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公开(公告)号：CN106128540B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610490788.8
申请日：2011-10-21
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G21K4/00 , B82Y10/00 , G01N23/04 , G01T1/2008 , G01T3/06 , G21K2201/061
Abstract: 本发明的闪烁器面板(1)是响应于透过了对象物(A)的放射线的入射而使闪烁光放射的平板状的构件，在对闪烁光进行聚光并摄像的图像取得装置所使用的闪烁器面板中，具备：使放射线透过的平面状的隔板(2)、配置在隔板(2)的一个面(2a)上且将放射线变换成闪烁光的平板状的闪烁器(3)、以及配置在隔板(2)的另一面(2b)上，将放射线变换成闪烁光的平板状的闪烁器(4)。
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公开(公告)号：CN103080840B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180031217.3
申请日：2011-03-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F1/64 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/20 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B5/204 , G02B5/208 , G02B27/0006 , G03B27/54 , G03F1/24 , G03F1/62 , G03F7/70058 , G03F7/702 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , G21K1/062 , G21K2201/061 , H01B1/04 , H01B1/24
Abstract: 一种光刻设备，包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜(44)配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒(54)通过隔膜的管道。颗粒捕获结构(52)配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒(58)从腔内部到达腔外部。
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公开(公告)号：CN104464870A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410728136.4
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G21K1/062 , B82Y40/00 , G21K2201/061
Abstract: 本发明属于电子束光刻加工技术领域，具体为一种高高宽比X射线透镜的制备方法。其步骤包括：在淀积有金属种子层的基片或者隔膜上，利用电子束曝光技术在光刻胶上制备出X光会聚透镜的设计图形，然后利用纳米电镀的工艺，得到高高宽比的condenser结构，最后利用丙酮等有机溶液将光刻胶溶解，从而得到具有高高宽比的应用于X射线成像领域的condenser透镜。
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公开(公告)号：CN103901737A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410077948.7
申请日：2011-03-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F1/64 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/20 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B5/204 , G02B5/208 , G02B27/0006 , G03B27/54 , G03F1/24 , G03F1/62 , G03F7/70058 , G03F7/702 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , G21K1/062 , G21K2201/061 , H01B1/04 , H01B1/24
Abstract: 本发明公开了一种用于EUV掩模版的表膜、多层反射镜和光刻设备，该光刻设备包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜（44）配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒（54）通过隔膜的管道。颗粒捕获结构（52）配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒（58）从腔内部到达腔外部。
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公开(公告)号：CN103380401A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280009855.X
申请日：2012-01-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/702 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70058 , G21K1/062 , G21K2201/061
Abstract: 一种用于极紫外辐射的掠入射反射器(300)包括第一反射镜层(310)和在第一反射镜层下面的多层反射镜结构(320)。第一反射镜层至少部分地反射以在第一范围内的掠入射角入射到所述掠入射反射器上的极紫外辐射，所述第一反射镜层透射在入射角的第二范围中的极紫外辐射，所述入射角的第二范围与入射角的第一范围重叠且延伸超出入射角的第一范围。多层反射镜结构反射极紫外辐射，所述极紫外辐射以在所述第二范围内的掠入射角入射到所述掠入射反射器上且穿透所述第一反射镜层。掠入射反射器可以用于光刻设备中和通过光刻过程制造器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103229248A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180056893.6
申请日：2011-09-13
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G21K1/06
CPC classification number: G02B5/0891 , B82Y10/00 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/061
Abstract: 本发明涉及一种包含基底(S)和层布置的反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)，其中将所述层布置设计为使得以至少在0°和30°之间的入射角入射于反射镜(la;la’;lb;lb’;lc;lc’)上的、波长小于250nm的光(32)的强度被反射超过20%，以及所述层布置包含至少一个表面层系(P’’’)，其由单独层的至少两个周期(P3)的周期序列构成，其中所述周期(P3)包含由不同材料构成的两个单独层，该不同材料用于高折射率层(H’’’)和低折射率层(L’’’)，其中所述层布置包含至少一个由石墨烯构成的层(G、SPL、B)。此外，本发明涉及在光学元件上使用石墨烯(G、SPL、B)，用于将表面粗糙度降低至少于0.1nm rms HSFR，和/或用于保护EUV波长范围内的光学元件不遭受辐射导致的不可逆的体积变化大于1%，及/或作为阻挡层，用于在EUV波长范围中防止所谓的多层反射镜的层之间的相互扩散。
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公开(公告)号：CN103109326A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180044926.5
申请日：2011-09-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G21K1/06
CPC classification number: G21K1/062 , G21K1/067 , G21K2201/061
Abstract: 一种X射线波导，包括：引导材料的折射率实部为1或更小的波长带中的X射线的芯部(101)；和将X射线限制于芯部的包覆层(102)，其中，芯部包含具有包含具有不同的折射率实部的材料的基本结构的周期性结构，基本结构被周期性地布置，低电子密度层(103)被布置于芯部与包覆层之间并具有比构成芯部的所有材料中的具有最高电子密度的材料的电子密度低的电子密度，并且，包覆层与低电子密度层之间的边界处的X射线的全反射的临界角比归因于芯部的周期性结构中的基本结构的周期性的布拉格角大。
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公开(公告)号：CN103038708A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037433.9
申请日：2011-07-28
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , ASML荷兰有限公司
Inventor： N·贝尔 , U·勒尔林 , O·纳特 , G·维蒂希 , T·劳弗尔 , P·屈尔兹 , G·林巴赫 , S·亨巴赫尔 , H·沃尔特 , Y-B-P·关 , M·豪夫 , F-J·施蒂克尔 , J·凡舒特
CPC classification number: G03F7/7015 , B82Y10/00 , G02B3/00 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B7/1815 , G02B17/0647 , G02B27/0043 , G03B27/542 , G03F7/702 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G03F7/70825 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/061 , G21K2201/064
Abstract: 一种EUV光刻投影曝光系统的投影透镜，具有至少两个反射光学元件，每个反射光学元件包括主体和反射表面，用于在以EUV光的曝光功率对投影透镜曝光时，将分划板上的物场投影到衬底上的像场上，其中至少两个反射光学元件的主体包括具有与温度相关的热膨胀系数的材料，热膨胀系数在相应的零交叉温度处为零，并且其中零交叉温度之间的差异的绝对值大于6K。
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公开(公告)号：CN102981201A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210518419.7
申请日：2009-02-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·A·索尔 , V·Y·班尼恩 , J·H·J·莫尔斯 , M·M·J·W·范赫彭 , A·M·亚库林
CPC classification number: G02B5/208 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/22 , G02B5/26 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/067 , G21K2201/061 , G21K2201/064 , G21K2201/065 , G21K2201/067
Abstract: 本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。
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公开(公告)号：CN102576196A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080043761.5
申请日：2010-09-17
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/70958 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0825 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70941 , G03F7/70983 , G21K1/062 , G21K2201/061 , G21K2201/067
Abstract: 为了减小由EUV光刻设备中的二氧化硅、碳氢化合物和/金属构成的污染物对反射率的不利影响，提出一种用于极紫外波长范围的具有反射表面(59)的反射光学元件(50)，其中该反射表面(59)的多层镀膜具有由氟化物构成的顶端层(56)。在EUV光刻设备的操作期间沉积在反射光学元件(50)上的所提及的污染物通过添加以下所提及的至少一种物质而被转化为挥发性化合物：原子氢、分子氢、全氟化烷烃(例如四氟化甲烷)、氧、氮和/或氦。
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