公开(公告)号：CN102017077A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115817.0

申请日：2009-04-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 东尼·杨 ,  劳拉·郝勒查克

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01J37/32651 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3441

Abstract: 本发明的实施例大体上涉及半导体处理室的处理套组，以及具有套组的半导体处理室。更具体地，本发明的实施例涉及到处理套组，其包括用于物理沉积室的盖环、屏蔽、隔离器。该处理套组的组件可独立地及结合地运作，以大幅减少粒子的产生和杂散等离子体。现有的多部分屏蔽提供延伸的射频返回路径，其造成引起处理腔外杂散等离子体的射频谐波。相较之下，本发明的处理套组的组件减少射频返回路径，因此在内部处理区域提供改进的等离子体包容。

公开(公告)号：CN1301880A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：CN00135989.4

申请日：2000-10-08

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： 托尼·P·常 ,  余·D·丛 ,  丁佩军(音译) ,  付建明(音译) ,  霍华德·H·唐 ,  安尼史·托利亚

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3457 ,  C23C14/35 ,  C23C14/358 ,  C23C14/564 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

Abstract: 溅射铜的DC磁控管溅射反应器,优选压力低于5毫乇,使用SIP作第一铜层将铜涂覆进入窄而深的通道或沟槽的方法。使用有磁强度不相等磁极的小磁控管促进SIP并且在溅射期间向靶施加高功率。通过长投射溅射促进洞孔填充,靶－基体间隔是基体直径的至少50%,SIP铜层起籽晶和成核层作用。可联合SIP和高密度等离子体溅射来沉积铜籽晶层。优选以冷激发工序来激发等离子体,在存在较高压的氩气工作气体下向靶施加较低功率。激发后,降低压力,将靶功率提升到较高的作业量级,以便溅射沉积薄膜。

公开(公告)号：CN1134469A

公开(公告)日：1996-10-30

申请号：CN96101901.8

申请日：1996-01-23

Applicant: 美国BOC氧气集团有限公司

Inventor： P·A·西克 ,  J·G·里策尔 ,  N·E·艾伦

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3441 ,  H01J37/3405 ,  H01J2237/0206

Abstract: 本发明提供了圆柱形磁控管屏蔽结构，该结构具有围着其外表面延伸的环形结构，确定环形结构的尺寸，以便中断可能另外穿过其外表面的任何电弧的运动。在一个最佳形式中，屏蔽结构与地电位、真空腔电位或另外的阳极电位电隔离。最好环形结构的宽度大于电弧的宽度。另外，环形结构的宽度最好小于真空腔中气体的平均自由路径的一半，环形结构还相对于外表面径向延伸，其径向延伸大于环形结构的宽度。

公开(公告)号：CN1094759A

公开(公告)日：1994-11-09

申请号：CN94100501.1

申请日：1994-01-15

Applicant: 美国BOC氧气集团有限公司

Inventor： P·A·西克 ,  J·R·波特

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3441 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426

Abstract: 作为磁控管一部分的旋转的圆筒形溅射靶表面在靠近靶的每一端都有圆筒形屏蔽，屏蔽的内部边缘形状使腐蚀变得最大并且能在溅射某种材料(尤其是电介质)时防止不期望发生的凝聚和随后的电弧放电。另一种替换形式，给靶提供一个圆筒形屏蔽，将该屏蔽的圆筒体切开一个相当大的距离以提供一个开口，通过开口可看到靶的溅射区，还能保持靶端区的屏蔽作用。此单个屏蔽在靠近开口的内部边缘进行类似的成型。优选的屏蔽结构是可旋转的。

公开(公告)号：CN108884559A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680073063.7

申请日：2016-11-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘振东 ,  侯文婷 ,  雷建新 ,  翁建业 ,  吕明谕

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50

CPC classification number: C23C4/134 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  C23C18/1646 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/31 ,  C23C18/48 ,  C25D3/02 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00 ,  C25D17/00 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3476

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于在处理腔室中使用的改良的屏蔽物。在一个实施方式中，所述屏蔽物包括具有圆柱形状的中空主体和形成在主体的内表面上的涂覆层，所述圆柱形状大致上关于所述主体的中心轴对称。涂覆层由与在所述处理腔室中使用的溅射靶相同的材料形成。屏蔽物通过减少屏蔽物与溅射靶之间的发弧而有利地减少使用RF‑PVD沉积的膜中的颗粒污染物。发弧因屏蔽物的内表面上存在涂覆层而减少。

公开(公告)号：CN108231526A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201611153582.2

申请日：2016-12-14

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 张超 ,  耿波 ,  邱国庆 ,  彭文芳 ,  邓玉春

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/34 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/3411 ,  C23C14/34 ,  H01J37/3441 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明公开了一种腔室及半导体设备。该腔室包括腔体、设置在腔体底部的基座、套置在腔体内壁的屏蔽环、叠置在屏蔽环下表面边缘区域的遮蔽环，且遮蔽环位于基座边缘区域上方，该腔室还包括环绕基座外周壁设置的导通装置，并且基座外周壁接地。在工艺时，基座带动导通装置上升，当基座顶起遮蔽环时，遮蔽环与屏蔽环之间形成间隙，导通装置将屏蔽环与基座外周壁进行电连接导通。本发明的半导体设备包含本发明的腔室。本发明的腔室和半导体设备通过导通装置使得工艺时产生等离子的区域和基座下方腔室被接地回路完全阻隔，阻止了甚高频从屏蔽环与遮蔽环之间的间隙泄露至基座下方，防止了基座下方启辉。

公开(公告)号：CN108028184A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052197.0

申请日：2016-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 威廉·约翰森 ,  希兰库玛·萨万戴亚

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01J37/3441 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/3405

Abstract: 本发明提供处理配件屏蔽件和包含所述处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，经配置于处理腔室中使用的单件式处理配件屏蔽件用于处理具有给定直径的基板，所述单件式处理配件屏蔽件包括：具有上部和下部的圆柱体；设置在所述上部内的环形传热沟道；和盖环部，所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部，其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。

公开(公告)号：CN105097401B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410202122.9

申请日：2014-05-13

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 张彦召 ,  佘清 ,  陈鹏

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3441 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/3405 ,  H01L21/00 ,  H01L21/2855

Abstract: 本发明提供反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括采用不导磁的材料制成的法拉第屏蔽环和采用绝缘材料制成的绝缘环，在法拉第屏蔽环上设置有开缝，法拉第屏蔽环和绝缘环均套置在反应腔室的侧壁内侧，且法拉第屏蔽环叠置在绝缘环上，在绝缘环的内周壁内侧设置遮蔽环，遮蔽环与法拉第屏蔽环下表面的边缘区域连接，遮蔽环上设置有开缝，且遮蔽环采用不导磁的材料制成，并且，遮蔽环的外周壁与绝缘环的内周壁在水平方向上存在水平间距。该反应腔室，不仅可以避免降低打火风险，而且可以降低金属粒子剥落对反应腔室造成的污染；另外，可以增大反应腔室的内径和可利用控制。

公开(公告)号：CN104205295B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201380017145.6

申请日：2013-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿希什·戈埃尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/4585 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735

Abstract: 披露了在单一腔室中用于基板的材料处理和热处理的设备和方法。在一个实施方式中，设置有边缘环。边缘环包括环形主体，环形主体具有内周边边缘、第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一凸起构件，第一凸起构件从第二表面实质上正交地延伸出；第二凸起构件，第二凸起构件从邻近于第一凸起构件的第二表面延伸出，并通过第一凹陷与第一凸起构件分离；和第三凸起构件，第三凸起构件从邻近于第二凸起构件的第二表面延伸出，并通过第二凹陷分离，第二凹陷包括倾斜表面，倾斜表面具有与第一表面的反射率值不同的反射率值。

公开(公告)号：CN104884667B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201380068235.8

申请日：2013-11-28

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 岛根由光 ,  内野聪 ,  秋山进 ,  松尾和昭 ,  山口述夫

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3441 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/347

Abstract: 基板处理设备具有处理腔、用以在处理腔内保持基板的基板保持器、设置在基板保持器的外周部处的第一屏蔽件以及设置在处理腔的内侧的第二屏蔽件。处理腔的内部空间至少由第一屏蔽件、第二屏蔽件以及基板保持器划分为外部空间和用以对基板进行处理的处理空间。基板保持器能够沿着与保持基板的基板保持面相垂直的驱动方向被驱动。在由第一屏蔽件和第二屏蔽件所形成的间隙中，在与驱动方向相垂直的方向上尺寸为最小的最小间隙部分的在与驱动方向相平行的方向上的长度就算是基板保持器沿驱动方向被驱动也不会改变。