公开(公告)号：KR1019940020467A

公开(公告)日：1994-09-16

申请号：KR1019940002850

申请日：1994-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 미야기카쓰신

IPC: H01L21/00

公开(公告)号：KR1019940006208A

公开(公告)日：1994-03-23

申请号：KR1019930011793

申请日：1993-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 오사와데쓰

IPC: H01L21/304

Abstract: 프로세스튜브 내에 반도체 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 보트를 삽입하고, 프로세스튜브 내에 처리가스를 도입하는 열처리를 할 때에, 이 열처리에 앞서서 프로세스튜브 내를 열처리 때보다도 높은 온도로 유지하면서 열처리 때의 압력보다도 낮은 압력으로 되도록 프로세스튜브 내를 배기한다. 열처리 종료후, 프로세스튜브 내를 N
2 가스로 가스퍼지한다.