13族氮化物晶体
    54.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103556225B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201310419587.5

    申请日:2009-12-25

    CPC classification number: H01L29/2003 C30B9/10 C30B19/02 C30B29/403 C30B29/406

    Abstract: 在使氮化镓晶体生长时,将晶种基板浸泡于含有镓和钠的混合熔液中。接着,在含氮气不含氧气的加压气氛下,以加热混合熔液的状态,使氮化镓晶体生长在晶种基板上。此时,作为搅拌混合熔液的条件,先采用第1搅拌条件,其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变凹凸,其后,再采用第2搅拌条件,其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变平滑。

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