公开(公告)号：DE112012000372T5

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：DE112012000372

申请日：2012-02-24

Applicant: IBM

Inventor： PANTAZI ANGELIKI ,  SEBASTIAN ABU ,  PAPANDREOU NIKOLAOS ,  POZIDIS CHARALAMPOS ,  FREY URS

IPC: G11C16/10

Abstract: Es werden Verfahren und Vorrichtungen zum Programmieren einer Phasenwechselspeicherzelle (10) bereitgestellt. Ein Vorspannungssignal (VBL) wird an die Zelle angelegt. Ein Messabschnitt (m) des Vorspannungssignals hat ein Profil, das mit der Zeit variiert. Eine Messung (TM), die von der Erfüllung einer vorbestimmten Bedingung abhängig ist, wird dann durchgeführt. Die vorbestimmte Bedingung ist vom Zellstrom während des Messabschnitts (m) des Vorspannungssignals abhängig. Ein Programmiersignal wird in Abhängigkeit von der Messung (TM) erzeugt, und das Programmiersignal wird angelegt, um die Zelle (10) zu programmieren.

公开(公告)号：GB2500694A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：GB201205686

申请日：2012-03-30

Applicant: IBM

Inventor： KREBS DANIEL ,  SEBASTIAN ABU

IPC: G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00

Abstract: A phase-change memory cell 10 comprising: at least a reference electrical terminal T3; at least two electrical terminals T1, T2 that are configurable to be supplied with respective electrical signals S1, S2 and at least a phase-change material 11such as germanium antimony tellurium alloy that is provided between, and coupled to each of, the reference electrical terminal T3 and the two electrical terminals T1, T2, the phase-change material 11 being operable in one of at least two reversibly transformable phases, an amorphous phase 11' and a crystalline phase 11", a transition from one phase to the other phase occurring in response to a corresponding phase-altering electrical signal being applied to the phase-change material 11, wherein when the phase-change memory cell 10 is in use: the respective electrical signals S1, S2 supplied to the electrical terminals T1, T2 are configurable to comprise a phase-altering signal, at least a resistance measurement unit 13 is accessible to measure a respective electrical resistance R1, R2 between each of the electrical terminals T1, T2 and the reference electrical terminal T3, and at least a mathematical operation unit 14 is accessible to determine at least a mathematical relation between the respective electrical resistances R1, R2 measured between each of the electrical terminals T1, T2 and the reference electrical terminal T3.

公开(公告)号：GB2496822B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：GB201304453

申请日：2011-08-26

Applicant: IBM

Inventor： ELEFTHERIOU EVANGELOS ,  PANTAZI ANGELIKI ,  PAPANDREOU NIKOLAOS ,  POZIDIS CHARALAMPOS ,  SEBASTIAN ABU

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  H01L45/00

公开(公告)号：GB2492701A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：GB201218792

申请日：2011-03-23

Applicant: IBM

Inventor： ELEFTHERIOU EVANGELOS ,  PANTAZI ANGELIKI ,  PAPANDREOU NIKOLAOS ,  POZIDIS CHARALAMPOS ,  SEBASTIAN ABU

IPC: G11C11/56 ,  G11C13/00

Abstract: A method is provided that comprises a step of programming the PCM cell to have a respective definite cell state by at least one current pulse flowing to the PCM cell, said respective definite cell state being defined at least by a respective definite resistance level, a step of controlling said respective current pulse by a respective bitline pulse and a respective wordline pulse, and a step of controlling said respective bitline pulse and said respective wordline pulse dependent on an actual resistance value of the PCM cell and a respective reference resistance value being defined for the definite resistance level.

公开(公告)号：DE112011100217T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112011100217

申请日：2011-03-23

Applicant: IBM

Inventor： ELEFTHERIOU EVANGELOS S ,  PAPANDREOU NIKOLAOS ,  POZIDIS CHARALAMPOS ,  SEBASTIAN ABU ,  PANTAZI ANGELIKI

IPC: G11C13/00

Abstract: Es wird ein Verfahren bereitgestellt, das einen Schritt des Programmierens der PCM-Zelle durch mindestens einen Strompuls, der der PCM-Zelle zufließt, umfasst, um einen jeweiligen bestimmten Zellzustand anzunehmen, wobei der jeweilige bestimmte Zellzustand durch mindestens eine jeweilige bestimmte Widerstandsstufe festgelegt ist, und das einen Schritt des Steuerns des jeweiligen Strompulses durch einen jeweiligen Bitleitungs- und einen jeweiligen Wortleitungspuls sowie einen Schritt des Steuerns des jeweiligen Bitleitungs- und des jeweiligen Wortleitungspulses in Abhängigkeit von dem momentanen Widerstandswert der PCM-Zelle und von einem jeweiligen Bezugs-Widerstandswert umfasst, der für die bestimmte Widerstandsstufe festgelegt ist.