公开(公告)号：IT1313875B1

公开(公告)日：2002-09-24

申请号：ITMI992374

申请日：1999-11-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： MILANESI ANDREA ,  POLETTO VANNI ,  GHIGINI PAOLO

IPC: G05D23/24

Abstract: A temperature control system and method for integrated circuits, particularly those having a plurality of channels or power devices. The temperature control system for an integrated circuit includes at least a heat generating device; a sensor element providing a signal correlated to the working conditions of said the heat generating device such as a signal proportional to the dissipated power of the heat generating device; an elaboration circuit of the signal correlated to the working conditions of the heat generating device; and a turning off circuit of said at least a heat generating device responsively to a signal of said elaboration circuit.

公开(公告)号：FR3078415B1

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：FR1851699

申请日：2018-02-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  ST MICROELECTRONICS INC ,  ST MICROELECTRONICS ALPS SAS

Inventor： POLETTO VANNI ,  SWANSON DAVID F ,  TORRISI GIOVANNI LUCA ,  CHEVALIER LAURENT

IPC: G05F1/565 ,  H01L27/02 ,  H02M1/08

Abstract: L'invention concerne un circuit de commande de transistors (44, 46) en parallèle comprenant au moins deux étages (42, 43) destinés chacun à fournir un signal de commande à un des transistors, dans lequel un courant de sortie de chaque étage est régulé selon la différence entre la somme de valeurs représentatives des courants de sortie mesurés de chaque étage et la somme de valeurs des consignes affectées à tous les étages.

公开(公告)号：DE102017113530A1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE102017113530

申请日：2017-06-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： POLETTO VANNI ,  PROVINZANO BIAGIO

IPC: H03F3/45

Abstract: Eine (Vor-)Treiberschaltung (100) für z. B. Elektromotoren beinhaltet:einen ersten (Gxy) und einen zweiten (Sxy) Ausgangsanschluss, die mit einem Leistungstransistor (T) koppelbar sind,eine Differenzstufe (10), die einen nicht invertierenden (+) und einen invertierenden (-) Eingang aufweist, zum Aufnehmen einer Eingangsspannung (Vin), wobei die Eingangsspannung (Vin) als eine Ausgangsspannung (Vgs) über dem ersten (Gxy) und dem zweiten (Sxy) Ausgangsanschluss als ein Treibersignal für den Leistungstransistor repliziert wird.Die Differenzstufe (10) umfasst einen Differenz-Transkonduktanz-Verstärker in einer Spannungsfolgeranordnung, die kontinuierliche Regelung der Spannung an dem ersten Ausgangsanschluss (Gxy) relativ zu dem zweiten Ausgangsanschluss (Sxy) vorsieht.

公开(公告)号：DE60102213D1

公开(公告)日：2004-04-08

申请号：DE60102213

申请日：2001-12-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： POLETTO VANNI

IPC: G05B11/42

Abstract: The present invention relates to a digital control circuit of the P.I. (Proportional Integral) type, receiving an error signal (Error) at an input terminal (IN1) and adapted to provide, at an output terminal (OUT1), a PWM [Pulse Width Modulated] output signal (PWM Output). The circuit is of a type comprising at least one analog-to-digital converter (100, 100*) connected to the input terminal (IN) and to the output terminal (OUT1) through at least one integrative/proportional branch (120, 121, 130, 134). Advantageously in this invention, the analog-to-digital converter (100, 100*) is an integration converter adapted to integrate the error signal (Error) before an analog-to-digital conversion thereof.

公开(公告)号：ES2194091T3

公开(公告)日：2003-11-16

申请号：ES96830610

申请日：1996-12-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  MAGNETI MARELLI POWERTRAIN SPA

Inventor： MILANESI ANDREA ,  POLETTO VANNI ,  POMA ALBERTO ,  MORELLI MARCO

IPC: G05F1/575

Abstract: A voltage-regulator circuit with a low voltage drop using a DMOS power transistor (PT) driven by a charge pump (CP) comprises two feedback loops: a first feedback loop having high gain and accuracy but low response speed, and a second feedback loop having a wide passband and fast response speed but low gain.

公开(公告)号：DE69626991D1

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：DE69626991

申请日：1996-12-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  MAGNETI MARELLI POWERTRAIN SPA

Inventor： MILANESI ANDREA ,  POLETTO VANNI ,  POMA ALBERTO ,  MORELLI MARCO

IPC: G05F1/575

Abstract: A voltage-regulator circuit with a low voltage drop using a DMOS power transistor (PT) driven by a charge pump (CP) comprises two feedback loops: a first feedback loop having high gain and accuracy but low response speed, and a second feedback loop having a wide passband and fast response speed but low gain.

公开(公告)号：DE69227244T2

公开(公告)日：1999-03-04

申请号：DE69227244

申请日：1992-07-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： POLETTO VANNI ,  MORELLI MARCO

IPC: H01L29/73 ,  G05F1/569 ,  H01L21/331 ,  H03K17/0422 ,  G05F1/56 ,  H03K17/04

Abstract: Saturation of a bipolar power transistor is controlled by sensing the current which is eventually injected into the substrate of the integrated circuit by the saturating transistor and using this signal for exerting a limiting action on the current which is driven to the base of the power transistor by a dedicated driving circuit. Differently from the prior art antisaturation systems, it is no longer necessary to precisely monitor the operating voltages across the terminals of the bipolar power transistor. A suitable sensing resistance may be integrated conveniently at a distance from the often complex integrated structure of the bipolar transistor. The system of the invention offers numerous advantages and ensures intervention of the antisaturation circuit only when the power transistor has positively reached a state of saturation, but well before any unwanted consequence.

公开(公告)号：DE69227244D1

公开(公告)日：1998-11-12

申请号：DE69227244

申请日：1992-07-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： POLETTO VANNI ,  MORELLI MARCO

IPC: H01L29/73 ,  G05F1/569 ,  H01L21/331 ,  H03K17/0422 ,  G05F1/56 ,  H03K17/04

Abstract: Saturation of a bipolar power transistor is controlled by sensing the current which is eventually injected into the substrate of the integrated circuit by the saturating transistor and using this signal for exerting a limiting action on the current which is driven to the base of the power transistor by a dedicated driving circuit. Differently from the prior art antisaturation systems, it is no longer necessary to precisely monitor the operating voltages across the terminals of the bipolar power transistor. A suitable sensing resistance may be integrated conveniently at a distance from the often complex integrated structure of the bipolar transistor. The system of the invention offers numerous advantages and ensures intervention of the antisaturation circuit only when the power transistor has positively reached a state of saturation, but well before any unwanted consequence.

公开(公告)号：IT1251205B

公开(公告)日：1995-05-04

申请号：ITTO910707

申请日：1991-09-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  MARELLI AUTRONICA

Inventor： POLETTO VANNI ,  MORELLI MARCO ,  POMA ALBERTO

IPC: H03K17/08 ,  H02M1/00 ,  H02M1/38 ,  H03K17/082 ,  H03K17/66 ,  H03K

Abstract: The circuit includes two output terminals (OUT1, OUT2) for connection to the terminals of a load (L), first and second pairs of electronic power switches (Q1, Q4; Q2, Q3) which are connected between the output terminals (OUT1, OUT2) and the two poles of a direct-current voltage supply (Vs) so as to form an H-shaped structure with the load (L), and a driver circuit (C1, C2) for selectively making the electronic power switches of the first pair (Q1, Q4) of the second pair (Q2, Q3) order to cause a current to flow through the load (L) in one direction or the other respectively, and for preventing the electronic switches (Q1, Q3; Q2, Q4) which are connected between the same output terminal (OUT1; OUT2) and the two poles of the voltage supply (Vs) from conducting simultaneously.

公开(公告)号：DE102017113530B4

公开(公告)日：2022-06-15

申请号：DE102017113530

申请日：2017-06-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： POLETTO VANNI ,  PROVINZANO BIAGIO

IPC: H03F3/45

Abstract: Schaltung (100), umfassend:- einen ersten (Gxy) und einen zweiten (Sxy) Ausgangsanschluss, die mit einem Leistungstransistor (T) koppelbar sind,- eine Differenzstufe (10), die einen nicht invertierenden und einen invertierenden Eingang aufweist, zum Aufnehmen einer Eingangsspannung (Vin), die über dem nicht invertierenden und dem invertierenden Eingang angelegt ist, wobei die Eingangsspannung (Vin) als eine Ausgangsspannung (Vgs) über dem ersten (Gxy) und dem zweiten (Sxy) Ausgangsanschluss repliziert wird, um ein Treibersignal für den Leistungstransistor bereitzustellen, wobei die Differenzstufe (10) einen Differenz-Transkonduktanz-Verstärker (M7, M8) in einer Spannungsfolgeranordnung beinhaltet, die kontinuierliche Regelung der Spannung an dem ersten Ausgangsanschluss (Gxy) relativ zu dem zweiten Ausgangsanschluss (Sxy) vorsieht, dadurch gekennzeichnet, dass die Differenzstufe (10) eine Spannungsklemme (D1, D2, D3; T1, T2, D2, D3) zum Klemmen der Ausgangsspannung (Vgs) über dem ersten (Gxy) und dem zweiten (Sxy) Ausgangsanschluss auf einen Spitzenwert beinhaltet, wobei die Spannungsklemme zwischen den zweiten Ausgangsanschluss (Sxy) und eine Versorgungsleitung (CP) zur Schaltung gesetzt ist, und wobei die Spannungsklemme (D1, D2, D3; T1, T2, D2, D3) eine oder mehrere Zener-Dioden (D1, D2, D3) umfasst, die in Serie mit einer kaskadierten Anordnung von zwei Bipolartransistoren (T1, T2) gekoppelt sind.