公开(公告)号：DE102010028462A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028462

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOENTSCHEL JAN ,  KURZ ANDREAS ,  GRIEBENOW UWE ,  SCHEIPER THILO

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen werden Verspannungsgedächtnistechnologien auf der Grundlage eines Siliziumnitridmaterials angewendet, das nachfolgend in ein dielektrisches Material mit kleinem &egr; modifiziert wird, um damit Abstandshalterelemente mit kleinem &egr; zu erhalten, wodurch das Leistungsverhalten komplexer Halbleiterbauelemente verbessert wird. Die Modifizierung des anfänglichen siliziumnitridbasierten Abstandshaltermaterials kann auf der Grundlage eines Sauerstoffimplantationsprozesses bewerkstelligt werden.

公开(公告)号：DE102009047314B4

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：DE102009047314

申请日：2009-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  KESSLER MATTHIAS ,  KURZ ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Transistors, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Schutzbeschichtung über einem aktiven Gebiet und einer Gateelektrodenstruktur, die auf dem aktiven Gebiet ausgebildet ist, wobei die Gateelektrodenstruktur ein dielektrisches Material mit großem &egr; und eine Austrittsarbeitsmetallsorte aufweist; Bilden von Drain- und Source-Erweiterungsgebieten in dem aktiven Gebiet in Anwesenheit der Schutzbeschichtung; Bildes eines schützenden Abstandshalterelements aus der Schutzbeschichtung; Bilden einer Abstandshalterstruktur; und Bilden von Drain- und Source-Gebieten in dem aktiven Gebiet in Anwesenheit der Abstandshalterstruktur.

公开(公告)号：DE102010002453A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010002453

申请日：2010-02-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GEISLER HOLM ,  LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  GRILLBERGER MICHAEL

IPC: H01L21/66 ,  G01N29/04 ,  H01L21/768

Abstract: Das Metallisierungssystem komplexer Halbleiterbauelemente kann im Hinblick auf mechanische Integrität auf der Grundlage eines Messsystems und Messverfahren bewertet werden, wobei Kontaktelemente, etwa Metallsäulen oder Lothöcker, individuell mechanisch stimuliert werden, während die Antwort des Metallisierungssystems, beispielsweise in Form direkt gemessener Kräfte, bestimmt wird, um damit quantitativ den mechanischen Status des Metallisierungssystems zu bewerten. Auf diese Weise können die komplexen Materialsysteme und die gegenseitigen Wechselwirkungen effizient eingeschätzt werden.

公开(公告)号：DE102008035816B4

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：DE102008035816

申请日：2008-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOENTSCHEL JAN ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS ,  HANNON BELINDA

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren mit: Bilden erster Aussparungen (203p) benachbart zu einer ersten Gateelektrodenstruktur (251) eines ersten Transistors (250p) und Bilden zweiter Aussparungen (203n) benachbart zu einer zweiten Gateelektrodenstruktur (251) eines zweiten Transistors (250n), wobei der erste und der zweite Transistor (250p, 250n) von unterschiedlicher Leitfähigkeitsart sind; Bilden eines Halbleitermaterials (253) in den ersten und zweiten Aussparungen (203p, 203n), wobei das Halbleitermaterial (253) eine erste Art Verformung besitzt; Erzeugen von Gitterschäden in dem Halbleitermaterial (253) selektiv in dem ersten Transistor (250p), um ein im Wesentlichen entspanntes Halbleitermaterial (253p) zu bilden; und Rekristallisieren des im Wesentlichen entspannten Halbleitermaterials (253p) in einem verformten Zustand, wobei der verformte Zustand einer zweiten Verformungsart entspricht, die entgegengesetzt zur ersten Art an Verformung ist.

公开(公告)号：DE102010001397A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：DE102010001397

申请日：2010-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KURZ ANDREAS ,  SCHWAN CHRISTOPH

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8234

Abstract: In Halbleiterbauelementen mit komplexen Metallgateelektrodenstrukturen mit großen &egr; werden Widerstände auf der Grundlage eines Halbleitermaterials hergestellt, indem der Schichtwiderstands eines leitenden metallenthaltenden Deckmaterials auf der Grundlage eines Implantationsprozesses erhöht wird. Folglich können komplexe Ätztechniken zum Entfernen des leitenden Deckmaterials vermieden werden.

公开(公告)号：DE102009055395A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102009055395

申请日：2009-12-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEYER SVEN ,  HOENTSCHEL JAN ,  GRIEBENOW UWE ,  SCHEIPER THILO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: In einer Prozessstrategie zur Herstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in einer frühen Fertigungsphase wird ein vordefiniertes Halbleitermaterial verwendet, um die Schottky-Barriere zwischen dem Halbleitermaterial und dem leitenden Deckmaterial der Gateelektrodenstrukturen zu verringern. Auf Grund der im Wesentlichen gleichmäßigen Materialeigenschaften des vordotierten Halbleitermaterials können durch die Strukturierung hervorgerufene Ungleichmäßigkeiten während des komplexen Strukturierungsprozesses der Gateelektrodenstrukturen reduziert werden. Das vordotierte Halbleitermaterial kann für Gateelektrodenstrukturen komplementärer Transistoren verwendet werden.

公开(公告)号：DE102008045036B4

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：DE102008045036

申请日：2008-08-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FROHBERG KAI ,  MUELLER SVEN ,  HERTZSCH TINO ,  JASCHKE VOLKER

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Bauteilebene (110) eines Halbleiterbauelements (100), die Transistoren (111) und eine über den Transistoren (111) ausgebildete Ätzstoppschicht (122) aus Siliziumnitrid umfasst; Bilden einer Kontaktebene (120) über der Bauteilebene (110) durch Bilden eines dielektrischen Zwischenschichtmaterials (121) über der Bauteilebene (110); Bilden einer Maskenschicht (130) auf dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (121) auf der Grundlage einer Ätzmaske (103) mit mehreren ersten Öffnungen (103A); Bilden mehrerer zweiter Öffnungen (130A) in der Maskenschicht (130) der Kontaktebene (120) auf der Grundlage der mehreren ersten Öffnungen (103A); wobei die zweiten Öffnungen (130A) eine Breite (130B) zumindest an deren Unterseite besitzen, die kleiner ist als eine maximale Breite der ersten Öffnungen (103A); Bilden von Kontaktöffnungen (120A) in dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (121) auf der Grundlage der zweiten Öffnungen (130A), so dass Teile der Ätzstoppschicht (122) freigelegt werden; Ätzen der freigelegten Teile der Ätzstoppschicht (122) und Entfernen der Maskenschicht (130) in einem...

公开(公告)号：DE102009046242A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：DE102009046242

申请日：2009-10-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FEUSTEL FRANK ,  WERNER THOMAS ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L21/768

Abstract: Beim Herstellen eines komplexen Metallisierungssystems, in welchem Kontaktdurchführungen mit unterschiedlicher lateraler Größe vorzusehen sind, wird eine aufgeteilte Strukturierungssequenz angewendet. Zu diesem Zweck wird ein Lithographieprozess speziell für die kritischen Kontaktlochöffnungen gestaltet und nachfolgend wird ein zweiter Strukturierungsprozess angewendet, um die Kontaktdurchführungen mit größerer lateraler Abmessung herzustellen, während die kritischen Kontaktdurchführungen maskiert sind. Auf diese Weise können bessere Prozessbedingungen für jeden der Strukturierungsvorgänge erreicht werden.

公开(公告)号：DE102009043740A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：DE102009043740

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZENNER SOEREN ,  JUNGNICKEL GOTTHARD ,  KUECHENMEISTER FRANK

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/78 ,  H01L23/36

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen wird der metallenthaltende Schichtstapel auf der Rückseite des Substrats so bereitgestellt, dass eine verbesserte Haftung an das Halbleitermaterial erreicht wird, so dass die Wahrscheinlichkeit des Erzeugens von Leckstromwegen in einer Höckerstruktur beim Vereinzeln des Substrats in einzelne Halbleiterchips verringert wird. Zu diesem Zweck wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen eine Haftschicht mit einem Metall und mindestens einer nicht-Metallsorte verwendet, etwa als Titanoxidmaterial, in Verbindung mit weiteren metallenthaltenden Materialien, etwa Titan, Vanadium und Gold.

公开(公告)号：DE102009043628A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：DE102009043628

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  MARXSEN GERD ,  STEFFEN KATJA

IPC: H01L21/336

Abstract: In einem Austauschgateverfahren erhält ein oberer Bereich einer Gateöffnung eine verbesserte Querschnittsform nach dem Abscheiden einer austrittsarbeitseinstellenden Sorte auf der Grundlage eines Polierprozesses, wobei ein Opfermaterial die empfindlichen Materialien in der Gateöffnung schützt.