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公开(公告)号：CN112384642A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980044401.8
申请日：2019-06-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文描述的实施方式提供了一种具有用于均匀地输送处理气体的气流入口引导件和用于有效地净化处理气体并减少净化时间的气流出口引导件的腔室。所述腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有处理气体入口和处理气体出口；盖组件；处理气体入口和处理气体出口，所述处理气体入口和处理气体出口被配置为与所述腔室中的处理区域流体连通；气流入口引导件，所述气流入口引导件设置在所述处理气体入口中；和气流出口引导件，所述气流出口引导件设置在所述处理气体出口中。所述气流入口引导件包括流调节器和至少两个第一入口引导通道，所第一入口引导通道具有不同的第一入口引导通道面积。所述气流出口引导件包括至少两个第一出口引导通道，所述第一出口引导通道具有不同的第一出口引导通道面积。
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公开(公告)号：CN103703584B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201280033772.4
申请日：2012-06-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种用于封装有机发光二极管（OLED）器件的系统和方法，允许：将基板和多个遮罩有效地接收至真空处理环境中、在一或更多个工艺腔室间传输基板和多个遮罩以沉积封装层，并且从处理系统中移除基板和多个遮罩。一种封装有机发光二极管（OLED）器件的方法，包括：将一或更多个遮罩置于基板上以将封装层沉积于设置在基板上的OLED器件之上。一种封装有机发光二极管（OLED）器件的处理系统，包括：一或更多个传输腔室；一或更多个负载锁定腔室，耦接至每个传输腔室并可操作以将遮罩接收至真空环境中；以及一或更多个工艺腔室，耦接至每个传输腔室并可操作以将封装层沉积于基板上。
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公开(公告)号：CN108603289A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081111.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 在一个实施方式中，一种用于沉积腔室的扩散器包括：具有边缘区域和中心区域的板；和多个气体通道，包括上游孔和流体地耦接到上游孔的孔洞，多个气体通道形成在板的上游侧和下游侧之间；和多个槽，环绕气体通道，其中槽的深度从板的边缘区域到中心区域变化。
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公开(公告)号：CN108350572A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680062629.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/042 , C23C16/042 , H01L21/67103 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/681 , H01L21/682
Abstract: 提供一种用于处理多个基板的处理腔室。处理腔室包括：腔室主体，具有单一基板传送开口；第一基板支撑台面，设置在腔室主体中；和第二基板支撑台面，设置在腔室主体中。每个基板支撑台面经构造以在处理期间支撑基板。第一基板支撑台面、第二基板支撑台面和开口的中心线性对准。
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公开(公告)号：CN108140544A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680055690.8
申请日：2016-08-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/45502 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32449
Abstract: 本文描述的实施方式大体涉及一种框架，所述框架用于在等离子体处理腔室中用来提供在等离子体处理腔室的框架与侧壁之间流动的非均匀气流。在一个实施方式中，框架包括：框架主体，具有限定框架主体的内壁和外壁；中心开口，形成在框架中、由内壁限定；和角落区域和中心区域，形成在框架主体的第一侧面中。角落区域具有小于中心区域的中心宽度的角落宽度，其中这些宽度限定在内壁与外壁之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106415876A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580005179.2
申请日：2015-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L51/56 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/042 , C23C16/4402 , C23C16/54 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H01J37/32834 , H01J37/32853 , H01J37/32899 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01L21/6719 , H01L21/67748 , H01L21/67751 , H01L21/68742 , H01L51/0011 , H01L51/5237 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本公开涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。提供一种用于TFE的工艺配件。所述工艺配件是包括窗口、平行于窗口的掩模和框架的组件。所述工艺配件进一步包括用于使工艺气体流进所述窗口与所述掩模之间的容积的入口通道、用于将流出物气体泵送离开所述窗口与所述掩模之间的容积的出口通道，以及用于禁止工艺气体与流出物气体流动到不期望的位置的密封件。提供一种执行TFE的方法，所述方法包括将基板放置在上述工艺配件的掩模下方、使工艺气体流入所述工艺配件内，以及借助处理腔室内的能量源将工艺气体中的一些气体激活成反应物种。
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公开(公告)号：CN105934837A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201580005071.3
申请日：2015-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L51/56 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/042 , C23C16/4402 , C23C16/54 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H01J37/32834 , H01J37/32853 , H01J37/32899 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01L21/6719 , H01L21/67748 , H01L21/67751 , H01L21/68742 , H01L51/0011 , H01L51/5237 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本公开涉及用于器件制造的原子层沉积(ALD)处理腔室的方法和设备，以及用于替换所述设备的气体分布板和掩模的方法。所述ALD处理腔室具有狭缝阀，配置成允许气体分布板与掩模的移除与替换。所述ALD处理腔室还可具有致动器和基板支撑组件，所述致动器可操作以往返于工艺位置移动所述气体分布板，所述基板支撑组件可操作以往返于工艺位置移动所述掩模。
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公开(公告)号：CN102138033B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN200980134015.4
申请日：2009-08-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: F16K1/24
CPC classification number: H01L21/67201 , F16K15/147 , F16K51/02 , H01L21/67126
Abstract: 在此公开的实施方式与一种用于密封腔室中的开口的狭缝阀门装置有关。当狭缝阀门开口收缩时，压向所述腔室以密封狭缝阀开口的狭缝阀门与所述腔室一起移动，使得受压于所述狭缝阀门与所述腔室之间的O形环与所述狭缝阀门和所述腔室一起移动。因此，O形环对腔室发生摩擦的情形会较少。由于较少摩擦，产生的颗粒可较少，因而可延长O形环的使用寿命。由于O形环的使用寿命较长，基板处理量即可增加。
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公开(公告)号：CN102460649B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201080026164.1
申请日：2010-05-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H05H1/34
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4404 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32577
Abstract: 本文揭露的实施例大致关于具有阳极处理的气体分配喷头的设备。在大面积平行板的RF处理腔室中，控制RF返回路径将具有挑战性。RF处理腔室中经常碰到电弧的产生。为了减少RF处理腔室中的电弧产生，可耦接多个带至基座以缩短RF返回路径；可在处理过程中耦接陶瓷或绝缘或阳极处理的遮蔽框架至基座；且可沉积阳极处理的涂层于最接近腔室壁的喷头边缘上。阳极处理的涂层可减少喷头与腔室壁之间的电弧产生，并因此增进薄膜性质并提高沉积速率。
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公开(公告)号：CN102618840B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210085245.X
申请日：2008-02-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/00
CPC classification number: F16K51/02 , Y10S438/905 , Y10T29/49412
Abstract: 本发明一般包括用于与腔室相接的浮动(floating)狭缝阀。浮动狭缝阀相对于另一对象(例如腔室)而移动或“浮动(float)”。狭缝阀可耦接于两个腔室之间。当耦接至狭缝阀的腔室加热时，狭缝阀亦可因传导而被加热。当狭缝阀被加热时，狭缝阀可能会产生热膨胀。当腔室抽成真空时，狭缝阀可能因为真空偏差而变形。通过在腔室及狭缝阀之间放置低摩擦材料间隔物，在热膨胀/收缩及/或真空偏差期间，狭缝阀不会磨抵腔室，因此，不会产生不期望的微粒污染物。另外，用于将狭缝阀耦接至腔室且钻设于腔室的狭孔的尺寸设计可容纳狭缝阀的热膨胀/收缩及/或真空偏差。
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