公开(公告)号：CN1922710B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200580005168.0

申请日：2005-02-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 久嵨浩之 ,  下井英树 ,  影山明广 ,  井上圭祐 ,  伊藤益保

IPC: H01J43/24

CPC classification number: H01J43/08 ,  H01J9/26 ,  H01J43/04 ,  H01J43/24

Abstract: 本发明涉及一种实现高倍增效率的微细结构的光电子倍增器。该光电子倍增器包括内部维持真空的外围器，在该外围器内，配置有放射对应入射光的光电子的光电面，级联倍增从该光电面射出的光电子的电子倍增部，用于取出由该电子倍增部生成的二次电子的阳极。特别是，在电子倍增部，形成有用于级联倍增来自光电面的光电子的槽部，规定该槽部的一对壁部(311)的各表面上，设有在表面上形成有二次电子射出面的1个或1个以上的凸部(311a)。

公开(公告)号：CN101116168A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004406.0

申请日：2006-02-02

Applicant: 福通尼斯公司

Inventor： 菲利普·巴斯科莱

IPC: H01J43/04 ,  H01J43/18 ,  H01J43/28

CPC classification number: H01J43/04 ,  H01J43/18 ,  H01J43/28

Abstract: 本发明涉及一种单通道光电倍增管(1)，包括：密封壳(4)，其一个壁(5)包括内表面(7)，所述内表面(7)为朝向管内部的、具有中心轴(AA′)的凹面，具有对称面并且包含光电阴极(2)；入射光学器件(9)，包含电极；电子倍增器(11)，包含多个倍增电极(30－39)；阳极(16)；连接装置(12)，用于以各自的操作电压连接倍增电极(30－39)、光电阴极(2)、光学器件(9)的电极(13、15)和阳极(16)，其特征在于，该电子倍增器由物理上彼此分离的部件(24、26)构成，并且在它们之间具有相对于凹面的中心轴的旋转对称性。

公开(公告)号：CN1922710A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200580005168.0

申请日：2005-02-16

Applicant: 滨松光子学株式会社

Inventor： 久嵨浩之 ,  下井英树 ,  影山明广 ,  井上圭祐 ,  伊藤益保

IPC: H01J43/24

CPC classification number: H01J43/08 ,  H01J9/26 ,  H01J43/04 ,  H01J43/24

Abstract: 本发明涉及一种实现高倍增效率的微细结构的光电子倍增器。该光电子倍增器包括内部维持真空的外围器，在该外围器内，配置有放射对应入射光的光电子的光电面，级联倍增从该光电面射出的光电子的电子倍增部，用于取出由该电子倍增部生成的二次电子的阳极。特别是，在电子倍增部，形成有用于级联倍增来自光电面的光电子的槽部，规定该槽部的一对壁部(311)的各表面上，设有在表面上形成有二次电子射出面的1个或1个以上的凸部(311a)。

公开(公告)号：CN1227711C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN99806917.5

申请日：1999-06-01

Applicant: 滨松光子学株式会社

Inventor： 久浩之 ,  渥美明 ,  下井英树 ,  冈田知幸 ,  伊藤益保

IPC: H01J43/28

CPC classification number: G01N23/046 ,  G01N23/06 ,  G01N2223/419 ,  H01J43/04 ,  H01J43/28

Abstract: 为了实现光电倍增管的小型化，在使金属制侧管(2)的外壁面(2b)与杆板(4A)的边缘面(4b)成为同一平面的状态下，熔接固定金属制侧管(2)与杆板(4A)，在光电倍增管(1)的下端没有凸缘那样的突出。从而，虽然难以进行电阻熔接，然而能够缩小光电倍增管(1)的外形尺寸，在并排利用光电倍增管的情况下，能够使金属制侧管(2)之间密切相邻。由此，能够实现通过激光熔接组装了金属制的杆板(4A)与金属制侧管(2)的光电倍增管(1)的高密度排列。

公开(公告)号：CN1489704A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN02804285.9

申请日：2002-01-30

Applicant: 滨松光子学株式会社

Inventor： 近藤稔 ,  永井俊光 ,  木船淳

IPC: G01T1/20 ,  H01J37/244 ,  H01J49/02 ,  H01J43/24

CPC classification number: H01J49/025 ,  H01J29/385 ,  H01J37/244 ,  H01J43/04 ,  H01J2237/28

Abstract: 在电子束检测器中，通过光波导将化合物半导体基片的荧光出射表面与光检测器的光入射面光学耦合，并将化合物半导体基片与光检测器物理连接，从而将化合物半导体基片与光检测器连为一体。将入射到化合物半导体基片的电子变换为荧光时，光波导将该荧光导向光检测器，通过光检测器检测荧光来检测入射的电子束。

公开(公告)号：KR1020050095223A

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：KR1020040020468

申请日：2004-03-25

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 이규상 ,  양덕진 ,  안동기

IPC: H05K3/00

CPC classification number: G01N21/8851 ,  G01N21/6452 ,  G01N2021/1742 ,  H01J43/04 ,  H05K13/08

Abstract: 본 발명은 광학적 방식을 이용하여 인쇄회로기판의 비아홀에 잔존하는 절연수지 잔사를 검출함으로써, 인쇄회로기판의 불량여부를 정밀하게 판단할 수 있는 인쇄회로기판의 비아홀 검사 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 인쇄회로기판의 비아홀 검사 장치는 인쇄회로기판의 비아홀의 좌표에 대한 데이터에 따라 상기 비아홀 상에 광선을 조사하는 발광 수단; 상기 비아홀에서 방출되는 광선을 검출하여 절연수지의 잔존유무를 판단하는 검출 수단; 및 상기 인쇄회로기판의 비아홀의 좌표에 대한 데이터를 상기 발광 수단으로 전송하고, 상기 검출 수단에서 전송되는 상기 절연수지의 잔존유무에 대한 데이터에 따라 상기 비아홀의 불량여부를 판단하는 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 인쇄회로기판의 비아홀 검사 방법은 (A) 인쇄회로기판의 위치를 정렬하고, 상기 인쇄회로기판의 비아홀 상에 광선을 조사하는 단계; (B) 상기 비아홀에서 방출되는 광선을 검출하여 절연수지 잔존유무를 판단하는 단계; 및 (C) 상기 절연수지 잔존유무에 따라, 상기 인쇄회로기판의 불량여부를 판단하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020080065147A

公开(公告)日：2008-07-11

申请号：KR1020070002168

申请日：2007-01-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백찬욱 ,  진용완 ,  김선일 ,  배민종

IPC: H01J43/06 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J43/04 ,  H01J1/30 ,  C01B32/05 ,  H01J43/06

Abstract: An electron multiplier electrode and a terahertz oscillator using the same are provided to generate an electron beam having high current density by discharging secondary electrons without loss. An emitter(33) is arranged on a cathode electrode(31). The emitter discharges an electron beam. A gate electrode(32) is arranged on the cathode electrode to enclose the emitter. The gate electrode switches the electron beam. Discharge electrodes(34a,34b) are arranged on the gate electrode. The discharge electrodes have secondary electron discharge layers(35a,35b) from which secondary electrons are discharged by a collision with the electron beam. Plural secondary electron discharge electrodes having the same structure are successively arranged in a movement direction of the electron beam. Holes are formed on central parts of the gate electrode and the secondary electron discharge electrode. The secondary electron discharge layer is applied on the whole surface of the secondary electron discharge electrode.

Abstract translation: 提供电子倍增器电极和使用该电子倍增器电极的太赫兹振荡器，以通过不损失地放电二次电子来产生具有高电流密度的电子束。 发射极（33）布置在阴极电极（31）上。 发射极放电电子束。 在阴极电极上配置栅电极（32）以包围发射极。 栅电极切换电子束。 放电电极（34a，34b）布置在栅电极上。 放电电极具有二次电子通过与电子束的碰撞而被排出的二次电子放电层（35a，35b）。 具有相同结构的多个二次电子放电电极依次排列在电子束的移动方向上。 在栅电极和二次电子放电电极的中心部分上形成孔。 在二次电子放电电极的整个表面上施加二次电子放电层。

公开(公告)号：JP5000137B2

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：JP2005518022

申请日：2005-02-16

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社

Inventor： 英樹 下井 ,  浩之 久嶋 ,  圭祐 井上 ,  益保 伊藤 ,  明広 影山

IPC: H01J43/26 ,  H01J40/06 ,  H01J43/12 ,  H01J43/24 ,  H01J43/28

CPC classification number: H01J43/08 ,  H01J9/26 ,  H01J43/04 ,  H01J43/24

公开(公告)号：JP4608572B2

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：JP2008283431

申请日：2008-11-04

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社

Inventor： 淳 木舩 ,  俊光 永井 ,  稔 近藤

IPC: G01T1/20 ,  C09K11/56 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88 ,  G01T1/202 ,  H01J1/63 ,  H01J29/38 ,  H01J37/244 ,  H01J40/16 ,  H01J43/04 ,  H01J43/22 ,  H01J49/00 ,  H01J49/06

CPC classification number: H01J49/025 ,  H01J29/385 ,  H01J37/244 ,  H01J43/04 ,  H01J2237/28

公开(公告)号：JPWO2002061458A1

公开(公告)日：2004-06-03

申请号：JP2002561972

申请日：2002-01-30

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社

Inventor： 近藤　稔 ,  稔 近藤 ,  俊光 永井 ,  俊光 永井 ,  淳 木舩 ,  淳 木舩

IPC: G01T1/20 ,  G01N27/62 ,  G01N27/64 ,  G01T1/202 ,  H01J29/38 ,  H01J37/244 ,  H01J43/04 ,  H01J43/28 ,  H01J49/00 ,  H01J49/06

CPC classification number: H01J49/025 ,  H01J29/385 ,  H01J37/244 ,  H01J43/04 ,  H01J2237/28

Abstract: 電子線検出器では、ライトガイドにより、化合物半導体基板の蛍光出射表面を光検出器の光入射面に光学的に結合し、且つ、化合物半導体基板と光検出器とを物理的に接続し、もって、化合物半導体基板と光検出器とを一体化している。化合物半導体基板が入射した電子を蛍光に変換すると、ライトガイドが当該蛍光を光検出器に導き、光検出器が蛍光を検出することで、入射した電子線を検出する。