Mikro-Sekundärelektronenvervielfacher und Verfahren zu seiner Herstellung
    46.
    发明公开
    Mikro-Sekundärelektronenvervielfacher und Verfahren zu seiner Herstellung 失效
    Mikro-Sekundärelektronenvervielfacherund Verfahren zu seiner Herstellung。

    公开(公告)号:EP0283773A2

    公开(公告)日:1988-09-28

    申请号:EP88103116.5

    申请日:1988-03-02

    CPC classification number: H01J43/06 H01J9/12 H01J2201/32 H01J2201/3425

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Sekundärelektronenvervielfacher mit diskreten Dynoden. Der Erfindung liegt die Aufgabe zu­grunde, gegenüber dem aufgezeigten Stand der Technik einen Mikro-Sekundärelektronenvervielfacher und Arrays davon zu schaffen die einen äußerst geringen Platzbedarf, eine hohe Zeitauflösung, eine große Empfindlichkeit und eine hohe Flexibilität bei der Formgebung aufweisen. Die Aufgabe wir dadurch gelöst, daß die Dynoden mikrostrukturiert und auf einer isolierenden Substratplatte, die mit elektrischen Leiterbahnen zum Anschluß der Dynoden versehen ist, angebracht ist.

    Abstract translation: 本发明涉及具有分立倍增电极的二次电子倍增器。 本发明基于与所指示的现有技术相比,本发明的目的是制造需要非常小的空间的小型二次电子倍增器及其阵列,具有良好的时间分辨率,良好的灵敏度和良好的模塑柔性。 实现目的在于,倍增电极是微结构的并且被安装在绝缘基板上,绝缘基板上设置有用于连接倍增电极的电导体轨道。

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