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公开(公告)号：CN100533959C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610009362.2
申请日：2006-02-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H03F1/0261 , H03F1/0205 , H03F3/24 , H03F3/60 , H03F2200/105 , H03G3/3047
Abstract: 本发明提供一种高频功率放大的电子部件(RF功率模块)，其将自动执行在发送开始时用于正确输出功率的预充电电平设置，而不需要基带IC上运行的用于预充电的软件处理程序，其能减少用户、也就是移动电话制造商的负担。所述被配置成放大RF发送信号的电子部件包括基于输出功率水平指示信号向高频功率放大器电路中的偏置控制电路提供输出功率控制电压的输出功率控制电路。该电子部件配备有预充电电路，其中所述电子部件配备有预充电电路，其在由发送开始时的电源电压的升高而触发，检测流过末级功率放大元件的电流的同时，增高所述输出功率控制电压以产生预定水平的输出功率。
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公开(公告)号：CN100533952C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510089731.9
申请日：2005-08-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F3/191 , H03F3/72 , H03F2203/7206
Abstract: 本发明提供了一种高频功率放大组件，是一种在常态下高频连接大输出放大器和小输出放大器的、不使用开关的放大器切换型放大器，其中放大器间的绝缘性能好并且放大器的稳定性能优良。该高频功率放大组件在难以对放大器的效率产生影响的输入匹配电路部分使用具有高绝缘特性的输入匹配电路(107)，以抑制信号从动作状态下的小输出放大部(110)向停止状态下的大输出放大部(109)的蔓延和从动作状态下的大输出放大部向停止状态下的小输出放大部的蔓延。通过偏置输入端子103～106的控制进行各放大部的动作状态和停止状态的切换。
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公开(公告)号：CN100533722C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710140318.X
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49548 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/32014 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/351 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件包括：其上安装半导体芯片(2)的翼片(1b)；通过树脂密封半导体芯片(2)形成的密封部分(3)；多个引线(1a)，每个引线具有暴露于所述密封部分(3)的后表面(3a)的周边部分的安装表面(1d)以及设置在安装表面相对侧上的密封部分形成表面(1g)；和用于连接所述半导体芯片(2)的焊盘(2a)和引线(1a)的导线(4)，其中彼此相对设置的引线(1a)的密封部分形成表面(1g)的内端部之间的长度(M)比安装表面(1d)的内端部(1h)之间的长度(L)长。由此，被每个引线(1a)的密封部分形成表面(1g)的内端部(1h)包围的芯片安装区可以扩展，并且可以增加安装芯片的尺寸。
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公开(公告)号：CN101504923A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200810109378.X
申请日：2008-06-02
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/06568 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供了一种用于缩小尺寸的SiP或PoP的半导体器件及其制造方法，以及适于SiP和PoP的测试方法，其中实现了系统的简化及其效率的提高。挑选出确定为非缺陷的包括第一存储器电路的第一半导体器件和确定为非缺陷的包括第二存储器电路和根据程序执行信号处理的信号处理电路的第二半导体器件。将所挑选出的器件组装为一体化半导体器件。在测试板上，供给与半导体器件的实际操作等效的时钟信号。将用于对第一存储器电路进行性能测试的测试程序从测试器写入到第二半导体器件的第二存储器电路。在信号处理电路中，对应于时钟信号，根据写入的测试程序对第一存储器电路进行性能测试。将该性能测试的故障/非故障确定的结果输出给测试器。
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公开(公告)号：CN101504916A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200810005449.1
申请日：2008-02-04
Applicant: 力晶半导体股份有限公司 , 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，此方法例如是先提供基底，于基底中形成第一导电型阱区。然后，于第一导电型阱区的基底上形成栅极结构。并于栅极结构两侧的基底中形成第二导电型源极/漏极区。而后，对基底进行第一导电型离子注入工艺，穿透栅极结构而于第二导电型源极/漏极区下方的基底中形成第一导电型掺杂区，其中第一导电型掺杂区的深度大于第一导电型阱区的深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100527919C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200410034129.0
申请日：2004-04-22
Applicant: 须贺唯知 , 新光电气工业株式会社 , 冲电气工业株式会社 , 三洋电机株式会社 , 夏普株式会社 , 索尼株式会社 , 株式会社东芝 , 日本电气株式会社 , 株式会社瑞萨科技 , 富士通微电子株式会社 , 松下电器产业株式会社 , 罗姆股份有限公司
IPC: H05K3/34
CPC classification number: H01L24/81 , H01L23/49816 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/81054 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H05K3/3436 , H05K2203/085 , H05K2203/086 , Y02P70/613 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49149 , Y10T29/49197 , H01L2224/05624 , H01L2924/00014
Abstract: 在板上安装电子部件的方法，其中电子部件和在其上安装所述电子部件的安装板被置于真空或惰性气氛中，并在常温下通过使所述电子部件和所述板的焊接部件相互接触把所述电子部件安装在所述板上，所述方法包括：利用焊料材料在所述电子部件和所述板的至少一个上形成焊接部件，并使所述电子部件和所述板的所述焊接部件相互接触，而不预处理焊接部分的焊接表面。
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公开(公告)号：CN100527605C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200410057843.1
申请日：2004-08-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H03F1/0227 , H03F2200/432
Abstract: 本发明实现没有削波失真的宽带·高效率·低失真的放大器以及使用它的，适用于宽带无线通信系统的高效率·低失真的高频功率放大器。具备附加了放大来自端子(5)的输入信号的低频成分的低通滤波器(1)的DC/DC转换器(2)、附加了放大该输入信号输出放大后的高频成分的高通滤波器(4)的B级放大器(3)，并联连接DC/DC转换器(2)和B级放大器(3)，用输入信号的低频成分控制B级放大器(3)的电源电压。
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公开(公告)号：CN101499474A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810183784.0
申请日：2008-12-18
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 前田德章
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L23/522 , H03K19/20 , H03K19/0944
CPC classification number: H01L27/088 , G11C11/412 , H01L27/0207 , H01L27/092 , H01L27/1104
Abstract: 一种半导体器件，包括形成于半导体衬底上方并具有相同导电类型的第一MISFET和第二MISFET。该第一MISFET具有布置在该半导体衬底上方的第一栅极绝缘膜、布置在该第一栅极绝缘膜上方的第一栅电极、以及第一源极区和第一漏极区。该第二MISFET具有布置在该半导体衬底上方的第二栅极绝缘膜、布置在该第二栅极绝缘膜上方的第二栅电极、以及第二源极区和第二漏极区。该第一栅电极和第二栅电极电连接，该第一源极区和第二源极区电连接，以及该第一漏极区和第二漏极区电连接。相应地，该第一MISFET和第二MISFET并联连接。此外，该第一MISFET和第二MISFET的阈值电压不同。
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公开(公告)号：CN100521224C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610082640.7
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法。硫属化物材料与硅氧化膜的接合性差，因此出现了在相变存储器的制造工序中容易剥离的课题。另外，相变存储器复位时(非晶化)必须要将硫属化物材料加热到熔点以上，因而出现了需要非常大的重写电流的课题。为解决上述课题，在硫属化物材料层和层间绝缘膜之间、以及硫属化物材料层和插塞之间，插入兼具了接合层和高电阻层(热电阻层)的功能的、由极薄的绝缘体或半导体构成的界面层。
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公开(公告)号：CN100521215C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710109634.0
申请日：2004-02-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 清水悟
IPC: H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/8247 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/76897 , H01L27/115 , H01L29/7881 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种防止利用(自我阵列触点)SAC技术时栅电极和触点部之间的短路的半导体装置，包括：半导体衬底，形成在上述半导体衬底表面上并在第一方向延伸形成的分离绝缘膜区，由上述分离绝缘膜区划分并在上述第一方向上延伸形成的有源区，在与上述有源区交叉的第二方向上延伸形成的栅电极，在上述栅电极的上述第二方向上的延伸端部上形成的伪电极，在沿着上述栅电极的上述第二方向上延伸形成的第一接触部，分别形成在上述栅电极和上述伪电极的侧壁上的第一和第二侧壁绝缘膜，上述第一接触部延伸到上述伪电极上，上述栅电极和上述伪电极之间的间隙通过掩埋上述第一和第二侧壁绝缘膜而连起来。
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