公开(公告)号：KR1020130046486A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：KR1020110110911

申请日：2011-10-28

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 송재용 ,  박현민 ,  신정호

IPC: H01M4/139 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M10/052

CPC classification number: C01G19/00 ,  C01G19/02 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/362 ,  H01M4/387 ,  H01M4/48 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a Tin-tin oxide hybrid nanostructure is provided to synthesize a tin-tin oxide hybrid nanostructure formed on a substrate at a low temperature without adding a catalyst or additives. CONSTITUTION: A manufacturing method of a tin-tin oxide hybrid nanostructure comprises a step of separating a metal substrate and a precursor material containing tin; a step of heating each of the precursor material and the metal substrate; a step of heat-treating the same in atmosphere that oxygen-containing transfer gas flows to the metal substrate from the precursor material, to form the tin-tin oxide hybrid nanostructure on the metal substrate. The transfer gas includes inert gas and oxygen. The molar ratio of the inert gas to oxygen is 90-99:1-10.

Abstract translation: 目的：提供一种锡 - 锡氧化物杂化纳米结构的制造方法，以在不加入催化剂或添加剂的情况下，在低温下合成形成在基板上的锡 - 锡氧化物杂化纳米结构。 构成：锡 - 锡氧化物杂化纳米结构体的制造方法包括分离金属基材和含锡的前体材料的步骤; 加热前体材料和金属基材的步骤; 在含氧转移气体从前驱体材料流入金属基板的气氛中进行热处理的工序，在金属基板上形成锡 - 锡氧化物混合纳米结构体。 转移气体包括惰性气体和氧气。 惰性气体与氧气的摩尔比为90-99：1-10。

公开(公告)号：KR100642276B1

公开(公告)日：2006-11-03

申请号：KR1020040017717

申请日：2004-03-16

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 강시홍 ,  이민규 ,  유레프유리 ,  조양구 ,  이확주 ,  박현민 ,  김주황

IPC: G21K1/06

Abstract: 본 발명은 X-선 모노크로메타 크리스탈의 미세조절장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 한 쌍으로 구비되는 고정블럭에 각각 두 개의 제 1미세조정볼트와 한 개의 제 2미세조정볼트를 통해 크리스탈의 곡면을 형성하고, 이렇게 형성된 곡면의 뒤틀림을 보정하여 최소화하기 위한 X-선 모노크로메타 크리스탈의 미세조절장치에 관한 것이다. 따라서, 본 발명에 의하면, 고정블럭을 "ㄴ" 형상의 2개로 형성하고 각각을 제 1미세조정볼트 및 제 2미세조정볼트로 3개소에서 상/하 구동하게 함으로써 크리스탈의 곡률 형성뿐만 아니라 형성된 곡면의 뒤틀림을 보정할 수 있어 크리스탈의 각 부위의 곡률 반경에 대한 편차를 최소화하여 보다 정밀한 극미세구조의 분석 및 해석을 가능하게 할 수 있다. 그리고 본 발명에 의하면, 기초판의 저면에 길이방향으로 도브테일 형상의 밑판을 구성함으로써 본 발명에 따른 장치의 장착 및 고정시에 크리스탈에 가해지는 외력을 최소로 하여 크리스탈에 형성된 곡률 반경이 그대로 유지되도록 할 수 있다.
X-선, 모노크로메타, 크리스탈, XIEES, 피치, 곡률

公开(公告)号：KR100573393B1

公开(公告)日：2006-04-25

申请号：KR1020030085236

申请日：2003-11-27

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 이확주 ,  박현민 ,  류현 ,  조양구 ,  남산 ,  임종봉

IPC: C04B35/495

Abstract: 본 발명은 고주파용 유전체 조성물 및 이를 이용한 고주파용 유전체 부품에 관한 것으로, 일반식 Ba(Mg
1/3 Nb
2/3 )O
3 -xB
2 O
3 (2.0mol% ≤ x ≤ 40mol%)로 이루어진 고주파용 유전체 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 고주파용 유전체 조성물은 높은 유전율(ε
r )과 품질계수(Q×f
0 ), 그리고 7∼-17ppm/℃의 범위를 가지는 공진주파수 온도계수(τ
f )를 가지고 있고, 이러한 유전체 조성물의 소결공정의 온도는 950℃ 이하로 저온소결용 고주파 유전체 세라믹스 부품의 재료로서 사용될 수 있는 우수한 특성을 갖는 고주파 유전체 조성물이다.
유전체, 세라믹스, BMN

公开(公告)号：KR1020050051447A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：KR1020030085236

申请日：2003-11-27

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 이확주 ,  박현민 ,  류현 ,  조양구 ,  남산 ,  임종봉

IPC: C04B35/495

CPC classification number: H01B3/12 ,  H01P7/10

Abstract: 본 발명은 고주파용 유전체 조성물 및 그 제조 방법과 이를 이용한 고주파용 유전체 부품에 관한 것으로, 일반식 Ba(Mg
1/3 Nb
2/3 )O
3 -xB
2 O
3 (2.0mol% ≤ x ≤ 40mol%)로 이루어진 고주파용 유전체 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 고주파용 유전체 조성물은 높은 유전율(ε
r )과 품질계수(Q×f
0 ), 그리고 7∼-17ppm/℃의 범위를 가지는 공진주파수 온도계수(τ
f )를 가지고 있고, 이러한 유전체 조성물의 소결공정의 온도는 950℃ 이하로 저온소결용 고주파 유전체 세라믹스 부품의 재료로서 사용될 수 있는 우수한 특성을 갖는 고주파 유전체 조성물이다.

公开(公告)号：KR1020050047698A

公开(公告)日：2005-05-23

申请号：KR1020030081462

申请日：2003-11-18

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 조성재 ,  추민철 ,  박현민 ,  윤경진

IPC: C04B41/86

CPC classification number: C04B41/86 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5022 ,  C04B41/00 ,  C04B35/10 ,  C04B35/48

Abstract: 본 발명은 내열부품, 내마모 부품 및 반도체 제조 장비용 부품 등으로 사용되는 알루미나계 세라믹스를 포함한 산화물 세라믹스의 표면개질 방법 및 처리된 산화물 세라믹스에 관한 것으로, 더욱, 상세하게는 유리를 열처리를 통하여 산화물 세라믹스 표면에 침투시킴으로서, 강도, 내열 충격 특성, 내마모성이 향상되고 가공에 의한 표면균열을 치유하도록 하는 산화물 세라믹스의 표면개질 방법 및 이에 의하여 제조된 산화물 세라믹스에 관한 것이다.
본 발명의 산화물 세라믹스의 표면개질 방법은 1000-1700℃의 온도에서 산화물 세라믹스 및 유리를 전기로를 비롯한 가열수단을 이용하여 수초 내지 수시간 열처리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 산화물 세라믹스의 표면개질 방법은 적은 비용과 간단한 공정을 통하여 산화물 세라믹스의 강도, 내열 충격 특성, 내마모성을 향상시키는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020050039042A

公开(公告)日：2005-04-29

申请号：KR1020030074398

申请日：2003-10-23

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 조성재 ,  추민철 ,  박현민 ,  윤경진

IPC: C01B31/36

CPC classification number: C01B32/956 ,  B28D5/022 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/80

Abstract: 본 발명은 내열부품, 내마모부품 및 반도체 제조 장비용 부품 등으로 사용되는 탄화규소의 표면개질 방법 및 표면개질된 탄화규소에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표면 개질을 통하여 강도, 내열 충격 특성, 내마모성이 향상되도록 하는 탄화규소의 공기중 표면개질 방법 및 이에 의하여 표면개질된 탄화규소에 관한 것이다.
본 발명의 탄화규소 표면개질 방법은
공기중 900-1300℃, 바람직하게는 1050-1300℃의 온도에서 탄화규소를 수초 내지 수십시간 열처리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 탄화규소 표면개질 방법에 의하면 탄화규소가 갖는 강도, 내열충격 특성, 내마모성을 향상시키고 가공시 발생하는 균열을 치유하는 효과를 갖는다.
또한, 이러한 표면개질 방법은 간단한 방법에 의하여 탄화규소의 물성을 향상시킬 뿐 만 아니라, 비용 면에서 유리한 가공 공정을 제공하게 되므로, 탄화규소가 이용되는 내열부품, 내마모부품 및 반도체 제조 장비용 부품의 산업에 큰 효과가 기대된다.