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040109296
申请日：2004-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , H01L27/285 , H01L51/0595
Abstract: 유기 메모리 소자 및 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 전기적 이안정성(electrical bistability)을 가지는 유기물 메모리 소자를 금속 전극들 사이에 일정한 크기 분포를 가지는 나노입자들이 분산된 유기물층을 포함하는 전자 채널층을 도입하여 형성한다. 본 발명에 따른 소자는 상부 전극과 하부 전극에 인가된 전압에 의해 전자 채널층의 전자 구조가 급격하게 변화하게 되고, 이에 따른 전기 전도도의 변화를 메모리 특성으로 이용하는 소자이다. 본 발명에 따르면, 간단한 제작 공정을 활용하여 고집적화가 가능한 유기물 소자를 제시하고, 임계전압 특성과 소자 측소화에 따른 소자간의 불균일성을 개선한 유기 메모리 소자를 구현할 수 있다.
메모리, 비휘발성 메모리, 유기물 메모리, 고분자 메모리, 전기 전도도, 2극형 교차 구조, 나노입자-
公开(公告)号：KR1020050064109A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030095391
申请日：2003-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/025 , G11C2213/17
Abstract: 나노 미터 크기의 분자 스위치 소자를 제공한다. 본 발명의 분자 스위치 소자는 전자가 흐를 수 있는 전자 채널을 구성하는 채널부와, 상기 채널부의 양단에 접촉된 전극과, 상기 채널부와 연결부를 통하여 연결되고 상기 전극을 통합 전압 인가에 따라 산화 상태 또는 전자 밀도가 달라져서 채널부의 전기 전도도를 변화시킬 수 있는 조절부를 포함한다. 본 발명의 분자 스위치 소자는 고속 동작이 가능하고, 분자 소자 제작 공정을 활용할 경우 고집적화가 가능하다.
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公开(公告)号：KR100496432B1
公开(公告)日：2005-06-21
申请号：KR1020030033954
申请日：2003-05-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 자기조립 단분자막 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 자기조립 단분자막으로 이루어진 채널층을 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 형성하면서 소오스 전극 및 드레인 전극과 접하지 않는 자기조립 단분자막의 모든 부분이 절연막을 통해 게이트 전극과 중첩되도록 하거나, 채널층에서 흐르는 전류의 방향과 게이트 전극에 인가된 전압에 의해 발생되는 전기장의 방향을 평행하게 만듦으로써, 게이트 전압의 증감에 따른 소오스-드레인 전류의 변화율을 증가시켜 전류 변화 특성을 향상시킬 수 있는 자기조립 단분자막 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR1020060068534A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040107251
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01L21/12 , G01N21/3518 , G01N33/0052
Abstract: Provided are a nanowire sensor and a method of manufacturing the same. The nanowire sensor includes: a sensing target system comprising a target element to be detected; two electrodes separated from each other contained in the sensing target system; vanadium oxide (V 2 O 5 ) nanowires incorporated in the sensing target system and attached to the two electrodes; and a measuring unit for measuring a change in resistance of the nanowires as the nanowires detect the target element.
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公开(公告)号：KR100584719B1
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020040094585
申请日：2004-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/0545 , H01L51/0595 , Y10S977/936 , Y10S977/937 , Y10S977/938
Abstract: 본 발명은 쓰리-게이트 전계효과 분자트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 형성되며 그 상면에 소오스/드레인 영역의 홈과 상기 홈 사이를 연결하기 위한 소정의 폭을 갖는 연결홈이 구비된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 전체 상부면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 연결홈에 형성된 소정의 폭을 갖는 갭을 중심으로 상기 소오스/드레인 영역의 홈 및 상기 연결홈 일부분의 게이트 절연막 상에 형성된 소오스/드레인 전극과, 아래면과 양측면이 상기 게이트 전극에 둘러싸이도록 상기 갭에 삽입되며 상기 소오스/드레인 전극을 연결하기 위한 적어도 하나의 분자로 구성된 채널영역을 포함함으로써, 채널을 통과하는 전자들에 대한 게이트전압의 영향을 극대화할 수 있으며, 게이트 전압의 증감에 따른 소오스/드레인 간 전류의 변화이득을 크게 증가시킬 수 있어 종래의 소자에 비해 높은 기능성과 신뢰성을 가지는 분자전자회로를 구현할 수 있는 효과가 있다.
분자트랜지스터, 쓰리-게이트, 전계효과, 분자전자회로, 소오스/드레인 전극, 채널영역
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