公开(公告)号：CN102362330A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080012592.9

申请日：2010-03-18

Applicant: 德尔福芒斯公司

Inventor： K·塞古尼 ,  N·罗尔菲林

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B5/00 ,  B81B2201/018

Abstract: 一种MEMS结构包括：柔性膜(6)，具有限定纵向(X)的主纵轴(5a)；至少一个支柱(3、3’)，位于柔性膜(6)下面；电降低致动装置(7)，适用于使柔性膜(6)向下弯曲到向下强制状态；电升高致动装置(8)，适用于使柔性膜(6)向上弯曲到向上强制状态。电降低致动装置(7)或者电升高致动装置(8)包括在膜(6)的一部分下面延伸并且适用于在纵向(X)在所述至少一个支柱(3)的两侧上同时对膜(6)施加拉力的致动区(7c或8c)。

公开(公告)号：CN101147223B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200680009284.4

申请日：2006-03-07

Applicant: 德尔福芒斯公司

Inventor： 奥利弗·米莱特

IPC: H01H1/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B81B5/00 ,  B81B2201/018 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0063

Abstract: 一种RF MEMS开关，其包括由衬底(1)承载的可以在第一位置(断开状态/图1)和第二位置(接通状态)的两个位置之间受驱动的微机械开关装置，以及用于驱动开关装置的位置的驱动装置。微机械开关装置包括由支撑装置(3)自由地支撑的，在驱动装置(7)的动作下可弯曲的，以及可以在其弯曲运动过程中相对于支撑装置(3)自由地滑动的挠性膜(6)。

公开(公告)号：CN101512702A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780033389.8

申请日：2007-09-07

Applicant: 卢森特技术有限公司

Inventor： F·帕多

IPC: H01H61/04 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01H61/04 ,  B81B3/0024 ,  B81B2201/018 ,  H01H2001/0047 ,  H01H2061/006 ,  H01H2061/008

Abstract: 一种微机电致动器(100)采用金属以用于热臂(101)，并采用硅以用于冷臂(105)的至少柔性部分。由硅制成的冷臂(105)联接至随其移动且当至少两个这样的致动器形成开关时用于携带有待切换的信号的金属线路(107)。第一芯片上的这种开关的阵列可以与以倒装芯片的方式结合到该第一芯片上的第二芯片协调地设置，该第二芯片在其上具有将电气控制流传送到各热臂上以便对其加热且传送有待由该各开关进行切换的信号的线路。

公开(公告)号：CN1309019C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN02821161.8

申请日：2002-11-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 理查德·P·沃兰特 ,  约翰·C·比森 ,  唐娜·R·科特 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  罗伯特·A·格罗夫斯 ,  凯文·S·皮特拉卡 ,  肯尼思·J·斯坦 ,  塞沙德里·苏班纳

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0122 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/40 ,  H01H59/0009

Abstract: 一种制造微电子机械开关(MEMS)的方法，使用开始于在介质(150)内镶嵌由金属导体构成的铜镶嵌互连层的工艺。所有或部分互连凹陷直到当开关处于关闭状态时足够提供容性空气隙的程度，以及提供例如Ta/TaN保护层用空间。在开关限定的区域内限定的金属结构用作致动电极，以下拉可移动梁(160)并提供至少一个路径用于开关信号通过。这种空气隙的优点在于空气不会出现可引起可靠性和电压漂移问题的电荷存储或俘获。替代凹陷电极以提供间隙，可以正好在电极上或电极周围增加介质。下一层是另一电介质层，其淀积到在形成开关器件的可移动梁(160)之间形成间隙的所需厚度。穿过该电介质层制造通孔以在金属互连层和还将包括可移动梁的下一个金属层之间提供连接。接着构图和蚀刻通孔层以提供包含下致动电极和信号路径的空腔区。接着用牺牲释放材料回填充空腔。

公开(公告)号：CN1764348A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510097680.4

申请日：2005-08-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 新田耕司 ,  稻泽信二 ,  平田嘉裕 ,  冈田一范

IPC: H05K3/00

CPC classification number: C25D5/34 ,  B81B2201/018 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00698 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  H05K3/205 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/1157

Abstract: 本发明公开了一种制造电气部件的方法，该方法包括如下步骤：在基板的部分表面上形成光致抗蚀剂；形成所述光致抗蚀剂后在基板表面上形成金属层；去除所述金属层的一部分；去除由于去除部分所述金属层而形成在所述金属层表面上的金属氧化膜；以及去除所述光致抗蚀剂。使用该方法可以降低电气部件表面上的接触电阻。

公开(公告)号：CN1695233A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN02826975.6

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 肖恩·J·坎宁安 ,  斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/4763 ,  H01P1/10 ,  H01H57/00 ,  H02B1/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造三层横梁MEMS器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层(310)，和移去牺牲层(310)上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构(312)；在第一导电微型结构(312)、牺牲层(310)和衬底(300)上淀积结构层(322)，并且形成一个穿过结构层(322)到达第一导电微型结构(312)的通路；在结构层(322)上和通路中淀积第二导电层(336)；通过移去第二导电层(336)的一部分来形成第二导电微型结构(324)，其中第二导电微型结构(324)通过该通路与第一导电微型结构(312)电通信；并且移去足够量的牺牲层(310)以使第一导电微型结构(312)和该衬底分开，其中在第一端由衬底支撑结构层(322)且在相对的第二端在衬底的上方自由悬挂。

公开(公告)号：CN1575506A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN02821161.8

申请日：2002-11-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 理查德·P·沃兰特 ,  约翰·C·比森 ,  唐娜·R·科特 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  罗伯特·A·格罗夫斯 ,  凯文·S·皮特拉卡 ,  肯尼思·J·斯坦 ,  塞沙德里·苏班纳

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0122 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/40 ,  H01H59/0009

Abstract: 一种制造微电子机械开关(MEMS)的方法，使用开始于在介质(150)内镶嵌由金属导体构成的铜镶嵌互连层的工艺。所有或部分互连凹陷直到当开关处于关闭状态时足够提供容性空气隙的程度，以及提供例如Ta/TaN保护层用空间。在开关限定的区域内限定的金属结构用作致动电极，以下拉可移动梁(160)并提供至少一个路径用于开关信号通过。这种空气隙的优点在于空气不会出现可引起可靠性和电压漂移问题的电荷存储或俘获。替代凹陷电极以提供间隙，可以正好在电极上或电极周围增加介质。下一层是另一电介质层，其淀积到在形成开关器件的可移动梁(160)之间形成间隙的所需厚度。穿过该电介质层制造通孔以在金属互连层和还将包括可移动梁的下一个金属层之间提供连接。接着构图和蚀刻通孔层以提供包含下致动电极和信号路径的空腔区。接着用牺牲释放材料回填充空腔。

公开(公告)号：TW201134751A

公开(公告)日：2011-10-16

申请号：TW099138148

申请日：2010-11-05

Applicant: 萬國商業機器公司

Inventor： 柯亨蓋M ,  法蘭克大衛J

IPC: B82B

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/053 ,  B81C2201/0167

Abstract: 本揭示案提供一種非揮發性奈米機電系統元件，且該元件包括：一懸臂結構，該懸臂結構包括在其一端由一支撐底座支撐之具有一初始形狀的一樑；及一梁偏轉器，該梁偏轉器包括一相變材料(phase change material;PCM)，該PCM在一止滑狀況下與該樑之一材料一起安置於該樑的一部分上，其中該PCM採用一非晶相或一結晶相中之一者，且當採用該結晶相時，使該樑自該初始形狀偏轉。

Abstract in simplified Chinese: 本揭示案提供一种非挥发性奈米机电系统组件，且该组件包括：一悬臂结构，该悬臂结构包括在其一端由一支撑底座支撑之具有一初始形状的一梁；及一梁偏转器，该梁偏转器包括一相变材料(phase change material;PCM)，该PCM在一止滑状况下与该梁之一材料一起安置于该梁的一部分上，其中该PCM采用一非晶相或一结晶相中之一者，且当采用该结晶相时，使该梁自该初始形状偏转。

公开(公告)号：EP1443017B1

公开(公告)日：2018-09-19

申请号：EP04380016.8

申请日：2004-01-22

Applicant: Akustica Inc.

Inventor： Gabriel, Kaigham J. ,  Zhu, Xu

IPC: B81C1/00 ,  H01G5/16

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/0109 ,  H01G5/16

Abstract: The present invention is directed to a structure comprised of alternating layers of metal and sacrificial material built up using standard CMOS processing techniques, a process for building such a structure, a process for fabricating devices from such a structure, and the devices fabricated from such a structure. In one embodiment, a first metal layer is carried by a substrate. A first sacrificial layer is carried by the first metal layer. A second metal layer is carried by the sacrificial layer. The second metal layer has a portion forming a micro-machined metal mesh. When the portion of the first sacrificial layer in the area of the micro-machined metal mesh is removed, the micro-machined metal mesh is released and suspended above the first metal layer a height determined by the thickness of the first sacrificial layer. The structure may be varied by providing a base layer of sacrificial material between the surface of the substrate and the first metal layer. In that manner, a portion of the first metal layer may form a micro-machined mesh which is released when a portion of the base sacrificial layer in the area of the micro-machined mesh is removed. Additionally, a second layer of sacrificial material and a third metal layer may be provided. A micro-machined mesh may be formed in a portion of the third metal layer. The structure of the present invention may be used to construct variable capacitors, switches and, when certain of the meshes are sealed, microspeakers and microphones.

公开(公告)号：EP2751837A4

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：EP12827352

申请日：2012-09-04

Applicant: CAVENDISH KINETICS INC

Inventor： VAN KAMPEN ROBERTUS PETRUS ,  UNAMUNO ANARTZ ,  KNIPE RICHARD L ,  GADDI ROBERTO ,  MAHAMEED RASHED

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0097 ,  B81B7/04 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0172 ,  B81B2203/0307

Abstract: The present invention generally relates to a MEMS device having a plurality of cantilevers that are coupled together in an anchor region and/or by legs that are coupled in a center area of the cantilever. The legs ensure that each cantilever can move/release from above the RF electrode at the same voltage. The anchor region coupling matches the mechanical stiffness in all sections of the cantilever so that all of the cantilevers move together.