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公开(公告)号:KR100261533B1
公开(公告)日:2000-08-01
申请号:KR1019940037943
申请日:1994-12-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
Inventor: 아사노다카노부
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68 , Y10S269/903 , Y10S414/136 , Y10S414/138 , Y10T29/41
Abstract: 본 발명의 노치부위치 맞춤기구는, 그 둘레부에 노치부를 가지는 여러개의 피정렬체를 수용하는 카세트의 아래측 개구부를 통해서 카세트 내에 승강이 자유롭게 침입할 수 있는 기초대와, 기초대에 설치되고 또한 피정렬체의 노치부를 끼워넣을 수 있는 여러개의 끼워넣는 홈을 가지는 회전이 가능한 제 1 회전체와, 기초대에 설치되고 또한 회전이 가능한 제 2 회전체와, 제 1 회전체와 제 2 회전체의 적어도 한 쪽을 회전시키는 구동부를 갖추며, 제 1 회전체와 제 2 회전체에 의해서 피정렬체를 카세트로부터 이간시킨 상태에서 지지하여 회전시키는 회전지지수단과, 기초대에 설치되어, 노치부가 제 1 회전체의 끼워넣는 홈에 끼워넣은 피정렬체를 회전이 불가능하게 지지하는 지지체를 구비하고 있다.
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公开(公告)号:KR100260120B1
公开(公告)日:2000-07-01
申请号:KR1019940025028
申请日:1994-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/455 , C23C16/54 , H01L21/67778
Abstract: 본 발명의 열처리 장치는, 그 가장자리부의 일부에 오리엔테이션 플레이트부를 가지는 원반형의 다수개의 피처리체를, 그 오리엔테이션 플레이트부를 정렬시킨 상태에서 축 방향으로 소정의 간격으로 적층 수용하는 유지체와, 다수개의 가스 유통구를 가지며, 유지체에 유지된 다수개의 피처리체의 층 전체 둘레를 피처리체의층과 소정의 간격을 두고 덮은 통 모양의 커버체와, 커버체의 내벽면에 설치되고, 유지체에 유지된 피처리체에 대하여 처리 가스에 의해 소정의 처리를 실시한 처리실을 구비하고 있다.
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公开(公告)号:KR100253124B1
公开(公告)日:2000-04-15
申请号:KR1019940007723
申请日:1994-04-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: B01D46/00
Abstract: 본 발명의 공기청정장치는, 공기가 흡인되는 흡인구와, 이 흡인구를 통하여 흡인된 공기가 토출되는 토출구를 가지는 공기 유통실과, 공기 유통실에 설치되고, 공기를 흡인구로부터 토출하는 송풍수단과, 처리공간에 있어서의 처리에 의하여 유해하게 되는 불순가스의 발생이 작은 소재에 의하여 전체가 형성되고, 흡인구로부터 흡인된 흡인공기중에 함유하는 파티클을 제거하는 파티클 제거수단을 갖추고 있다.
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公开(公告)号:KR100210623B1
公开(公告)日:1999-07-15
申请号:KR1019940016333
申请日:1994-07-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/4404 , C23C16/4412 , C30B25/14
Abstract: 피처리체가 재치된 피처리체 수용보트를 로드하는 내관의 외측에 이것과 도심 형상으로 외관을 배치하여 처리용기를 형성하고, 이 처리용기의 하부에 가스도입포트와 가스 배기포트를 가지는 통체 형상의 매니홀드를 설치하며, 이 매니홀드의 구멍부를 밀폐하는 캡부를 설치하여 열처리부를 구성한다. 그리고, 내관과 외관과 매니홀드를 내열내식성 재료로 형성함과 동시에, 이들을 일체적으로 형성한다. 또, 캡부의 표면(처리용기측)에도 내열내식성 재료로 구성되는 보호층을 형성한다. 또, 캡부와 매니홀드의 접합부에 고온내열시일수단을 형성한다. 이것에 의하여 1대의 열처리 장치에 의하여 부식성 가스 등을 처리가스로서 사용하는 상압고온 열처리와 감압열처리를 할 수 있는 열처리 장치(합체로)가 제공된다.
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公开(公告)号:KR100181524B1
公开(公告)日:1999-04-15
申请号:KR1019930009205
申请日:1993-05-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 피처리 물체를 재치하여 지지하는 복수의 링 트레이가 평행하게 종 방향으로 소정 간격 배치되고, 로드에 의하여 지지된다. 이 링 트레이는 로드와의 연결을 피한 적어도 3개소의 위치에 링 트레이의 중공부에 연통하지 아니한 절결부가 설치된다. 아암에 설치된 지지이빨은 구동장치에 의하여 절결부에 따라서 삽입되고, 지지이빨을 링 트레이를 두고 종방향의 양쪽에 상대적으로 이동시키어 웨이퍼를 링 트레이와 지지이빨과의 사이에서 이동 변환할 수 있다. 이것에 의하여 피처리 물체의 각종의 열처리에 있어서, 피처리물체의 슬립등 방지를 가능하게 하고, 또한, 복수매의 피처리물체를 10번에 이동 변환하여 이동 변환시간을 단축 할 수가 있다.
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公开(公告)号:KR1019950021344A
公开(公告)日:1995-07-26
申请号:KR1019940037943
申请日:1994-12-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
Inventor: 아사노다카노부
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명의 노치부위치 맞춤기구는, 그 둘레부에 노치부를 가지는 여러개의 피정렬체를 수용하는 카세트의 아래측 개구부를 통해서 카세트 내에 승강이 자유롭게 침입할 수 있는 기초대와, 기초대에 설치되고 또한 피정렬체의 노치부를 끼워넣을 수 있는 여러개의 끼워넣는 홈을 가지는 회전이 가능한 제 1 회전체와, 기초대에 설치되고 또한 회전이 가능한 제 2 회전체와, 제 1 회전체와 제 2 회전체의 적어도 한 쪽을 회전시키는 구동부를 갖추며, 제 1 회전체와 제 2 회전체에 의해서 피정렬체를 카세트로부터 이간시킨 상태에서 지지하여 회전시키는 회전지지수단과, 기초대에 설치되어, 노치부가 제 1 회전체의 끼워넣는 홈에 끼워넣은 피정렬체를 회전이 불가능하게 지지하는 지지체를 구비하고 있다.
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公开(公告)号:KR1019950001953A
公开(公告)日:1995-01-04
申请号:KR1019940001925
申请日:1994-02-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: H01L21/324
Abstract: 반도체 웨이퍼(w)에 대해서 동일 처리용기 내에 있어서, 복수의 열처리를 연속적으로 한다. 처음에 자연산화막이 형성되기 어려운 온도로된 처리용기에 웨이퍼를 도입한 후, 제1의 온도제어공정으로 고속 승온하고, 그후, 제1의 처리온도로 제1의 열처공정, 예를 들면 환원처리를 한다. 다음에, 제2의 온도제어공정으로, 웨이퍼를 고속으로 승온 또는 강온하면서 가스치환을 한다. 그리고, 이어서 제2의 처리온도를 제2의 열처리 공정, 예를들면 폴리실리콘 막형성처리를 한다.
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公开(公告)号:KR1019920001629A
公开(公告)日:1992-01-30
申请号:KR1019900009488
申请日:1990-06-26
Applicant: 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: H01L21/22
Abstract: 내용 없음
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公开(公告)号:KR100282464B1
公开(公告)日:2001-04-02
申请号:KR1019940022311
申请日:1994-09-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
Inventor: 스즈키후지오
IPC: H01L21/324
Abstract: 피처리체가 수납되고 여러개의 분할영역으로 나누어지는 열처리실에 설치되는 히터에 의해서, 열처리실의 여러개의 분할영역을 가열하는 스텝과, 열처리실의 여러개의 분할영역이 소정온도로부터 기준온도까지 온도상승되는 온도상승 시간을 측정하고, 이들 온도상승시간의 차를 구하여,기억하는 스텝과, 온도상승 시간차가 작아지도록 가장 온도상승의 빠른 분할영역에 맞도록, 온도상승이 늦은 분할영역을 시간차 분만큼 빠른 타이밍으로 상기 분할영역을 각각 가열하도록 상기 가열수단을 제어하는 열처리장치의 온도제어방법.
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公开(公告)号:KR100257302B1
公开(公告)日:2000-05-15
申请号:KR1019940005495
申请日:1994-03-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4584
Abstract: 본 발명의 성막방법은 피처리체를 수용하는 처리용기 내에 적어제1도종류의 처리가스를 공급하는 처리가스 공급공정과, 처리용기 내에 공급되는 처리가스의 처리용기 내에 있어서의 화학반응의 초기상태를 반복 재현하면서 처리용기의 피처리체의 표면에 처리가스의 화학반응에 의하여 생성물에 의한 박막을 형성하는 박막형성공정으로 이루어진다.
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