公开(公告)号：CN1776844A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510113616.0

申请日：2005-10-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/628 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/6281 ,  C04B35/62815 ,  C04B35/62818 ,  C04B35/62823 ,  C04B35/62886 ,  C04B35/62889 ,  C04B35/62894 ,  C04B35/62897 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227 ,  Y10T428/252 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/2996

Abstract: 本发明提供一种确保高介电常数和良好的温度特性、并且改善了TC偏压特性的多层陶瓷电容器。通过本发明，提供一种多层陶瓷电容器1，其具有由电介体陶瓷组合物构成的电介体层2和内部电极层3交替层压而成的电容器元件主体10，上述电介体陶瓷组合物是含有多个具有壳24a的电介体粒子2a的电介体陶瓷组合物，上述壳24a是在基本上由主成分构成的芯22a周围、副成分扩散至主成分而形成的；以显示平均粒径值的电介体粒子为对象时，上述壳24a的最大厚度t1和最小厚度t2之差(t1－t2)被控制为上述电介体粒子半径R的6～60％。

公开(公告)号：CN1152842C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN01117885.X

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  渡边康夫 ,  高桥三喜夫 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/465 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C04B35/47 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中x满足0≤x≤1.00，所述组成通式中y满足0≤y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式{(Sr1-xCax)O}m，·(Ti1-yZry)O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’＜m。该方法制成的电容器具有优异的抗还原性、优异的电容-温度特性。

公开(公告)号：CN1463453A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN02802059.6

申请日：2002-04-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 日比贵子 ,  中野幸惠 ,  由利俊一 ,  牛岛孝嘉 ,  佐藤阳 ,  高原弥 ,  吉井昌子

IPC: H01G4/12

CPC classification number: C04B35/638 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/63 ,  C04B35/634 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30

Abstract: 一种制造多层陶瓷电子装置的方法，其具有用于焙烧预焙烧基体的焙烧步骤，其中，交替地布置多个绝缘层和包含贱金属的内电极层，其特征在于：焙烧步骤具有用于将温度升高到焙烧温度的温度升高步骤；以及从所述温度升高步骤时刻开始连续地导入氢气。根据该方法，可提供一种制造多层陶瓷电子装置例如多层陶瓷电容器的方法，其中，即使在绝缘层较薄且叠层较多的情况下，也不会发生形状各向异性和其它结构缺陷，提高了电性能并抑制了其性能的退化。

公开(公告)号：CN1102918C

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN99119110.2

申请日：1999-07-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤茂树 ,  野村武史 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 提供一种电介质陶瓷组合物，其介电常数高，容量温度特性满足EIA标准的X8R特性(-55～150℃、ΔC＝±15%以内)，而且可以在还原性气氛中烧结，并且在直流电场中的容量随时间的变化小，还可以延长绝缘电阻的寿命。而且，提供使用该电介质陶瓷组合物的层叠陶瓷电容器等的电子部件。该电介质陶瓷组合物至少包括：作为主成分的BaTiO3，包含选自MgO、CaO、BaO、SrO和Cr2O3中的至少一种的第一副成分，表示为(Ba，Ca)xSiO2+x(x＝0.8～1.2)的第二副成分，包含选自V2O5、MoO3、WO3中的至少一种的第三副成分，包含R1的氧化物(R1是选自Sc、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种)的第四副成分，其中，以主成分BaTiO3为100摩尔时，各副成分的比例是，第一副成分：0.1～3摩尔，第二副成分：2～10摩尔，第三副成分：0.01～0.5摩尔，第四副成分：0.5～7摩尔(但第四副成分的摩尔数是R1单独的比例)。

公开(公告)号：CN1092391C

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN95191054.X

申请日：1995-10-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤阳 ,  川野直树 ,  野村武史 ,  中野幸惠 ,  岚友宏 ,  山松纯子

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/468

CPC classification number: B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种多层瓷介片状电容器，满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小，绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中，介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。

公开(公告)号：CN1320937A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN01117893.0

申请日：2001-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 增宫薰里 ,  增田健 ,  野村武史 ,  中野幸惠 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682

Abstract: 一种制备多层陶瓷片状电容器的方法,该电容器具有由电介质层和内电极层交替叠加而构成的电容器主体,该方法包括:使用钛酸钡作为粉末组分用于形成电介质层,在X－射线衍射图形中,该粉末组分的(200)面的衍射线的峰强度(I(200))相对于(002)面的衍射线的峰点的角与(200)面的衍射线的峰点的角之间的中间点的强度(Ib)的比值(I(200)/(Ib))为4－16。

公开(公告)号：CN1287547A

公开(公告)日：2001-03-14

申请号：CN99801726.4

申请日：1999-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤井真理 ,  佐藤阳 ,  佐藤茂树 ,  野村武史

IPC: C04B35/49 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B35/486 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 考虑到含镍内电极多层陶瓷电容器的制备包括使内电极末端外露的抛光步骤,为了防止抛光步骤的延长,本发明制备了一种抗还原介电陶瓷材料,是通过下列步骤实现的:配成包含以式(Ⅰ)[(CaxSr1－x)O]m[(TiyZr1－y)O2]表示的复合氧化物作为主成分的煅烧材料,其中0≤x≤1,0≤y≤0.10及0.75≤m≤1.04,添加基于主成分0.001—10mol%的MgO或稀土氧化物,并烧结所得混合物。该陶瓷材料包含预定量的SiO2和BaO和/或CaO、和MnO作为辅助成分。

公开(公告)号：CN101088960B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710110023.8

申请日：2007-06-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： M·柳田 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  H01G4/30

Abstract: 电介质陶瓷组合物的制造方法，其制造含有下述成分的电介质陶瓷组合物，所述组合物含有：含有具有式ABO3(A为Ba或Ba和Ca，B为Ti或Ti和Zr)所示的钙钛矿结构的化合物的主成分；和含有R的氧化物(其中，R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)的第4副成分，其包括下述工序：将主成分原料分为第1和第2主成分原料，使第1主成分原料和第4副成分原料的一部分预先反应，得到反应过的原料的工序；和向反应过的原料中添加第2主成分和其余的第4副成分原料的工序，第1和第2主成分的摩尔数为n1、n2时，0.5≤n1/(n1+n2)≤1。根据本发明，可提供即使将电介质层薄层化，也可兼顾相对介电常数和容量温度特性的电介质陶瓷组合物及其制造方法。

公开(公告)号：CN100585763C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510060175.2

申请日：2005-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 室泽贵子 ,  宫内真理 ,  野口和则 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供多层陶瓷电容器1，其具有内部电极层3、厚度不足2μm的层间电介体层2、和外侧电介体层20。根据本发明，即使将层间电介体层2薄层化时，也可以提供有望改善各种电特性、特别是具有足够的介电常数的同时改善TC偏压特性的多层陶瓷电容器1。

公开(公告)号：CN100576382C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200510006159.5

申请日：2005-01-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 日比贵子 ,  野口和则 ,  宫内真理 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器(1)，包括内部电极层(3)、厚度小于2μm的层间电介质层(2)和外侧电介质层(20)，其特征在于，所述层间电介质层(2)及外侧电介质层(20)包含多个电介质粒子(2a、20a)，在所述层间电介质层(2)中包含的电介质粒子(2a)的平均粒径为D50a，所述外侧电介质层(20)中所包含的并存在于从配置在最外侧的内部电极层(3a)沿厚度方向离开5μm以上的位置的电介质粒子(20a)的平均粒径为D50b时，该D50a与D50b之比(D50a/D50b)为y1，所述层间电介质层(2)的厚度为x的场合，所述y1与x满足y1≤-0.75x+2.275、且y1≥-0.75x+1.675的关系。根据本发明，可以提供一种叠层陶瓷电容器(1)，即使将层间电介质层(2)薄层化时，也可以期待在保持各种电特性，特别是充分的介电常数的同时，提高TC偏压特性。