公开(公告)号：CN103262207A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180040593.9

申请日：2011-06-21

Applicant: VTT技术研究中心

Inventor： 里卡·普鲁宁 ,  基莫·亨蒂宁 ,  汉努·卡泰卢斯 ,  托米·苏尼

IPC: H01L21/02 ,  B81C1/00 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0118 ,  H01L29/02

Abstract: 一种制造多层衬底结构的方法，例如CSOI晶片结构（空腔-SOI，绝缘体上的硅）包括获得第一和第二晶片，如两个硅晶片，其中至少一个晶片可以可选地设置有材料层如氧化物层（302，404），在第一晶片的结合侧形成空腔（306，406），沉积，优选通过ALD（原子层沉积），材料层，如薄氧化铝层，设置在任一个晶片上，以便至少位于面对另一个晶片的位置并覆盖第一晶片的空腔的至少一部分，如其底部、壁和/或边缘，并能够停止蚀刻至底层材料（308，408），例如干蚀刻，并将设置有至少上述ALD层为中间层的晶片结合在一起以形成多层半导体衬底结构（310，312）。介绍了相关的多层衬底结构。

公开(公告)号：CN101484381B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200780024852.2

申请日：2007-05-16

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 董明皓 ,  利奥尔·科格特

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0167

Abstract: 本发明提供用于控制光调制装置的两个层之间的腔的深度的方法和设备。一种制造光调制装置的方法包括：提供衬底；在所述衬底的至少一部分上方形成牺牲层；在所述牺牲层的至少一部分上方形成反射层；以及在所述衬底上方形成一个或一个以上挠曲控制器，所述挠曲控制器经配置以可操作地支撑所述反射层，且在移除所述牺牲层时，形成深度可测量地不同于所述牺牲层的厚度的腔，其中垂直于所述衬底测量所述深度。

公开(公告)号：CN103121657A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210337866.2

申请日：2012-09-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 阿尔方斯·德赫

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R7/125 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0167 ,  G01L9/0016 ,  H04R1/005 ,  H04R7/14 ,  H04R7/24 ,  H04R19/005 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2440/05

Abstract: 本发明提供了一种微机电系统及其制造方法。微机电系统包括膜结构和背板结构。背板结构包括背板材料以及机械地连接到背板材料的至少一个预张紧元件。所述至少一个预张紧元件在背板材料上形成机械张力以便使背板结构沿着远离膜结构的方向弯曲偏转。

公开(公告)号：CN102906871A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025549.0

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G.A.邓巴 ,  何忠祥 ,  J.C.马林 ,  W.J.墨菲 ,  A.K.斯坦珀

IPC: H01L23/48 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。

公开(公告)号：CN102906011A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025557.5

申请日：2011-06-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.斯坦珀 ,  C.V.扬斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体的方法包括在下布线层之上形成第一牺牲腔体层。该方法还包括形成一层。该方法还包括在第一牺牲层之上形成第二牺牲腔体层并且该第二牺牲腔体层与该层接触。该方法还包括在第二牺牲腔体层上形成顶盖。该方法还包括在顶盖中形成至少一个排放孔，暴露第二牺牲腔体层的一部分。该方法还包括在排放或剥离第一牺牲腔体层之前，排放或剥离第二牺牲腔体层，使第二牺牲腔体层的顶表面不再接触顶盖的底表面，从而分别形成第一腔体和第二腔体。

公开(公告)号：CN102295264A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110174027.9

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 迪恩.当 ,  泰.多恩 ,  杰弗里.C.马林 ,  安东尼.K.斯塔姆珀

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。

公开(公告)号：CN102295263A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110173720.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 乔治.A.邓巴三世 ,  杰弗里.C.马林 ,  威廉.J.莫菲 ,  安东尼.K.斯塔姆珀

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括形成下牺牲材料，用于形成下腔体。该方法还包括形成将下腔体连接到上腔体的腔体通孔。该腔体通孔形成有圆形或倒角边缘的俯视外形。该方法还包括在腔体通孔内及其上方形成上牺牲材料，其具有基于该腔体通孔的外形的生成表面。该上腔体形成有顶盖，该顶盖具有不妨碍MEMS梁的结构，包括：在上牺牲材料的生成表面上沉积顶盖材料；以及排出该上牺牲材料以形成上腔体，从而该顶盖材料形成与该上牺牲材料的生成表面保形的顶盖。

公开(公告)号：CN101305308A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680040120.8

申请日：2006-10-19

Applicant: IDC公司

Inventor： 王新福 ,  唐明华 ,  斯蒂芬·奇

IPC: G02B26/00 ,  B81B3/00 ,  H01L23/06

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00793 ,  B81C2201/0167

Abstract: 本文描述在MEMS装置中的金属层之间使用扩散阻挡层。所述扩散阻挡层防止两种金属的混合，所述混合可改变所要物理特征且使处理复杂化。在一个实例中，所述扩散阻挡层可用作干涉式调制器中的可移动反射结构的一部分。

公开(公告)号：CN101282903A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680030133.7

申请日：2006-08-17

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 利奥儿·科格特 ,  钟帆

IPC: B81B3/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2203/019 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/053 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0167 ,  G02B26/001 ,  Y10S359/90

Abstract: MEMS装置的实施例包含由上覆支撑结构支撑的可移动层，且还可包含下伏支撑结构。在一个实施例中，所述上覆支撑结构与所述可移动层内的残余应力大体上相等。在另一实施例中，所述上覆支撑结构与所述下伏支撑结构内的残余应力大体上相等。在某些实施例中，通过使用具有相同厚度的由相同材料制成的层来获得大体上相等的残余应力。在另外的实施例中，通过使用作为彼此的镜像的支撑结构和/或可移动层来获得大体上相等的残余应力。

公开(公告)号：WO2011160985A3

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/EP2011059880

申请日：2011-06-15

Applicant: IBM ,  IBM UK ,  STAMPER ANTHONY ,  JAHNES CHRISTOPHER VINCENT

Inventor： STAMPER ANTHONY ,  JAHNES CHRISTOPHER VINCENT

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00365 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of forming a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower electrode on a first insulator layer within a cavity of the MEMS. The method further includes forming an upper electrode over another insulator material on top of the lower electrode which is at least partially in contact with the lower electrode. The forming of the lower electrode and the upper electrode includes adjusting a metal volume of the lower electrode and the upper electrode to modify beam bending.

Abstract translation: 形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的空腔内的第一绝缘体层上形成下电极。 该方法还包括在下部电极的顶部上形成上部电极，该上部电极至少部分地与下部电极接触。 下电极和上电极的形成包括调节下电极和上电极的金属体积以改变光束弯曲。