公开(公告)号：CN105094150A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510266584.1

申请日：2015-05-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 品田真二郎 ,  山本诚司 ,  绫井直树 ,  岩崎孝 ,  中幡英章

IPC: G05D3/12

CPC classification number: H02S20/32 ,  F24S50/20 ,  G01S3/7861 ,  G05D3/105 ,  H01L31/0543 ,  H02S10/00 ,  H02S40/22 ,  H02S40/30 ,  H02S50/00 ,  Y02E10/47 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明涉及聚光器光伏系统、集成电路、跟踪偏差检测和校正方法。该聚光器光伏系统包括：聚光器光伏面板；驱动装置，其被构造成使聚光器光伏面板在方位角和仰角的两个轴上相对于太阳执行周期性跟踪操作；测量部，其被构造成检测产生的功率或产生的电流作为聚光器光伏面板的产生电量；控制部，其被构造成当驱动装置已经使聚光器光伏面板在两个轴中的任一个上执行跟踪操作时，获得跟踪操作之前和之后聚光器光伏面板的产生电量的变化，控制部被构造成基于该变化，确定存在/不存在应该被校正的跟踪偏差。

公开(公告)号：CN104426381A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410433064.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 弘津研一 ,  志贺信夫 ,  中幡英章 ,  大平孝 ,  山田恭平

IPC: H02M5/06

CPC classification number: H02M5/06 ,  H02M5/293 ,  H03H7/38

Abstract: 本发明涉及变压器。一种变压器，其被设置于电源和具有电阻值R的负载之间，并且包括由n个相互连接的电抗元件构成的二端子对电路，其中，n是等于或大于4的自然数。相对于负载的电阻值R的任何值，二端子对电路的输入阻抗Zin具有：实部k·R，其中，k是常数；以及，虚部0。这样的变压器具有小尺寸和轻重量，并且不需要在传统变压器中使用的线圈和铁芯等。

公开(公告)号：CN102414796B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201080019145.6

申请日：2010-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。

公开(公告)号：CN102131964B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201080002414.8

申请日：2010-01-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置，其具有足够的耐久性且在从坩埚外部混入杂质方面受到抑制。本发明还公开了一种制造氮化物半导体晶体的方法以及氮化物半导体晶体。具体地，本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置(100)，其包含坩埚(101)、加热单元(125)和覆盖部件(110)。在所述坩埚(101)内部设置源材料(17)。在所述坩埚(101)的外围设置加热单元(125)，其中所述加热单元对所述坩埚(101)的内部进行加热。在所述坩埚(101)与所述加热单元(125)之间布置覆盖部件(110)。所述覆盖部件(110)包含第一层(111)和第二层(112)，所述第一层(111)被布置在面对所述坩埚(101)的侧上，并由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属形成，所述第二层(112)被布置在所述第一层(111)的外围侧上，并由构成所述第一层(111)的金属的碳化物形成。

公开(公告)号：CN101882571B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010171268.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN101351579B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200780001063.7

申请日：2007-03-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中幡英章 ,  川濑智博

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00

Abstract: 一种III族氮化物单晶生长方法，该方法是一种通过升华以生长AlxGa1-xN单晶(4)的方法，包括步骤，将源材料(1)放置在坩埚(12)中；并且升华源材料(1)以在坩埚(12)中生长AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(4)，其中源材料(1)包括AlyGa1-yN(0＜y≤1)源(2)和杂质元素(3)，并且杂质元素(3)为选自由IVb族元素和IIa族元素所组成的组中的至少之一。该生长方法使得能够稳定地生长具有低位错密度和良好的结晶度的III族氮化物体单晶。

公开(公告)号：CN102016135A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114398.9

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

Abstract: 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。

公开(公告)号：CN101970708A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980000384.4

申请日：2009-02-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C23C14/06 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。

公开(公告)号：CN101932758A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200880125981.5

申请日：2008-12-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  川濑智博 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了一种生长大型高品质的AlxGa1-xN单晶的方法。具体公开了生长AlxGa1-xN单晶的方法，其包括：准备AlyGa1-yN(0＜y≤1)晶种(4)的步骤，所述晶种的晶体直径D mm和厚度T mm符合下列关系式：T＜0.003D+0.15；以及通过升华生长法在所述AlyGa1-yN晶种(4)的主表面(4m)上生长AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(5)的步骤。

公开(公告)号：CN101922045A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010202934.5

申请日：2010-06-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中幡英章 ,  藤原伸介 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中畑成二 ,  上村智喜

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/872 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。