公开(公告)号：KR1020090119778A

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：KR1020097020219

申请日：2008-04-23

Applicant: 크레스텍 코포레이션

Inventor： 코지마,아키라 ,  오이,히데유키

IPC: H01J1/30 ,  H01J37/073

CPC classification number: H01J37/073 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/312 ,  H01J37/06 ,  H01J37/3174 ,  H01J2201/312 ,  H01J2237/0635

Abstract: A surface emission type electron source comprises a planar first electrode, a planar second electrode provided in opposition to the first electrode, an electron passage layer provided between the first electrode and the second electrode, and a power section for applying voltage to the second electrode and the first electrode. In the electron passage layer, a plurality of quantum wires extending in a first direction heading for the second electrode from the first electrode are provided with a predetermined gap therebetween. Electrons are emitted from the surface of the second electrode. The quantum wire is composed of silicon. In the quantum wire, a plurality of portions whose thickness is thin are formed with a predetermined gap therebetween in the first direction.

Abstract translation: 表面发射型电子源包括平面第一电极，与第一电极相对设置的平面第二电极，设置在第一电极和第二电极之间的电子通过层，以及用于向第二电极施加电压的功率部分， 第一个电极。 在电子通过层中，从第一电极朝第二电极的第一方向延伸的多个量子线在它们之间设置有预定的间隙。 电子从第二电极的表面发射。 量子线由硅组成。 在量子线中，厚度薄的多个部分在第一方向上以规定的间隔形成。

公开(公告)号：JP2011216354A

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：JP2010083862

申请日：2010-03-31

Applicant: Panasonic Electric Works Co Ltd ,  パナソニック電工株式会社

Inventor： ICHIHARA TSUTOMU ,  TSUBAKI KENJI ,  KUBO MASAO ,  KOSHIDA NOBUYOSHI

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/312

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device, improved in device characteristics in comparison with those of conventional types, and to provide a method of manufacturing the device.SOLUTION: An electron source 10 as an electronic device includes a substrate 11; a lower electrode 2 as a first electrode formed on a surface side of the substrate 11; a surface electrode 7 as a second electrode which is located on the opposite side of the substrate 11 side of the lower electrode 2 and which faces the lower electrode 2; and a function layer 5a, provided between the lower electrode 2 and the surface electrode 7 and including a plurality of pieces of fine crystalline semiconductor 33, formed by anodizing a first polycrystalline semiconductor layer by using an electrolytic solution. Between the lower electrode 2 and the function layer 5a, a second polycrystalline semiconductor layer 3b, which has a lower speed of anodization with the electrolytic solution as compared with the first polycrystalline semiconductor layer and which is to serve as a stop layer that selectively anodizes the first polycrystalline semiconductor layer, is provided directly under the function layer 5a.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种电子装置，与常规类型相比具有改进的器件特性，并提供一种制造器件的方法。解决方案：作为电子器件的电子源10包括衬底11; 作为形成在基板11的表面侧的第一电极的下部电极2; 作为第二电极的表面电极7位于下电极2的基板11侧的相对侧并面向下电极2; 以及功能层5a，其设置在下电极2和表面电极7之间，并且包括通过使用电解液阳极氧化第一多晶半导体层而形成的多个微晶半导体33。 在下部电极2和功能层5a之间，第二多晶半导体层3b与第一多晶半导体层相比具有比电解液更低的阳极氧化速度，并且作为停止层，其选择性地阳极氧化 第一多晶半导体层，直接设置在功能层5a的下方。

公开(公告)号：JP2011151044A

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：JP2011106086

申请日：2011-05-11

Applicant: Pioneer Electronic Corp ,  パイオニア株式会社

Inventor： TANAKA RYOTA ,  NEGISHI NOBUYASU ,  SAKAMURA KAZUYUKI ,  OKUDA YOSHIYUKI ,  NAKATA TOMONARI ,  WATANABE ATSUSHI ,  YOSHIKAWA TAKAMASA ,  OGASAWARA KIYOHIDE

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J9/022 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/312 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0481 ,  H01J2329/0484

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance electron emission efficiency of an electron emission element and prevent the element from damage. SOLUTION: The electron emission element has an amorphous electron supply layer (4), an insulator layer (5) formed on the electron supply layer (4), and an upper electrode (6) formed on the insulator layer (5), and emits electrons when an electric field is applied between the electron supply layer (4) and the upper electrode (6). Moreover, the electron emission element has a recess (7), which is formed by cutting the upper electrode (6) and the insulator layer (5) to expose the electron supply layer (4), and a carbon layer (8) with a dome-shaped part (8a), covering the upper electrode (6) and the recess (7) to be in contact with an edge part (4c) of the exposed surface (4a) of the electron supply layer (4), rising at an inside part (4b) of the exposed surface (4a) of the electron supply layer (4), and having a cavity (8b) in a space with the electron supply layer (4). COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提高电子发射元件的电子发射效率并防止元件损坏。 解决方案：电子发射元件具有非晶电子供给层（4），形成在电子供给层（4）上的绝缘体层（5）和形成在绝缘体层（5）上的上电极（6） 并且当在电子供应层（4）和上电极（6）之间施加电场时发射电子。 此外，电子发射元件具有通过切割上电极（6）和绝缘体层（5）以暴露电子供给层（4）形成的凹部（7）和具有 覆盖上电极（6）和凹部（7）的与电子供给层（4）的暴露表面（4a）的边缘部分（4c）接触的圆顶形部分（8a），上升到 电子供应层（4）的暴露表面（4a）的内部部分（4b），并且在电子供应层（4）的空间中具有空腔（8b）。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：KR1020120118053A

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：KR1020127022467

申请日：2011-03-31

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 이치하라쓰토무 ,  쓰바키겐지 ,  구보마사오 ,  고시다노부요시

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/312

Abstract: 전자 디바이스는 기판, 기판의 하나의 표면 측에 형성된 제1 전극, 제1 전극의 기판 측의 반대쪽에서 제1 전극에 대향하는 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 설치되고 제1 다결정 반도체 층을 전해액에 의해 양극 산화 처리함으로써 형성된 다수의 미결정 반도체를 구비한 기능 층을 포함하고, 제1 전극과 기능 층 사이에서 기능 층의 바로 아래에, 제1 다결정 반도체 층보다 전해액에 의한 양극 산화 속도가 느리게 제1 다결정 반도체 층을 선택적으로 양극 산화 처리하는 스톱 층이 되는 제2 다결정 반도체 층이 설치된다.

公开(公告)号：KR101086901B1

公开(公告)日：2011-11-25

申请号：KR1020097020219

申请日：2008-04-23

Applicant: 크레스텍 코포레이션

Inventor： 코지마,아키라 ,  오이,히데유키

IPC: H01J1/30 ,  H01J37/073

CPC classification number: H01J37/073 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/312 ,  H01J37/06 ,  H01J37/3174 ,  H01J2201/312 ,  H01J2237/0635

Abstract: 본 발명의 면 방출형 전자원은, 평면 형상의 제1 전극과, 제1 전극에 대향하여 마련된 평면 형상의 제2 전극과, 제1 전극과 제2 전극 사이에 마련된 전자 통과층과, 제2 전극 및 제1 전극에 전압을 인가하는 전원부를 갖는다. 전자 통과층은, 제1 전극으로부터 제2 전극을 향하는 제1 방향으로 연장되는 양자 세선이 소정의 간격을 두고 복수로 마련되어 있으며, 제2 전극의 표면에서 전자가 방출된다. 양자 세선은 실리콘으로 구성되어 있다.

公开(公告)号：TW201201402A

公开(公告)日：2012-01-01

申请号：TW100111174

申请日：2011-03-31

Applicant: 松下電工股份有限公司

Inventor： 櫟原勉 ,  椿健治 ,  久保雅男 ,  越田信義

IPC: H01L

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/312

Abstract: 本發明之電子裝置具備:基板;第1電極,其係形成在前述基板的一表面側;第2電極,其係在與前述第1電極的前述基板側為相反側且與前述第1電極相對向;以及功能層,其係設置在第1電極和第2電極之間,且具備藉由利用電解液將第1多結晶半導體層進行陽極氧化處理而形成的多數微結晶半導體;在前述第1電極和前述功能層之間且前述功能層的正下方,設置有做為選擇性地對前述第1多結晶半導體層進行陽極氧化處理之阻擋層的第2多結晶半導體層,該第2多結晶半導體層之因前述電解液所致之陽極氧化速度係比前述第1多結晶半導體層慢。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之电子设备具备:基板;第1电极,其系形成在前述基板的一表面侧;第2电极,其系在与前述第1电极的前述基板侧为相反侧且与前述第1电极相对向;以及功能层,其系设置在第1电极和第2电极之间,且具备借由利用电解液将第1多结晶半导体层进行阳极氧化处理而形成的多数微结晶半导体;在前述第1电极和前述功能层之间且前述功能层的正下方,设置有做为选择性地对前述第1多结晶半导体层进行阳极氧化处理之阻挡层的第2多结晶半导体层,该第2多结晶半导体层之因前述电解液所致之阳极氧化速度系比前述第1多结晶半导体层慢。