公开(公告)号：CN102356178A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201080012706.X

申请日：2010-01-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·科雷姆佩尔-赫斯 ,  J·格里尔梅耶 ,  U·赫曼斯

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/347

Abstract: 提供一种带电粒子束PVD装置，所述装置包含：在壳体(261)内部的涂布材料靶(262)，设置在该壳体中的气孔(263)，以及与该气孔相邻设置的遮蔽装置(266，268；2680)，该遮蔽装置处于浮动电位。

公开(公告)号：CN102220561A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110096949.2

申请日：2011-04-18

Applicant: JDS尤尼弗思公司

Inventor： 乔治·J·欧肯法斯

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  C23C14/505 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/347 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明涉及包括大环状阴极的磁控溅射装置，该环状阴极具有限定的内径。环状阴极的位置相对于行星驱动系统的中心点偏移。阳极或反应气体源可位于环状阴极的内径内。通过在阴极处的抑制电弧形成的较低的功率密度来获得较低的缺陷率，同时通过阴极将流失量最小化到行星几何结构而不使用掩模。

公开(公告)号：CN102216489A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980138984.7

申请日：2009-10-13

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 芝本雅弘

IPC: C23C14/34 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/851 ,  C23C14/3464 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/347

Abstract: 提供一种溅射设备和一种使用该溅射设备的多层膜形成方法，所述溅射设备通过有效地使用靶以高生产率和较少的螺旋形状形成多层膜。多层膜溅射设备的实施方式包括：能转动的阴极单元(30)，所述阴极单元(30)具有相对于转动中心被配置于同一圆周上的阴极(7a和7b)并且具有用于向各阴极供给电力的电力供给机构；传感器(14)，其用于检测阴极的位置；以及转动机构，其用于使阴极单元(30)转动。

公开(公告)号：CN102121095A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201010260204.0

申请日：2010-08-20

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 崔丞镐 ,  郑石源 ,  崔永默 ,  宋贤根

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/345 ,  H01J37/347

Abstract: 公开了一种溅射系统，其包括第一和第二溅射单元、第一和第二气体供应管、第一和第二基底支撑单元。第一溅射单元包括：彼此面对的第一和第二沉积材料板；磁场产生器，位于第一和第二沉积材料板的后面。第二溅射单元包括：第三沉积材料板，靠近第一沉积材料板；第四沉积材料板，靠近第二沉积材料板，面对第三沉积材料板；磁场产生器，位于第三和第四沉积材料板的后面。第一气体供应管位于第一和第三沉积材料板之间，将气体排放到第二和第四沉积材料板。第二气体供应管位于第二和第四沉积材料板之间，将气体排放到第一和第三沉积材料板。第一基底支撑单元朝向第一和第二沉积材料板的外边缘。第二基底支撑单元朝向第三和第四沉积材料板的外边缘。

公开(公告)号：CN101180417B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680018096.8

申请日：2006-10-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高泽悟 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/086 ,  C23C14/568 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/347

Abstract: 本发明提供一种靶的使用效率高的溅射装置。本发明的溅射装置(1)具有移动部件(28a、28b)，移动部件(28a、28b)可使第一、第二磁铁部件(23a、23b)在与第一、第二靶(21a、21b)的表面平行的面内移动。如果第一、第二磁铁部件(23a、23b)移动，则磁力线也移动，第一、第二靶(21a、21b)表面的高侵蚀区域也移动，因此第一、第二靶(21a、21b)表面的广泛区域可被溅射。

公开(公告)号：CN1714422B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200380101355.X

申请日：2003-10-15

Applicant: 奥尔利康贸易股份公司(特吕巴赫)

Inventor： O·齐格尔

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

CPC classification number: H01J37/347 ,  C23C14/04 ,  C23C14/35 ,  C23C14/542 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: 为了在磁控管溅射涂层时使沉积到基底上的材料量分布最佳化，在磁控管溅射涂层时，一个磁控管磁场图样(9)沿着溅射面(7)循环地运动(My)，并且一个基底(11)在溅射面(7)旁边运动，为了锁相地随着循环的磁场图样(9)的运动(My)，借助于一个调整系统(3)调整溅射率。

公开(公告)号：CN101815806A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880110410.4

申请日：2008-09-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 今北健一 ,  森田正 ,  山本弘辉 ,  森本直树 ,  锅谷章生 ,  中村真也

IPC: C23C14/34 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/352 ,  H01J37/34 ,  H01J37/347 ,  H01L43/12

Abstract: 一种改善膜厚均匀性的成膜装置和成膜方法。旋转机构(24，26，27，29，31，MT)将带溅射面的靶(32)保持在与基板(S)表面倾斜的状态。所述旋转机构可绕轴线旋转地支撑靶(32)，该轴线沿溅射面法线延伸。对由旋转机构支撑的所述靶(32)溅射以在基板(S)表面形成薄膜。在成膜时，旋转机构保持靶(32)的旋转角度。

公开(公告)号：CN1072734C

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN95109206.5

申请日：1995-07-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西齐 ,  青仓勇 ,  横山政秀 ,  滝泽贵博

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/347 ,  H01J37/3405

Abstract: 本发明揭示一种采用矩形靶进行溅射，在基板上形成薄膜的溅射装置，其特征在于：沿靶的两侧缘，在各侧缘配置多个磁铁，这些磁铁的极性确定为相邻的磁铁为相反关系，同时，隔靶相对的磁铁间的极性确定为相反关系；配置至少两个以上的靶使其靶面与所述基板面形成30°以上、60°以下的角度。该装置用具有多个矩形靶的溅射电极，提高形成于大型基板上的薄膜的膜厚及膜质的均匀性，进而具有高的靶利用效率。

公开(公告)号：CN105026609B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201480011904.2

申请日：2014-02-25

Applicant: 零件喷涂公司

Inventor： D.T.克劳利 ,  P.L.摩斯 ,  J.R.杰曼

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3455 ,  H01J37/345 ,  H01J37/347 ,  H01J37/3476 ,  H01J37/3479

Abstract: 一种用于旋转靶材阴极的磁控管组件包括刚性支撑结构；磁棒结构，所述磁棒结构可移动地附接到所述刚性支撑结构；和至少一个致动机构，所述至少一个致动机构耦接到所述刚性支撑结构并被配置以改变所述磁棒结构与可旋转靶筒的表面的距离。所述磁控管组件也包括位置指示机构，所述位置指示机构可操作以测量所述磁棒结构相对于所述可旋转靶筒的所述表面的位置。通信设备被配置以从所述磁控管组件的外部接收命令信号并将信息信号传输到所述磁控管组件的外部。

公开(公告)号：CN108728809A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810230437.2

申请日：2018-03-20

Applicant: SPTS科技有限公司

Inventor： 安东尼·威尔比 ,  史蒂夫·伯吉斯 ,  I·蒙克里夫 ,  克莱夫·韦迪克斯 ,  斯科特·海莫尔 ,  R·辛德曼

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C23C14/345 ,  C23C14/351 ,  C23C14/50 ,  C23C14/505 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/347 ,  H01J37/3485 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明公开了一种控制脉冲直流物理气相沉积(PVD)形成的材料层中应力变化的方法及设备。该方法包以下步骤：设置一腔室，其包括形成材料层的靶和在其上能够形成材料层的衬底；以及向腔室内引入气体。该方法还包括在腔室内生成等离子体并且将第一磁场施加到靶附近以将所述等离子体基本上定位成邻近该靶。RF偏压被施加到衬底上以将来自等离子体的气体离子吸引到衬底上，并且第二磁场被施加在衬底附近以将来自等离子体的气体离子引导到形成在衬底上的材料层上的选择性区域。